Azərbaycanca
Dansk
Deutsch
Española
Français
Italiana
Қазақ
Lietuvos
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай — 13 жовтня 1987, Сіетл) — американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном).
 Волтер Браттейн | |
|---|---|
| англ. Walter Houser Brattain | |
 | |
| Народився | 10 лютого 1902[1][2][…] Сямень, d, Династія Цін |
| Помер | 13 жовтня 1987[1][2][…] (85 років) Сіетл, США ·хвороба Альцгеймера |
| Країна |  США |
| Діяльність | фізик, винахідник |
| Alma mater | [en] Орегонський університет Міннесотський університет |
| Галузь | фізика |
| Заклад | d |
| Науковий керівник | d |
| Членство | Національна академія наук США Американська академія мистецтв і наук AAAS[4] Американське фізичне товариство[4] |
| Відомий завдяки: | винахід транзистора |
| Батько | d[5] |
| Брати, сестри | d |
| У шлюбі з | d d |
| Нагороди | |
 Волтер Гаузер Браттейн у Вікісховищі | |
Біографія
Волтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла.
У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла.
У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті.
Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.
Наукова діяльність
Браттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході.
У 1952 році доктор Браттейн здобув ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті.
У 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту».
Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства.
Нагороди
- Медаль Стюарта Балантина, від інституту Франкліна, 1952 рік.
- Медаль Джона Скотта, 1954 рік.
- Нобелівська премія з фізики, 1956 рік.
Література
- Айзексон, Волтер (2017). Інноватори: Як група хакерів, геніїв та ґіків здійснила цифрову революцію. Київ: Наш Формат. с. 488. ISBN .
- Храмов Ю. А. Браттейн Волтер // Физики: Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и дополн. — М.: Наука, 1983. — С. 44. — 400 с.
Примітки
- Encyclopædia Britannica
- SNAC — 2010.
- Енциклопедія Брокгауз
- NNDB — 2002.
- Geni.com — 2006.
- www.findagrave.com (англ.). Архів оригіналу за 10 лютого 2022. Процитовано 10 лютого 2022.
- . NobelPrize.org (амер.). Архів оригіналу за 1 лютого 2018. Процитовано 10 лютого 2022.
Посилання
- Інформація із сайту Нобелівського комітету [ 20 червня 2006 у Wayback Machine.] (англ.)
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет