Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Ві льям Бре дфорд Шо клі англ William B Shockley 13 лютого 1910 Лондон 12 серпня 1989 фізик дослідник напівпровідників і

Вільям Бредфорд Шоклі

Ві́льям Бре́дфорд Шо́клі (англ. William B. Shockley; 13 лютого 1910, Лондон — 12 серпня 1989) — фізик, дослідник напівпровідників і транзисторів.

Вільям Бредфорд Шоклі
англ. William Bradford Shockley
image
Вільям Шоклі
Вільям Шоклі
Народився 13 лютого 1910(1910-02-13)[1][2][…]
Лондон, Сполучене Королівство[4]
Помер 12 серпня 1989(1989-08-12)[1][2][…] (79 років)
Стенфорд, Санта-Клара, Каліфорнія, США
·рак простати
Поховання Альта-Меса
Країна image США
Національність американець
Діяльність фізик, винахідник, викладач університету
Alma mater Каліфорнійський технологічний інститут, Массачусетський технологічний інститут
Галузь фізика напівпровідників
Заклад Bell Labs, Стенфордський університет
Науковий ступінь d
Науковий керівник
Членство Національна академія наук США
Американська академія мистецтв і наук
Американське фізичне товариство[5]
Партія Республіканська партія США
Відомий завдяки: відкриття транзистора
Батько d[6]
У шлюбі з d
d
Нагороди
image Вільям Бредфорд Шоклі у Вікісховищі

Біографічні відомості

Вільям Шоклі народився 13 лютого 1910 року в Лондоні, Велика Британія. Його батько Вільям Гілман Шоклі був гірничим інженером з Массачусетсу, а його дружина, Мері (уродженка Бредфорда) була заступником маркшейдера у Неваді.

Родина повернулася в Сполучені Штати в 1913 році, і Вільям-молодший у 1932 році одержав диплом бакалавра в Інституті технологій штату Каліфорнія. В Інституті технологій штату Массачусетс він навчався під керівництвом професора Джона Слейтера і захистив докторську роботу в 1936 році на тему «Енергетична зонна структура хлориду натрію». У тому ж році Шоклі влаштувався до Bell Telephone Laboratories, працюючи в групі, яку очолював доктор С.Дж. Девісон і проробив там (з короткою перервою під час війни) до 1955 року. Він пішов зі своєї посади директора відділу фізики транзисторів, щоб стати директором Shockley Semi-conductor Laboratory в корпорації Beckman Instruments, Inc., розташованої в Маунтін-В'ю, штат Каліфорнія. Там він зайнявся дослідженням і розробкою нових транзисторів та інших напівпровідникових пристроїв. У 1963 році був рекомендований Олександром М. Понятовим, професором машинобудування в Стенфордському університеті, де Шоклі став професором машинобудування та прикладних наук.

Під час Другої світової війни Шоклі був директором дослідницької групи, яка займалася питаннями боротьби з підводними човнами, а потім служив експертом при військовому міністрі (Secretary of War). Двічі читав лекції: у 1946 році в Принстонському університеті, та у 1954 році в Каліфорнійському інституті технологій. Один рік (1954–1955) він працював заступником директора та керівника досліджень Weapons System Evaluation Group у Департаменті оборони.

Був двічі одружений. Мав трьох дітей від першого шлюбу з Джин (уроджена Бейлі). Але цей шлюб розпався, і його другою дружиною стала Еммі Ленінг.

Помер 12 серпня 1989 року.

Дослідження

image
Бардін, Шоклі та Бреттейн в лабораторії. Рекламне фото 1948 року. До цього часу відносини Шоклі та Бардіна були безповоротно зіпсовані

Дослідження Шоклі були спрямовані на вивчення: енергетичних зон твердих тіл, упорядкування та розпорядкування в сплавах, теорії (ламп), міді, теорії дислокації, експериментів і теорії феромагнетних доменів, експериментів з фотоелектронами в хлориді срібла, різних напрямків у фізиці транзисторів і дослідження операції із залежності зарплати і продуктивності праці в дослідницьких лабораторіях.

Із 1936 року до початку війни займався проблемою практичної реалізації МДН-транзистора на поверхні германію, управляючий електрод якого розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч ефект поля і підтвердився експериментально проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. До речі, і після війни він продовжував дану тематику уже як керівник, в розпорядженні якого були Джон Бардін та Волтер Браттейн, які в той час займалися тривіальною справою вимірювання поверхневої провідності германію чотиризондовим методом. Під час одного із вимірювань і був відкритий так званий транзисторний, або біполярний ефект. За розробку теорії цього ефекту шляхом формального введення квазіпотенціалів Фермі для умови статичної квазірівноваги йому була присуджена Нобелівська премія з фізики.

Відзнаки і нагороди

Його роботи були відзначені багатьма нагородами. Шоклі був нагороджений медаллю за заслуги в 1946 році за роботу в департаменті війни, премією Морріса Лайбмана Інститутом Радіоконструкторів у 1952 році, а в наступному році премією Олівера Баклі у фізиці твердого тіла від Американського фізичного товариства, а роком пізніше — премія Сайруса Комстока від Національної академії наук. І найбільше визнання — Нобелівська премія з фізики, була вручена йому в 1956 році разом із двома колишніми колегами з Bell Telephone Laboratories, Джоном Бардіном і Волтером Браттейном.

У 1963 році він отримав медаль Голі від Американського товариства інженерів-механіків. Також доктор Шоклі з 1951 року був членом Наукової консультативної групи армії США, а з 1958 року — працював у Науковому консультативному комітеті військово-повітряних сил США. У 1962 році його було призначено до Наукового консультативного комітету при Президенті США. Також Шоклі отримав почесний ступінь доктора наук від Університету Пенсільванії, Університету Ратгерс і (Міннесота). Крім численних статей в наукових і технічних журналах Шоклі написав «Електрони в напівпровідниках р-типу» (1950) і редагував «Дефекти майже ідеальних кристалів» (1952). Також за свої винаходи він отримав понад 50 патентів у США.

Патенти Шоклі

Шоклі отриав понад 90 патентів США. Деякі відомі є:

  • US Patent #2502488 Semiconductor Amplifier. Applied for on Sept. 24, 1948; Його перший напівпровідниковий транзистор.
  • US patent #2655609 Bistable Circuits. Applied for on July 22 1952; Використовувався в комп'ютерах.
  • US patent #2787564 Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment. Applied for on Oct. 28, 1954; Дифузійний процес для імплантації домішок.
  • US patent #3031275 Process for Growing Single Crystals. Applied for on Feb. 20, 1959; Покрашення технології виробництва основних напівпровідникових матеріалів.
  • US patent #3053635 Method of Growing Silicon Carbide Crystals. Applied for on Sept. 26, 1960; Використання інших напівпровідників, а не тільки германію.

Праці Шоклі

  • Shockley, William — Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) .
  • Shockley, William — Mechanics Merrill (1966).
  • Shockley, William and Pearson, Roger — Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) .

Література

  • Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan. 2006.
  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton. 1997. pbk.
  • Айзексон, Волтер (2017). Інноватори: Як група хакерів, геніїв та ґіків здійснила цифрову революцію. Київ: Наш Формат. с. 488. ISBN .

Зноски

  1. Encyclopædia Britannica
    d:Track:Q5375741
  2. SNAC — 2010.
    d:Track:Q29861311
  3. Cooper D. Y. Shockley, William Bradford (13 February 1910–12 August 1989), physicist // American National Biography Online / S. Ware — [New York]: Oxford University Press, 2017. — ISSN 1470-6229 — doi:10.1093/ANB/9780198606697.ARTICLE.1302153
    d:Track:Q16983137d:Track:Q20824348d:Track:Q103879402
  4. Шокли Уильям Брэдфорд // Большая советская энциклопедия: [в 30 т.] / под ред. А. М. Прохоров — 3-е изд. — Москва: Советская энциклопедия, 1969.
    d:Track:Q649d:Track:Q17378135
  5. NNDB — 2002.
    d:Track:Q1373513
  6. Geni.com — 2006.
    d:Track:Q2621214

Посилання

Вікіцитати містять висловлювання від або про: Вільям Бредфорд Шоклі

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Дата публікації:
Vi lyam Bre dford Sho kli angl William B Shockley 13 lyutogo 1910 London 12 serpnya 1989 fizik doslidnik napivprovidnikiv i tranzistoriv Vilyam Bredford Shokliangl William Bradford ShockleyVilyam Shokli Vilyam ShokliNarodivsya 13 lyutogo 1910 1910 02 13 1 2 London Spoluchene Korolivstvo 4 Pomer 12 serpnya 1989 1989 08 12 1 2 79 rokiv Stenford Santa Klara Kaliforniya SShA rak prostatiPohovannya Alta MesaKrayina SShANacionalnist amerikanecDiyalnist fizik vinahidnik vikladach universitetuAlma mater Kalifornijskij tehnologichnij institut Massachusetskij tehnologichnij institutGaluz fizika napivprovidnikivZaklad Bell Labs Stenfordskij universitetNaukovij stupin dNaukovij kerivnikChlenstvo Nacionalna akademiya nauk SShA Amerikanska akademiya mistectv i nauk Amerikanske fizichne tovaristvo 5 Partiya Respublikanska partiya SShAVidomij zavdyaki vidkrittya tranzistoraBatko d 6 U shlyubi z d dNagorodi Premiya Olivera Bakli 1953 Medal poshani IEEE 1980 medal Vilgelma Eksnera 1963 Nacionalna zala slavi vinahidnikiv SShA 1974 premiya pam yati Morrisa Libmanna 1952 medal Golli 1963 chlen Amerikanskogo fizichnogo tovaristva d premiya Komstoka z fiziki 1953 Lyudina roku Vilyam Bredford Shokli u VikishovishiBiografichni vidomostiVilyam Shokli narodivsya 13 lyutogo 1910 roku v Londoni Velika Britaniya Jogo batko Vilyam Gilman Shokli buv girnichim inzhenerom z Massachusetsu a jogo druzhina Meri urodzhenka Bredforda bula zastupnikom markshejdera u Nevadi Rodina povernulasya v Spolucheni Shtati v 1913 roci i Vilyam molodshij u 1932 roci oderzhav diplom bakalavra v Instituti tehnologij shtatu Kaliforniya V Instituti tehnologij shtatu Massachusets vin navchavsya pid kerivnictvom profesora Dzhona Slejtera i zahistiv doktorsku robotu v 1936 roci na temu Energetichna zonna struktura hloridu natriyu U tomu zh roci Shokli vlashtuvavsya do Bell Telephone Laboratories pracyuyuchi v grupi yaku ocholyuvav doktor S Dzh Devison i prorobiv tam z korotkoyu perervoyu pid chas vijni do 1955 roku Vin pishov zi svoyeyi posadi direktora viddilu fiziki tranzistoriv shob stati direktorom Shockley Semi conductor Laboratory v korporaciyi Beckman Instruments Inc roztashovanoyi v Mauntin V yu shtat Kaliforniya Tam vin zajnyavsya doslidzhennyam i rozrobkoyu novih tranzistoriv ta inshih napivprovidnikovih pristroyiv U 1963 roci buv rekomendovanij Oleksandrom M Ponyatovim profesorom mashinobuduvannya v Stenfordskomu universiteti de Shokli stav profesorom mashinobuduvannya ta prikladnih nauk Pid chas Drugoyi svitovoyi vijni Shokli buv direktorom doslidnickoyi grupi yaka zajmalasya pitannyami borotbi z pidvodnimi chovnami a potim sluzhiv ekspertom pri vijskovomu ministri Secretary of War Dvichi chitav lekciyi u 1946 roci v Prinstonskomu universiteti ta u 1954 roci v Kalifornijskomu instituti tehnologij Odin rik 1954 1955 vin pracyuvav zastupnikom direktora ta kerivnika doslidzhen Weapons System Evaluation Group u Departamenti oboroni Buv dvichi odruzhenij Mav troh ditej vid pershogo shlyubu z Dzhin urodzhena Bejli Ale cej shlyub rozpavsya i jogo drugoyu druzhinoyu stala Emmi Lening Pomer 12 serpnya 1989 roku DoslidzhennyaBardin Shokli ta Brettejn v laboratoriyi Reklamne foto 1948 roku Do cogo chasu vidnosini Shokli ta Bardina buli bezpovorotno zipsovani Doslidzhennya Shokli buli spryamovani na vivchennya energetichnih zon tverdih til uporyadkuvannya ta rozporyadkuvannya v splavah teoriyi lamp midi teoriyi dislokaciyi eksperimentiv i teoriyi feromagnetnih domeniv eksperimentiv z fotoelektronami v hloridi sribla riznih napryamkiv u fizici tranzistoriv i doslidzhennya operaciyi iz zalezhnosti zarplati i produktivnosti praci v doslidnickih laboratoriyah Iz 1936 roku do pochatku vijni zajmavsya problemoyu praktichnoyi realizaciyi MDN tranzistora na poverhni germaniyu upravlyayuchij elektrod yakogo rozdilyavsya za dopomogoyu slyudyanoyi plastinki Hoch efekt polya i pidtverdivsya eksperimentalno prote do praktichnoyi realizaciyi sprava tak i ne dijshla Do rechi i pislya vijni vin prodovzhuvav danu tematiku uzhe yak kerivnik v rozporyadzhenni yakogo buli Dzhon Bardin ta Volter Brattejn yaki v toj chas zajmalisya trivialnoyu spravoyu vimiryuvannya poverhnevoyi providnosti germaniyu chotirizondovim metodom Pid chas odnogo iz vimiryuvan i buv vidkritij tak zvanij tranzistornij abo bipolyarnij efekt Za rozrobku teoriyi cogo efektu shlyahom formalnogo vvedennya kvazipotencialiv Fermi dlya umovi statichnoyi kvazirivnovagi jomu bula prisudzhena Nobelivska premiya z fiziki Vidznaki i nagorodiJogo roboti buli vidznacheni bagatma nagorodami Shokli buv nagorodzhenij medallyu za zaslugi v 1946 roci za robotu v departamenti vijni premiyeyu Morrisa Lajbmana Institutom Radiokonstruktoriv u 1952 roci a v nastupnomu roci premiyeyu Olivera Bakli u fizici tverdogo tila vid Amerikanskogo fizichnogo tovaristva a rokom piznishe premiya Sajrusa Komstoka vid Nacionalnoyi akademiyi nauk I najbilshe viznannya Nobelivska premiya z fiziki bula vruchena jomu v 1956 roci razom iz dvoma kolishnimi kolegami z Bell Telephone Laboratories Dzhonom Bardinom i Volterom Brattejnom U 1963 roci vin otrimav medal Goli vid Amerikanskogo tovaristva inzheneriv mehanikiv Takozh doktor Shokli z 1951 roku buv chlenom Naukovoyi konsultativnoyi grupi armiyi SShA a z 1958 roku pracyuvav u Naukovomu konsultativnomu komiteti vijskovo povitryanih sil SShA U 1962 roci jogo bulo priznacheno do Naukovogo konsultativnogo komitetu pri Prezidenti SShA Takozh Shokli otrimav pochesnij stupin doktora nauk vid Universitetu Pensilvaniyi Universitetu Ratgers i Minnesota Krim chislennih statej v naukovih i tehnichnih zhurnalah Shokli napisav Elektroni v napivprovidnikah r tipu 1950 i redaguvav Defekti majzhe idealnih kristaliv 1952 Takozh za svoyi vinahodi vin otrimav ponad 50 patentiv u SShA Patenti ShokliShokli otriav ponad 90 patentiv SShA Deyaki vidomi ye US Patent 2502488 Semiconductor Amplifier Applied for on Sept 24 1948 Jogo pershij napivprovidnikovij tranzistor US patent 2655609 Bistable Circuits Applied for on July 22 1952 Vikoristovuvavsya v komp yuterah US patent 2787564 Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment Applied for on Oct 28 1954 Difuzijnij proces dlya implantaciyi domishok US patent 3031275 Process for Growing Single Crystals Applied for on Feb 20 1959 Pokrashennya tehnologiyi virobnictva osnovnih napivprovidnikovih materialiv US patent 3053635 Method of Growing Silicon Carbide Crystals Applied for on Sept 26 1960 Vikoristannya inshih napivprovidnikiv a ne tilki germaniyu Praci ShokliShockley William Electrons and holes in semiconductors with applications to transistor electronics Krieger 1956 ISBN 0 88275 382 7 Shockley William Mechanics Merrill 1966 Shockley William and Pearson Roger Shockley on Eugenics and Race The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott Townsend 1992 ISBN 1 878465 03 1 LiteraturaJoel N Shurkin Broken Genius The Rise and Fall of William Shockley Creator of the Electronic Age New York Palgrave Macmillan 2006 ISBN 1 4039 8815 3 Michael Riordan and Lillian Hoddeson Crystal Fire The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age New York Norton 1997 ISBN 0 393 31851 6 pbk Ajzekson Volter 2017 Innovatori Yak grupa hakeriv geniyiv ta gikiv zdijsnila cifrovu revolyuciyu Kiyiv Nash Format s 488 ISBN 978 617 7279 81 4 ZnoskiEncyclopaedia Britannica d Track Q5375741 SNAC 2010 d Track Q29861311 Cooper D Y Shockley William Bradford 13 February 1910 12 August 1989 physicist American National Biography Online S Ware New York Oxford University Press 2017 ISSN 1470 6229 doi 10 1093 ANB 9780198606697 ARTICLE 1302153 d Track Q16983137d Track Q20824348d Track Q103879402 Shokli Uilyam Bredford Bolshaya sovetskaya enciklopediya v 30 t pod red A M Prohorov 3 e izd Moskva Sovetskaya enciklopediya 1969 d Track Q649d Track Q17378135 NNDB 2002 d Track Q1373513 Geni com 2006 d Track Q2621214PosilannyaVikicitati mistyat vislovlyuvannya vid abo pro Vilyam Bredford Shokli Vilyam Bredford Shokli 27 veresnya 2007 u Wayback Machine Nacionalna Akademiya Nauk Biografiya 22 travnya 2013 u Wayback Machine Biografiya nobelivskogo laureatu 3 serpnya 2004 u Wayback Machine Biografiya Shokli PBS 29 bereznya 2018 u Wayback Machine Time Magazine 100 Biography of William Shockley 11 chervnya 2007 u Wayback Machine Interv yu z V Shokli 21 zhovtnya 2007 u Wayback Machine Nobelivska lekciya 6 travnya 2017 u Wayback Machine Istoriya vidkrittya tranzistora 2 sichnya 2018 u Wayback Machine Shockley and Bardeen Brattain patent disputes 27 travnya 2007 u Wayback Machine Series of Slate com Articles on the controversial sperm bank 30 travnya 2007 u Wayback Machine The genius factory 11 veresnya 2005 u Wayback Machine William Shockley vs Francis Cress Welsing Tony Brown Show 1974 4 chervnya 2007 u Wayback Machine buv organizovanij vikoristovuyuchi im ya kompaniyi v chest V Shokli ta tih hto pershij rozrobiv tehnologiyu obrobki kremniyu v Silikonovij Dolini CBC Radio s Quirks and Quarks from June 24 2006 Vilyam Bredford Shokli tvori u biblioteci WorldCat katalog
Топ