Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Са Чжітан англ Chih Tang Tom Sah кит 萨支唐 нар листопад 1932 Пекіні Китай Сьогодні почесний член відділення електричної та

Са Чін-Танг

Са Чжітан (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. 萨支唐, нар. листопад 1932, Пекіні, Китай). Сьогодні почесний член відділення електричної та комп'ютерної інженерії Університету Флориди.

Са Чжітан
Народився1932(1932)
Пекін, Китай
Місце проживанняСША, Китай
КраїнаАмериканське
Діяльністьcondensed matter physicist, викладач університету, інженер-електрик
Alma materСтенфордський університет (1956)[1]
Університет Іллінойсу в Урбана-Шампейн (1953)
ГалузьФізика
ЗакладСтенфордський університет
Іллінойський університет
Науковий ступіньдоктор філософії
Науковий керівникd[1]
ЧленствоАмериканське фізичне товариство
Китайська академія наук
Академія Сініка
Національна інженерна академія США
Відомий завдяки:
Рідd
Батькоd
Нагороди

d (1981)

член Американського фізичного товариства[d]

d (2010)

d (1989)

Знайшов популярність в фізиці та техніці відомою при розгляді стандартних МДН-транзисторів, опублікованою в 1964 році. Суть полягає у спрощенні розгляду режиму сильної інверсії на поверхні напівпровідника, що виникає внаслідок ефекту поля і дозволяє отримати аналітичний розв'язок для вольт-амперних характеристик (ВАХ) МДН-транзисторів. В свою чергу це дозволило осмислено використовувати МДН-транзистори в техніці, бурхливий розвиток якої в 70-ті роки привів до розробки НВІС (надвеликих інтегральних схем), що широко використовуються навіть сьогодні при виробництві мікропроцесорів.

Нагороди

Ця стаття містить неукраїнськомовний текст, який слід вилучити або українською. Розміщення у статті неукраїнськомовного тексту є грубим порушенням української Вікіпедії. Будь ласка, допоможіть це виправити.
  • 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
  • 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
  • 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
  • 2000 — Вибраний в Китайську Академію Наук
  • 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
  • 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
  • 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
  • 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
  • 1995 — IEEE Life Fellow
  • 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
  • 1989 — IEEE Jack Morton Award
  • 1986 — Вибраний в Американську національну Академію Інженерів
  • 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
  • 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
  • 1971 — Член Американського Фізичного Товариства
  • 1969 — Член Американського Інституту з Електрики та Електронної Інженерії (IEEE)
  • 1000 World's Most Cited Scientists, 1865—1978, Інститут наукової інформації

Література

Виноски

  1. Математичний генеалогічний проєкт — 1997.
    d:Track:Q829984
  2. . Архів оригіналу за 12 листопада 2007. Процитовано 25 квітня 2008.
  3. C.T.Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
  4. Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.

Патенти

  • 3,204,160 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, August 1965
  • 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
  • 3,243,669 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, March 1969
  • Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
  • 4,343,962 — Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Дата публікації:
Sa Chzhitan angl Chih Tang Tom Sah kit 萨支唐 nar listopad 1932 Pekini Kitaj Sogodni pochesnij chlen viddilennya elektrichnoyi ta komp yuternoyi inzheneriyi Universitetu Floridi Sa ChzhitanNarodivsya1932 1932 Pekin KitajMisce prozhivannyaSShA KitajKrayinaAmerikanskeDiyalnistcondensed matter physicist vikladach universitetu inzhener elektrikAlma materStenfordskij universitet 1956 1 Universitet Illinojsu v Urbana Shampejn 1953 GaluzFizikaZakladStenfordskij universitet Illinojskij universitetNaukovij stupindoktor filosofiyiNaukovij kerivnikd 1 ChlenstvoAmerikanske fizichne tovaristvo Kitajska akademiya nauk Akademiya Sinika Nacionalna inzhenerna akademiya SShAVidomij zavdyaki NadreshitkiRiddBatkodNagorodid 1981 chlen Amerikanskogo fizichnogo tovaristva d d 2010 d 1989 Znajshov populyarnist v fizici ta tehnici vidomoyu pri rozglyadi standartnih MDN tranzistoriv opublikovanoyu v 1964 roci Sut polyagaye u sproshenni rozglyadu rezhimu silnoyi inversiyi na poverhni napivprovidnika sho vinikaye vnaslidok efektu polya i dozvolyaye otrimati analitichnij rozv yazok dlya volt ampernih harakteristik VAH MDN tranzistoriv V svoyu chergu ce dozvolilo osmisleno vikoristovuvati MDN tranzistori v tehnici burhlivij rozvitok yakoyi v 70 ti roki priviv do rozrobki NVIS nadvelikih integralnih shem sho shiroko vikoristovuyutsya navit sogodni pri virobnictvi mikroprocesoriv NagorodiCya stattya mistit neukrayinskomovnij tekst yakij slid viluchiti abo pereklasti ukrayinskoyu Rozmishennya u statti neukrayinskomovnogo tekstu ye grubim porushennyam movnogo stilovogo pravila ukrayinskoyi Vikipediyi Bud laska dopomozhit ce vipraviti 2004 Honorary Doctorate National Chao Tung University 2003 Distinguished Lifetime Achievement Award Chinese Institute of Engineers USA 2002 Committee 100 Pioneer Recognition Award 2000 Vibranij v Kitajsku Akademiyu Nauk 1999 Academician Academia Sinica of China in Taiwan 1999 Semiconductor Industry Association University Research Award 1998 University Research Award U S Semiconductor Industry Association 1995 Fellow American Association of Advanced of Science 1995 IEEE Life Fellow 1994 Alumni Achievement Award University of Illinois 1989 IEEE Jack Morton Award 1986 Vibranij v Amerikansku nacionalnu Akademiyu Inzheneriv 1981 J J Ebers Award IEEE Electron Device Society 1975 Doctoris Honoris Causa K U Leuven 1971 Chlen Amerikanskogo Fizichnogo Tovaristva 1969 Chlen Amerikanskogo Institutu z Elektriki ta Elektronnoyi Inzheneriyi IEEE 1000 World s Most Cited Scientists 1865 1978 Institut naukovoyi informaciyiLiteraturaVinoskiMatematichnij genealogichnij proyekt 1997 d Track Q829984 Arhiv originalu za 12 listopada 2007 Procitovano 25 kvitnya 2008 C T Sah IEEE Trans Electron Devices ED 11 324 1964 Accuracy of Long Wide Channel Thick Base MOS Transistor Models B B Jie and Chih Tang Sah IEEE Transactions on Electron Devices vol 54 no 8 August 2007 Patenti3 204 160 Surface Potential Controlled Semiconductor Device August 1965 3 280 391 High Frequency Transistor October 1966 3 243 669 Surface Potential Controlled Semiconductor Device March 1969 Patent Pending DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors with A Neugroschel 4 343 962 Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell with J G Fossum S C Pao F A Lindholm 1982
Топ