Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Польови́й транзи́стор, FET (англ. Field-effect transistor) — напівпровідниковий однополярний пристрій, переважно із трьома виводами, в якому сила струму, що протікає між двома електродами — витоком і стоком, регулюється напругою, прикладеною до третього електрода (затвора).
| Польовий транзистор | |
| Протилежне | біполярний транзистор |
|---|---|
 Польовий транзистор у Вікісховищі | |
Історія
Вперше ідея використання ефекту поля (електричного) для модуляції провідності на поверхні напівпровідника була запропонована Лілієнфельдом в середині 20-х років. В другій половині 30-х років Вільям Шоклі спробував її реалізувати на поверхні германію, керівний електрод розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч ефект поля і підтвердився експериментально, проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. І тільки в 1960 році, коли була розроблена технологія пасивації кремнію (Девон Канг та Мартін Аталла), з'явились перші МДН-транзистори. Модель роботи МДН-транзистора була вперше запропонована Са Чін-Танг.
Будова
На малюнку праворуч схематично зображена будова одного з типів польового транзистора: метал-оксидного (MOSFET), або МОН (метал-оксид-напівпровідник). Усі транзистори такого типу мають витік, стік та затвор, яким відповідають емітер, колектор та база. Струм в транзисторі протікає через канал, що утворено легованою областю напівпровідника, розташованою між підкладкою і затвором. До каналу під'єднані два електроди — витік, що є джерелом носіїв заряду й стік, до якого носії заряду стікаються. Контакти між витоком та стоком і каналом робляться омічними. Для цього приконтактні області сильно легують. Ці області позначені на рисунку n+.
Під шириною транзистора розуміють розміри транзистора у напрямку, перпендикулярному до перерізу зображеному на діаграмі (тобто, в/від екрану). Типова ширина набагато більша за довжину каналу. Довжина каналу 1 мкм обмежує значення верхньої частоти до 5 ГГц, 0.2 мкм — до приблизно 30 ГГц.
Принцип дії
За принципом дії польовий транзистор дуже схожий на водопровідний кран. Носії заряду протікають через канал, обмежений з одного боку підкладкою, в якій не може протікати струм, бо в ній немає носіїв заряду, та областю збіднення, яка утворюється під затвором завдяки контактній різниці потенціалів. Шириною області збіднення можна керувати, прикладаючи до затвора напругу. При прикладенні зворотної напруги область збіднення розширюється і перекриває більшу частину каналу. В канал наче висувається заслінка. При певному значенні зворотної напруги область збіднення повністю перекриває канал. Струм через канал зменшується. В цьому випадку говорять, що транзистор закритий. Відповідне значення напруги називається напругою запирання. При докладенні до затвора прямої напруги, канал розширюється, пропускаючи більший струм.
Обернений затвор
В фізиці напівпровідників термін обернений затвор позначає сильно леговану підкладку, яка є хорошим провідником. Використовується як звичайний затвор для регулювання концентрації носіїв струму в гетероструктурах з двохвимірним електронним газом (або двохвимірним дірковим газом). Використовується в тих випадках, коли важко створити звичайний затвор. Якщо підкладка достатньо тонка і поле не екранується в непровідному матеріалі, то поле проникає до електронного газу. В цьому випадку можна обійтися без легування та використовувати металічну пластину, котра також буде називатися оберненим затвором. Фактично, якщо поле не екранується, то концентрація ДЕГ (який можна вважати другою обкладкою конденсатора) залежить тільки від ємності системи.
В МДН-транзисторах четвертий електрод має назву «підкладка». Проте слід розрізняти дискретні МДН-транзистори, в яких електрод підкладки (bulk) працює нарівні з іншими електродами (тобто жорстко індивідуалізований), та інтегральні схеми на МДН-транзисторах в яких електрод підкладки (substrate) є спільний для всіх МДН транзисторів одного типу. Правда у випадку технології кремній на сапфірі, електроди підкладки є також індивідуалізовані для кожного інтегрального МДН- транзистора.
Вплив електроду підкладки на ВАХ МДН-транзисторів широко досліджувався наприкінці 70-х років минулого століття.
Типи польових транзисторів
Серед різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді p-n переходу та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об'єму діелектриком. Прилади другого класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал — діелектрик — напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал — оксид — напівпровідник), оскільки як діелектрик найчастіше використовується діоксид кремнію.
В свою чергу транзистори з ізольованим каналом поділяються на транзистори з вбудованим каналом (англ. depletion mode transistor) та індукованим каналом. Транзистори з вбудованим каналом (у них канал відкритий при нульовій напрузі витік-затвор) зустрічаються набагато рідше.
Також польові транзистори підрозділяються на транзистори з каналом провідності n-типу або p-типу.
Транзистори з керуючим p-n переходом
Польовий транзистор з керівним p-n переходом — це польовий транзистор, затвор якого ізольований (тобто відокремлений в електричному відношенні) від каналу p-n переходом, зміщеним у зворотньому напрямку.
Такий транзистор має два невипрямлювані контакти до області, по якій проходить керований струм основних носіїв заряду, і один або два керівних електронно-діркових переходи, зміщених у зворотному напрямку. При зміні зворотної напруги на p-n переході змінюється його товщина і, отже, товщина області, по якій проходить керований струм основних носіїв заряду. Область, товщина і поперечний переріз якої управляється зовнішньою напругою на керівному p-n переході і по якій проходить керований струм основних носіїв, називають каналом. Електрод, з якого в канал входять основні носії заряду, називають витоком або джерелом (англ. Source). Електрод, через який з каналу йдуть основні носії заряду, називають стоком (Drain). Електрод, який слугує для регулювання поперечного перетину каналу, називають затвором (Gate).
Електропровідність каналу може бути як n-, так і p-типу. Тому по електропровідності каналу розрізняють польові транзистори з n-каналом і р-каналом. Всі полярності напруг зсуву, що подаються на електроди транзисторів з n-і з p-каналом, протилежні.
Управління струмом стоку, тобто струмом від зовнішнього щодо потужного джерела живлення в колі навантаження, відбувається при зміні зворотної напруги на p-n переході затвора (або на двох p-n переходах одночасно). У зв'язку з малістю зворотних струмів потужність, необхідна для управління струмом стоку і споживана від джерела сигналу в колі затвора, виявляється мізерно малою. Тому польовий транзистор може забезпечити посилення електромагнітних коливань як по потужності, так і по струму і напрузі.
Таким чином, польовий транзистор за принципом дії аналогічний вакуумному тріоду. Витік у польовому транзисторі подібний катоду вакуумного тріода, затвор — сітці, стік — аноду. Але при цьому польовий транзистор істотно відрізняється від вакуумного тріода. По-перше, для роботи польового транзистора не потрібно підігріву катода. По-друге, будь-яку з функцій витоку і стоку може виконувати кожен з цих електродів. По-третє, польові транзистори можуть бути зроблені як з n-каналом, так і з p-каналом, що дозволяє вдало поєднувати ці два типи польових транзисторів в схемах.
Від біполярного транзистора польовий транзистор відрізняється, по-перше, принципом дії: в біполярному транзисторі управління вихідним сигналом проводиться вхідним струмом, а в польовому транзисторі — вхідною напругою або електричним полем. По-друге, польові транзистори мають значно більший вхідний опір, що пов'язано із зворотним зсувом p-n-переходу затвора в розглянутому типі польових транзисторів. По-третє, польові транзистори можуть мати низький рівень шуму (особливо на низьких частотах) через те, що в польових транзисторах не використовується явище інжекції неосновних носіїв заряду і канал польового транзистора може бути відділений від поверхні напівпровідникового кристала. Процеси рекомбінації носіїв в p-n переході і в базі біполярного транзистора, а також генераційно-рекомбінаційні процеси на поверхні кристала напівпровідника супроводжуються виникненням низькочастотних шумів.
Схеми підключення
Польовий транзистор може бути увімкнений за трьома основними схемами:
- Із загальним витоком (ЗВ);
- Із загальним стоком (ЗС);
- Із загальним затвором (ЗЗ).
-
![image]()
Схема підключення польового транзистора з керуючим pn-переходом із загальним витоком. -
![image]()
Схема підключення польового транзистора з керуючим pn-переходом із загальним стоком. -
![image]()
Схема підключення польового транзистора з керуючим pn-переходом із загальним затвором.
На практиці найчастіше застосовується схема із загальним витоком (ЗВ), аналогічна схемі на біполярному транзисторі із загальним емітером (ЗЕ). Каскад із загальним витоком дає дуже велике підсилення струму і потужності. Схема із загальним затвором (ЗЗ) аналогічна схемі із загальною базою (ЗБ). Вона не дає підсилення за струмом, і тому підсилення потужності в ній у багато разів менше, ніж у схемі з ЗВ. Каскад із загальним затвором має низький вхідний опір, і тому рідко застосовується у підсилювальній техніці.
Каскад з загальним стоком (ЗС) аналогічний каскаду з загальним колектором (ЗК) для біполярного транзистора - емітерним повторювачем. Такий каскад часто називають витоковим повторювачем. Коефіцієнт посилення по напрузі в цій схемі завжди трохи менше 1, а коефіцієнт посилення за проектною потужністю займає проміжне значення між ЗЗ і ЗВ. Перевага цього каскаду - дуже низька вхідна паразитна ємність і його часто використовують в якості буферного розділового каскаду між високоомним джерелом сигналу, наприклад, пьезодатчиком і подальшими каскадами підсилення. За широкосмуговим властивостям цей каскад також займає проміжне положення між ЗЗ і ЗВ.
Застосування
Із розробкою технології інтегральних схем польові транзистори майже витіснили біполярні транзистори з більшості галузей електроніки.[] Понад 100 млн транзисторів у процесорі комп'ютера є польовими транзисторами. Вони використовуються також у мікросхемах, які входять до складу більшості радіоелектронних приладів: мобільних телефонів, телевізорів, пральних машин, холодильників тощо.
Стрімко розвиваються галузі застосування потужних польових транзисторів. У силовій електроніці потужні польові транзистори успішно замінюють і витісняють потужні біполярні транзистори. В підсилювачах потужності звукових частот класу Hi-Fi і Hi-End потужні польові транзистори успішно замінюють потужні електронні лампи, оскільки мають малі нелінійні і динамічні .
Див. також
Примітки
- Цей термін устоявся в літературі, хоча є запозиченням з російської мови. Відповідні українські терміни могли б бути: засувка, заслін, замок.
Джерела
- Якимаха А. Л. Микромощные инверторы на МДН-транзисторах // Радиотехника. 1980. Т. 35, № 1. С. 21-24.
- Якимаха А. Л., Берзин Л. Ф. Триодный режим МДП-транзисторов // Изв. вузов СССР. Приборостроение. 1978. Т. 21, № 11. С. 101—103.
- Якимаха А. Л., Берзин Л. Ф. Эквивалентная схема p-n-p-n-структуры на комплементарных МДП-транзисторах // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24, № 9. С. 1941—1943.
Література
- Напівпровідникові прилади : підручник / Л. Д. Васильєва, Б. І. Медведенко, Ю. І. Якименко . — К. : Кондор, 2008. — 556 с. — .
- Терещук Р. М., Терещук К. М., Седов С. А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. — К. : Наукова думка, 1988. — С. 183—191.(рос.)
- Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. — Ленинград : Энергия, 1975. — 304 с.
- Мала гірнича енциклопедія : у 3 т. / за ред. В. С. Білецького. — Д. : Донбас, 2007. — Т. 2 : Л — Р. — 670 с. — .
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Polovi j tranzi stor FET angl Field effect transistor napivprovidnikovij odnopolyarnij pristrij perevazhno iz troma vivodami v yakomu sila strumu sho protikaye mizh dvoma elektrodami vitokom i stokom regulyuyetsya naprugoyu prikladenoyu do tretogo elektroda zatvora Polovij tranzistorProtilezhnebipolyarnij tranzistor Polovij tranzistor u VikishovishiPolovij n kanalnij tranzistor velikoyi potuzhnosti IstoriyaVpershe ideya vikoristannya efektu polya elektrichnogo dlya modulyaciyi providnosti na poverhni napivprovidnika bula zaproponovana Liliyenfeldom v seredini 20 h rokiv V drugij polovini 30 h rokiv Vilyam Shokli sprobuvav yiyi realizuvati na poverhni germaniyu kerivnij elektrod rozdilyavsya za dopomogoyu slyudyanoyi plastinki Hoch efekt polya i pidtverdivsya eksperimentalno prote do praktichnoyi realizaciyi sprava tak i ne dijshla I tilki v 1960 roci koli bula rozroblena tehnologiya pasivaciyi kremniyu Devon Kang ta Martin Atalla z yavilis pershi MDN tranzistori Model roboti MDN tranzistora bula vpershe zaproponovana Sa Chin Tang BudovaShema budovi metal oksidnogo polovogo tranzistora source vitik gate zatvor drain stik Na malyunku pravoruch shematichno zobrazhena budova odnogo z tipiv polovogo tranzistora metal oksidnogo MOSFET abo MON metal oksid napivprovidnik Usi tranzistori takogo tipu mayut vitik stik ta zatvor yakim vidpovidayut emiter kolektor ta baza Strum v tranzistori protikaye cherez kanal sho utvoreno legovanoyu oblastyu napivprovidnika roztashovanoyu mizh pidkladkoyu i zatvorom Do kanalu pid yednani dva elektrodi vitik sho ye dzherelom nosiyiv zaryadu j stik do yakogo nosiyi zaryadu stikayutsya Kontakti mizh vitokom ta stokom i kanalom roblyatsya omichnimi Dlya cogo prikontaktni oblasti silno leguyut Ci oblasti poznacheni na risunku n Pid shirinoyu tranzistora rozumiyut rozmiri tranzistora u napryamku perpendikulyarnomu do pererizu zobrazhenomu na diagrami tobto v vid ekranu Tipova shirina nabagato bilsha za dovzhinu kanalu Dovzhina kanalu 1 mkm obmezhuye znachennya verhnoyi chastoti do 5 GGc 0 2 mkm do priblizno 30 GGc Princip diyiZa principom diyi polovij tranzistor duzhe shozhij na vodoprovidnij kran Nosiyi zaryadu protikayut cherez kanal obmezhenij z odnogo boku pidkladkoyu v yakij ne mozhe protikati strum bo v nij nemaye nosiyiv zaryadu ta oblastyu zbidnennya yaka utvoryuyetsya pid zatvorom zavdyaki kontaktnij riznici potencialiv Shirinoyu oblasti zbidnennya mozhna keruvati prikladayuchi do zatvora naprugu Pri prikladenni zvorotnoyi naprugi oblast zbidnennya rozshiryuyetsya i perekrivaye bilshu chastinu kanalu V kanal nache visuvayetsya zaslinka Pri pevnomu znachenni zvorotnoyi naprugi oblast zbidnennya povnistyu perekrivaye kanal Strum cherez kanal zmenshuyetsya V comu vipadku govoryat sho tranzistor zakritij Vidpovidne znachennya naprugi nazivayetsya naprugoyu zapirannya Pri dokladenni do zatvora pryamoyi naprugi kanal rozshiryuyetsya propuskayuchi bilshij strum Obernenij zatvorV fizici napivprovidnikiv termin obernenij zatvor poznachaye silno legovanu pidkladku yaka ye horoshim providnikom Vikoristovuyetsya yak zvichajnij zatvor dlya regulyuvannya koncentraciyi nosiyiv strumu v geterostrukturah z dvohvimirnim elektronnim gazom abo dvohvimirnim dirkovim gazom Vikoristovuyetsya v tih vipadkah koli vazhko stvoriti zvichajnij zatvor Yaksho pidkladka dostatno tonka i pole ne ekranuyetsya v neprovidnomu materiali to pole pronikaye do elektronnogo gazu V comu vipadku mozhna obijtisya bez leguvannya ta vikoristovuvati metalichnu plastinu kotra takozh bude nazivatisya obernenim zatvorom Faktichno yaksho pole ne ekranuyetsya to koncentraciya DEG yakij mozhna vvazhati drugoyu obkladkoyu kondensatora zalezhit tilki vid yemnosti sistemi V MDN tranzistorah chetvertij elektrod maye nazvu pidkladka Prote slid rozriznyati diskretni MDN tranzistori v yakih elektrod pidkladki bulk pracyuye narivni z inshimi elektrodami tobto zhorstko individualizovanij ta integralni shemi na MDN tranzistorah v yakih elektrod pidkladki substrate ye spilnij dlya vsih MDN tranzistoriv odnogo tipu Pravda u vipadku tehnologiyi kremnij na sapfiri elektrodi pidkladki ye takozh individualizovani dlya kozhnogo integralnogo MDN tranzistora Vpliv elektrodu pidkladki na VAH MDN tranzistoriv shiroko doslidzhuvavsya naprikinci 70 h rokiv minulogo stolittya Tipi polovih tranzistorivVidi polovih tranzistoriv ta yih poznachennya na principovih shemah Volt amperni harakteristiki polovogo tranzistora Sered riznovidiv polovih tranzistoriv mozhna vidiliti dva osnovni klasi polovi tranzistori iz zatvorom u vidi p n perehodu ta polovi tranzistori iz zatvorom yakij izolovanij vid robochogo napivprovidnikovogo ob yemu dielektrikom Priladi drugogo klasu chasto takozh nazivayut MDN tranzistorami vid slovospoluchennya metal dielektrik napivprovidnik ta MON tranzistorami vid slovospoluchennya metal oksid napivprovidnik oskilki yak dielektrik najchastishe vikoristovuyetsya dioksid kremniyu V svoyu chergu tranzistori z izolovanim kanalom podilyayutsya na tranzistori z vbudovanim kanalom angl depletion mode transistor ta indukovanim kanalom Tranzistori z vbudovanim kanalom u nih kanal vidkritij pri nulovij napruzi vitik zatvor zustrichayutsya nabagato ridshe Takozh polovi tranzistori pidrozdilyayutsya na tranzistori z kanalom providnosti n tipu abo p tipu Tranzistori z keruyuchim p n perehodomPolovij tranzistor z kerivnim p n perehodom ce polovij tranzistor zatvor yakogo izolovanij tobto vidokremlenij v elektrichnomu vidnoshenni vid kanalu p n perehodom zmishenim u zvorotnomu napryamku Takij tranzistor maye dva nevipryamlyuvani kontakti do oblasti po yakij prohodit kerovanij strum osnovnih nosiyiv zaryadu i odin abo dva kerivnih elektronno dirkovih perehodi zmishenih u zvorotnomu napryamku Pri zmini zvorotnoyi naprugi na p n perehodi zminyuyetsya jogo tovshina i otzhe tovshina oblasti po yakij prohodit kerovanij strum osnovnih nosiyiv zaryadu Oblast tovshina i poperechnij pereriz yakoyi upravlyayetsya zovnishnoyu naprugoyu na kerivnomu p n perehodi i po yakij prohodit kerovanij strum osnovnih nosiyiv nazivayut kanalom Elektrod z yakogo v kanal vhodyat osnovni nosiyi zaryadu nazivayut vitokom abo dzherelom angl Source Elektrod cherez yakij z kanalu jdut osnovni nosiyi zaryadu nazivayut stokom Drain Elektrod yakij sluguye dlya regulyuvannya poperechnogo peretinu kanalu nazivayut zatvorom Gate Elektroprovidnist kanalu mozhe buti yak n tak i p tipu Tomu po elektroprovidnosti kanalu rozriznyayut polovi tranzistori z n kanalom i r kanalom Vsi polyarnosti naprug zsuvu sho podayutsya na elektrodi tranzistoriv z n i z p kanalom protilezhni Upravlinnya strumom stoku tobto strumom vid zovnishnogo shodo potuzhnogo dzherela zhivlennya v koli navantazhennya vidbuvayetsya pri zmini zvorotnoyi naprugi na p n perehodi zatvora abo na dvoh p n perehodah odnochasno U zv yazku z malistyu zvorotnih strumiv potuzhnist neobhidna dlya upravlinnya strumom stoku i spozhivana vid dzherela signalu v koli zatvora viyavlyayetsya mizerno maloyu Tomu polovij tranzistor mozhe zabezpechiti posilennya elektromagnitnih kolivan yak po potuzhnosti tak i po strumu i napruzi Takim chinom polovij tranzistor za principom diyi analogichnij vakuumnomu triodu Vitik u polovomu tranzistori podibnij katodu vakuumnogo trioda zatvor sitci stik anodu Ale pri comu polovij tranzistor istotno vidriznyayetsya vid vakuumnogo trioda Po pershe dlya roboti polovogo tranzistora ne potribno pidigrivu katoda Po druge bud yaku z funkcij vitoku i stoku mozhe vikonuvati kozhen z cih elektrodiv Po tretye polovi tranzistori mozhut buti zrobleni yak z n kanalom tak i z p kanalom sho dozvolyaye vdalo poyednuvati ci dva tipi polovih tranzistoriv v shemah Vid bipolyarnogo tranzistora polovij tranzistor vidriznyayetsya po pershe principom diyi v bipolyarnomu tranzistori upravlinnya vihidnim signalom provoditsya vhidnim strumom a v polovomu tranzistori vhidnoyu naprugoyu abo elektrichnim polem Po druge polovi tranzistori mayut znachno bilshij vhidnij opir sho pov yazano iz zvorotnim zsuvom p n perehodu zatvora v rozglyanutomu tipi polovih tranzistoriv Po tretye polovi tranzistori mozhut mati nizkij riven shumu osoblivo na nizkih chastotah cherez te sho v polovih tranzistorah ne vikoristovuyetsya yavishe inzhekciyi neosnovnih nosiyiv zaryadu i kanal polovogo tranzistora mozhe buti viddilenij vid poverhni napivprovidnikovogo kristala Procesi rekombinaciyi nosiyiv v p n perehodi i v bazi bipolyarnogo tranzistora a takozh generacijno rekombinacijni procesi na poverhni kristala napivprovidnika suprovodzhuyutsya viniknennyam nizkochastotnih shumiv Shemi pidklyuchennyaPolovij tranzistor mozhe buti uvimknenij za troma osnovnimi shemami Iz zagalnim vitokom ZV Iz zagalnim stokom ZS Iz zagalnim zatvorom ZZ Shema pidklyuchennya polovogo tranzistora z keruyuchim pn perehodom iz zagalnim vitokom Shema pidklyuchennya polovogo tranzistora z keruyuchim pn perehodom iz zagalnim stokom Shema pidklyuchennya polovogo tranzistora z keruyuchim pn perehodom iz zagalnim zatvorom Na praktici najchastishe zastosovuyetsya shema iz zagalnim vitokom ZV analogichna shemi na bipolyarnomu tranzistori iz zagalnim emiterom ZE Kaskad iz zagalnim vitokom daye duzhe velike pidsilennya strumu i potuzhnosti Shema iz zagalnim zatvorom ZZ analogichna shemi iz zagalnoyu bazoyu ZB Vona ne daye pidsilennya za strumom i tomu pidsilennya potuzhnosti v nij u bagato raziv menshe nizh u shemi z ZV Kaskad iz zagalnim zatvorom maye nizkij vhidnij opir i tomu ridko zastosovuyetsya u pidsilyuvalnij tehnici Kaskad z zagalnim stokom ZS analogichnij kaskadu z zagalnim kolektorom ZK dlya bipolyarnogo tranzistora emiternim povtoryuvachem Takij kaskad chasto nazivayut vitokovim povtoryuvachem Koeficiyent posilennya po napruzi v cij shemi zavzhdi trohi menshe 1 a koeficiyent posilennya za proektnoyu potuzhnistyu zajmaye promizhne znachennya mizh ZZ i ZV Perevaga cogo kaskadu duzhe nizka vhidna parazitna yemnist i jogo chasto vikoristovuyut v yakosti bufernogo rozdilovogo kaskadu mizh visokoomnim dzherelom signalu napriklad pezodatchikom i podalshimi kaskadami pidsilennya Za shirokosmugovim vlastivostyam cej kaskad takozh zajmaye promizhne polozhennya mizh ZZ i ZV ZastosuvannyaIz rozrobkoyu tehnologiyi integralnih shem polovi tranzistori majzhe vitisnili bipolyarni tranzistori z bilshosti galuzej elektroniki dzherelo Ponad 100 mln tranzistoriv u procesori komp yutera ye polovimi tranzistorami Voni vikoristovuyutsya takozh u mikroshemah yaki vhodyat do skladu bilshosti radioelektronnih priladiv mobilnih telefoniv televizoriv pralnih mashin holodilnikiv tosho Strimko rozvivayutsya galuzi zastosuvannya potuzhnih polovih tranzistoriv U silovij elektronici potuzhni polovi tranzistori uspishno zaminyuyut i vitisnyayut potuzhni bipolyarni tranzistori V pidsilyuvachah potuzhnosti zvukovih chastot klasu Hi Fi i Hi End potuzhni polovi tranzistori uspishno zaminyuyut potuzhni elektronni lampi oskilki mayut mali nelinijni i dinamichni Div takozhKMON MDN tranzistor Bipolyarnij tranzistor Tranzistor iz plavnim zatvorom Startovij lancyugPrimitkiCej termin ustoyavsya v literaturi hocha ye zapozichennyam z rosijskoyi movi Vidpovidni ukrayinski termini mogli b buti zasuvka zaslin zamok DzherelaYakimaha A L Mikromoshnye invertory na MDN tranzistorah Radiotehnika 1980 T 35 1 S 21 24 Yakimaha A L Berzin L F Triodnyj rezhim MDP tranzistorov Izv vuzov SSSR Priborostroenie 1978 T 21 11 S 101 103 Yakimaha A L Berzin L F Ekvivalentnaya shema p n p n struktury na komplementarnyh MDP tranzistorah Radiotehnika i elektronika 1979 T 24 9 S 1941 1943 LiteraturaNapivprovidnikovi priladi pidruchnik L D Vasilyeva B I Medvedenko Yu I Yakimenko K Kondor 2008 556 s ISBN 966 622 103 9 Tereshuk R M Tereshuk K M Sedov S A Poluprovodnikovye priemno usilitelnye ustrojstva K Naukova dumka 1988 S 183 191 ros Kobbold R Teoriya i primenenie polevyh tranzistorov Leningrad Energiya 1975 304 s Mala girnicha enciklopediya u 3 t za red V S Bileckogo D Donbas 2007 T 2 L R 670 s ISBN 57740 0828 2