Рогачова Олена Іванівна

Рогачова Олена Іванівна (нар. 21 жовтня 1937, Харків) — доктор фізико-математичних наук, професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут», керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства, академік Міжнародної термоелектричної академії (2015).

Рогачова Олена Іванівна
Народилася	21 жовтня 1937(1937-10-21) (86 років) Харків, Українська РСР, СРСР
Країна	СРСР  Україна
Діяльність	викладачка університету, науковиця
Alma mater	НТУ «ХПІ»
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Вчене звання	професор і академік
Заклад	НТУ «ХПІ»
Нагороди
1967-дотепер — працівник у Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут»; 1968 — захист кандидатської дисертації «Фізика твердого тіла»; 1990 — захист докторської дисертації «Фізика напівпровідників та діелектриків»; 1992 — присвоєно вчене звання професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут». Звання та нагороди 1993 — грант Міжнародного наукового фонду, 1993 — премія Міжнародної науково-освітньої програми, 2005 — пам'ятна медаль Фонду CRDF і почесна грамота Міністерства освіти і науки України за суттєвий внесок в розвиток міжнародного співробітництва між Україною та США, 2008 — Премія «Інтелект Харкова» ім. Палатника Л.С. в області фізики 2009 — Почесна грамота Міжнародної Академії термоелектрики, 2010 — нагрудний знак «За наукові досягнення» МОН України, 2013 — обласна іменна стипендія в галузі фізики і астрономії імені К. Д. Синельникова, 2015 — Орден княгині Ольги III ступеня. Наукова, педагогічна та навчально-методична робота Олена Іванівна Рогачова керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут». Написала дві монографії, понад 270 наукових праць у вітчизняних і міжнародних журналах. Учасниця близько 300 наукових конференціях у Японії, Австралії, Бразилії, США, Південній Кореї, Китаї та багатьох європейських країнах. Під керівництвом Олени Іванівни підготовлено 11 аспірантів, одержано 3 гранти Державного фонду фундаментальних досліджень України спільно з Національним Науковим Фондом США та 5 грантів за міжнародними проектами. У колаборації з науковцями Массачусетського технологічного інституту досліджує фізичні основи створення наноматеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії. Була членом спеціалізованої вченої ради Д.64.160.01 із захисту дисертацій за спеціальністю «Фізика напівпровідників та діелектриків», секції з напівпровідникового матеріалознавства Наукової Ради НАН України, редколегії журналу «Термоелектрика» (англ. Journal of Thermoelectricity). Основні напрями досліджень: фізика напівпровідникових фаз змінного складу, розмірні ефекти у наноструктурах, термоелектричне матеріалознавство, нестехіометрія, домішки у напівпровідниках. Джерела УКАЗ ПРЕЗИДЕНТА УКРАЇНИ № 670/2015 Науковці України — еліта держави V Видавництво Логос Україна 2017 Державні нагороди України. Кавалери та лауреати" (том VI) Українська конфедерація журналістів Nepran (9 травня 2021). Рогачова Олена Іванівна. library.kpi.kharkov.ua (укр.). Процитовано 25 березня 2023. Посилання КАФЕДРА ФІЗИКИ НТУ «ХПІ» ^[недоступне посилання] Україна. Європа. Світ. Золотий фонд нації. Vivat, Україно! Українська конфедерація журналістів. Google Scholar Scopus Інформаційна сторінка науковця на сайті університету