Стартовий ланцюг (англ. bootstrap circuit) — частина електричної схеми, що забезпечує стабільний старт цієї схеми. У сучасній електронній схемотехніці термін часто застосовується до методу забезпечення повного відкривання польових МДН-транзисторів (англ. MOSFET) в імпульсних схемах.
Відкривання польових МДН-тразисторів
В імпульсних схемах, з низки причин, виникає необхідність у додаткових ланцюгах для відкривання польових МДН-транзисторів.
Рухливість основних носіїв заряду напівпровідника n-типу (електронів) більша ніж рухливість основних носіїв заряду напівпровідника p-типу (дірок). Тому напівпровідникові прилади з переважним використанням напівпровідника n-типу в своїй структурі здатні пропускати більшу густину струму ніж аналогічні за будовою прилади з переважанням напівпровідника p-типу. Через це, в силових (вихідних каскадах) (зі струмами більше 1 А) уникають застосування польових МДН-транзисторів з (каналом) p-типу. А це, в свою чергу, призводить до труднощів у схемах вихідних каскадів на зразок комплементарної пари (транзистор з каналом p-типу над транзистором з каналом n-типу).
У звичайному вихідному каскаді на основі комплементарної пари польових МДН-транзисторів обидва транзистори ввімкнені за схемою зі спільним (витоком). Якщо замінити верхній p-канальний транзистор n-канальним, то останній виявиться ввімкненим за схемою зі спільним (стоком). Така схема має декілька суттєвих недоліків.
По-перше, транзистор у цьому режимі працює як повторювач напруги — напруга на навантаженні буде менша за напругу живлення схеми на величину порогової напруги відкривання транзистора
По-друге, транзистор не відкриється повністю (не перейде в режим насичення), його опір буде суттєвим, що призведе до виділення на транзисторі значної паразитної потужності. Це не дозволить досягти високої ефективності.
Однак в імпульсних схемах ці проблеми вирішуються порівняно легко завдяки використанню стартового ланцюга, що має в своєму складі конденсатор (зазвичай невеликої ємності, 100 пФ..1 мкФ). Доки транзистор закритий спеціальна схема заряджає конденсатор, а коли потрібно відкрити транзистор — підключає цей конденсатор до (затвора) транзистора так, що напруга на затворі перевищує напругу живлення схеми і транзистор швидко переходить у режим насичення і може перебувати в такому стані деякий час за рахунок власної ємності затвору.
Такий підхід широко застосовується. Наприклад, у схемі драйвера DRV104 або ADP3418.
Ця стаття не містить . (червень 2014) |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Startovij lancyug angl bootstrap circuit chastina elektrichnoyi shemi sho zabezpechuye stabilnij start ciyeyi shemi U suchasnij elektronnij shemotehnici termin chasto zastosovuyetsya do metodu zabezpechennya povnogo vidkrivannya polovih MDN tranzistoriv angl MOSFET v impulsnih shemah Vidkrivannya polovih MDN trazistorivV impulsnih shemah z nizki prichin vinikaye neobhidnist u dodatkovih lancyugah dlya vidkrivannya polovih MDN tranzistoriv Ruhlivist osnovnih nosiyiv zaryadu napivprovidnika n tipu elektroniv bilsha nizh ruhlivist osnovnih nosiyiv zaryadu napivprovidnika p tipu dirok Tomu napivprovidnikovi priladi z perevazhnim vikoristannyam napivprovidnika n tipu v svoyij strukturi zdatni propuskati bilshu gustinu strumu nizh analogichni za budovoyu priladi z perevazhannyam napivprovidnika p tipu Cherez ce v silovih vihidnih kaskadah zi strumami bilshe 1 A unikayut zastosuvannya polovih MDN tranzistoriv z kanalom p tipu A ce v svoyu chergu prizvodit do trudnoshiv u shemah vihidnih kaskadiv na zrazok komplementarnoyi pari tranzistor z kanalom p tipu nad tranzistorom z kanalom n tipu U zvichajnomu vihidnomu kaskadi na osnovi komplementarnoyi pari polovih MDN tranzistoriv obidva tranzistori vvimkneni za shemoyu zi spilnim vitokom Yaksho zaminiti verhnij p kanalnij tranzistor n kanalnim to ostannij viyavitsya vvimknenim za shemoyu zi spilnim stokom Taka shema maye dekilka suttyevih nedolikiv Vikoristannya startovogo lancyuga na osnovi mikroshemi ADP3418 Po pershe tranzistor u comu rezhimi pracyuye yak povtoryuvach naprugi napruga na navantazhenni Uload displaystyle U load bude mensha za naprugu zhivlennya shemi Us displaystyle U s na velichinu porogovoyi naprugi vidkrivannya tranzistora Uth displaystyle U th Uload Us Uth displaystyle U load U s U th Po druge tranzistor ne vidkriyetsya povnistyu ne perejde v rezhim nasichennya jogo opir bude suttyevim sho prizvede do vidilennya na tranzistori znachnoyi parazitnoyi potuzhnosti Ce ne dozvolit dosyagti visokoyi efektivnosti Odnak v impulsnih shemah ci problemi virishuyutsya porivnyano legko zavdyaki vikoristannyu startovogo lancyuga sho maye v svoyemu skladi kondensator zazvichaj nevelikoyi yemnosti 100 pF 1 mkF Doki tranzistor zakritij specialna shema zaryadzhaye kondensator a koli potribno vidkriti tranzistor pidklyuchaye cej kondensator do zatvora tranzistora tak sho napruga na zatvori perevishuye naprugu zhivlennya shemi i tranzistor shvidko perehodit u rezhim nasichennya i mozhe perebuvati v takomu stani deyakij chas za rahunok vlasnoyi yemnosti zatvoru Takij pidhid shiroko zastosovuyetsya Napriklad u shemi drajvera DRV104 abo ADP3418 Cya stattya ne mistit posilan na dzherela Vi mozhete dopomogti polipshiti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno cherven 2014