Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Пре́мія Ні́ка Голоня́ка (англ. Nick Holonyak, Jr. Award) — наукова нагорода від Оптичного товариства (OSA). Вручається за видатні досягнення в галузі оптики з використанням напівпровідникових пристроїв і матеріалів.
| Премія Ніка Голоняка | ||||
| Країна |  США | |||
|---|---|---|---|---|
| Тип | наукова нагорода | |||
| Вручає: | Оптичне товариство (OSA) | |||
| Підстава | За значний внесок в оптику на основі оптичних напівпровідникових пристроїв і матеріалів, у тому числі у фундаментальних наукових і технологічних застосуваннях | |||
| Статус | вручається | |||
| На честь: | Нік Голоняк | |||
| Нагородження | ||||
| Засновано: | 1997 | |||
| Перше: | 1998 | |||
| Нагороджені: | ||||
| Черговість | ||||
| Сайт | Офіційна сторінка | |||
Названа на честь американського науковця-фізика і винахідника Ніка Голоняка, який зробив видатний внесок у галузь оптики завдяки розробці напівпровідникових світловипромінювальних діодів та напівпровідникових лазерів.
Премія заснована у 1997 році. Нагородження проводиться з 1998 року. Нагородою відзначені два лауреати Нобелівської премії.
Лауреати
| Рік | Лауреат | Обґрунтування нагороди |
|---|---|---|
| 1998 | [en] | За його новаторський внесок і лідерство в дослідженнях та розробці світлодіодних (LED) матеріалів і пристроїв видимої довжини хвилі, включно з першим жовтим світлодіодом і високояскравими червоно-помаранчево-жовтими світлодіодами InAlGaP, котрі за продуктивністю перевершують лампи розжарювання Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp» |
| 1999 | Денніс Деппе (англ. Dennis G. Deppe) | За розробку лазера поверхневого випромінювання з вертикальним оксидо-обмеженим резонатором Оригінальний текст (англ.) «For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser» |
| 2000 |  Жорес Іванович Алфьоров | За оригінальні дослідження гетероструктурних інжекційних лазерів і безперервних напівпровідникових лазерів кімнатної температури Оригінальний текст (англ.) «For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers» |
| 2001 | Накамура Сюдзі | За оригінальну демонстрацію та комерціалізацію напівпровідникових лазерів і світлодіодів на основі GaN Оригінальний текст (англ.) «For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs» |
| 2002 | Паллаб Бхаттачарія (англ. Pallab K. Bhattacharya) | За фундаментальний внесок у розробку та розуміння квантово-точкових лазерів та інших фотонних пристроїв з квантовим обмеженням Оригінальний текст (англ.) «For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices» |
| 2003 | Джо Сарлз Кемпбелл (англ. Joe Charles Campbell) | За внесок у розробку високошвидкісних лавинних фотодіодів з низьким рівнем шуму Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes» |
| 2004 | За оригінальний і новаторський внесок у фізику та технологію напівпровідникових лазерів, починаючи з гомопереходів, закінчуючи гетероструктурами InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb і включно з квантово-точковими структурами з ультранизьким порогом Оригінальний текст (англ.) «For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures» | |
| 2005 | Пол Деніел Дапкус (англ. P. Daniel Dapkus) | За основоположний внесок у розробку металоорганічного хімічного осадження з парової фази та його застосування в лазерних пристроях з квантовою ямою Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices» |
| 2006 | [en] | За внесок у розробку напівпровідникових лазерів із квантовими ямами та напруженими шарами завдяки інноваційним методам епітаксійного зростання та новим конструкціям пристроїв Оригінальний текст (англ.) «For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs» |
| 2007 | [en] | За внесок в розвиток керування діодними лазерами: масиви поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором, блокування інжекції та повільне світло Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light» |
| 2008 | Kam Yin Lau | За основоположний внесок у високошвидкісну пряму модуляцію напівпровідникових лазерів завдяки покращенню диференціального оптичного підсилення Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain» |
| 2009 | [en] | Для фундаментальні і технологічні досягнення в активних гібридних кремнієвих фотонних пристроях, включаючи лазери, модулятори, підсилювачі та кремнієві активні фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) «For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits» |
| 2010 | Двн Ботез (англ. Dan Botez) | За фундаментальний внесок у створення потужних напівпровідникових лазерів, включаючи активні фотонно-кристалічні структури для створення високої когерентної потужності; однопелюсткові лазери з розподіленим зворотним зв'язком; та потужні високоефективні джерела на основі безалюмінієвої технології Оригінальний текст (англ.) «For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology» |
| 2011 | [en] | За основоположний внесок у лазери на квантових точках і нанофотонні пристрої Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices» |
| 2012 | Кент Чокетт (англ. Kent D. Choquette) | За внесок у розробку поверхнево-випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers» |
| 2013 | Алессандро Тредікуччі (італ. Alessandro Tredicucci) | За демонстрацію терагерцового квантово-каскадного пристрою, першого компактного інжекційного лазера в далекому інфрачервоному діапазоні Оригінальний текст (англ.) «For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared» |
| 2014 |  [en] | За відкриття ефективних тонкоплівкових органічних світловипромінюючих діодів (OLED), що призвело до створення нових дисплеїв і освітлювальних приладів Оригінальний текст (англ.) «For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products» |
| 2015 | Цін Ху (англ. Qing Hu) | За його піонерський внесок у високоефективні ТГц квантово-каскадні лазери та їх застосування у візуалізації та зондуванні Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing» |
| 2016 | [en] | За новаторські та постійні внески в оптоелектронні пристрої з квантовими ямами, квантовими точками та нанодротами та їх інтеграцію Оригінальний текст (англ.) «For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration» |
| 2017 | Ларрі Колдрен (англ. Larry A. Coldren) | За великий внесок у фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) «For major contributions to photonic integrated circuits» |
| 2018 | [de] | За фундаментальні відкриття щодо росту та фізики напівпровідникових наноструктур, які ведуть до нових нанофотонних пристроїв для інформатики та комунікацій Оригінальний текст (англ.) «For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications» |
| 2019 | Фуміо Кояма (англ. Fumio Koyama) | За фундаментальний внесок у фотоніку та інтеграцію VCSEL (Vertical-cavity surface-emitting lasers — поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором) Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to VCSEL photonics and integration» |
| 2020 | [en] | За значний внесок у гетероепітаксію складних напівпровідників на кремнії для майбутніх інтегрованих лазерів і розвиток галузі світлодіодних мікродисплеїв Оригінальний текст (англ.) «For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays» |
| 2021 | [en] | За широкий внесок у розробку та застосування III—V напівпровідникових пристроїв, особливо включаючи мікросвітлодіоди на нітриді галію та напівпровідникові лазери з оптичним накачуванням Оригінальний текст (англ.) «For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers» |
| 2022 | Маршалл Натан (англ. Marshall I. Nathan) | За новаторську роботу у створенні діодних лазерів на основі GaAs та винахідницький внесок у складні напівпровідники та лазерну фізику Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics» |
Примітки
- Nick Holonyak, Jr. Award
- . Архів оригіналу за 20 лютого 2017. Процитовано 19 липня 2015.
- Hu is selected for OSA 2015 Nick Holonyak Jr. Award | MIT EECS. оригіналу за 8 вересня 2015. Процитовано 19 липня 2015.
- Editor - Peter G. Eliseev | University of New Mexico (UNM) | 13972. оригіналу за 4 березня 2016. Процитовано 19 липня 2015.
Посилання
- Сайт премії
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Pre miya Ni ka Golonya ka angl Nick Holonyak Jr Award naukova nagoroda vid Optichnogo tovaristva OSA Vruchayetsya za vidatni dosyagnennya v galuzi optiki z vikoristannyam napivprovidnikovih pristroyiv i materialiv Premiya Nika Golonyaka Krayina SShATip naukova nagorodaVruchaye Optichne tovaristvo OSA Pidstava Za znachnij vnesok v optiku na osnovi optichnih napivprovidnikovih pristroyiv i materialiv u tomu chisli u fundamentalnih naukovih i tehnologichnih zastosuvannyahStatus vruchayetsya Na chest Nik Golonyak Nagorodzhennya Zasnovano 1997Pershe 1998Nagorodzheni Chergovist Sajt Oficijna storinka Nik Golonyak batko svitlodiodiv Nazvana na chest amerikanskogo naukovcya fizika i vinahidnika Nika Golonyaka yakij zrobiv vidatnij vnesok u galuz optiki zavdyaki rozrobci napivprovidnikovih svitloviprominyuvalnih diodiv ta napivprovidnikovih lazeriv Premiya zasnovana u 1997 roci Nagorodzhennya provoditsya z 1998 roku Nagorodoyu vidznacheni dva laureati Nobelivskoyi premiyi LaureatiRik Laureat Obgruntuvannya nagorodi 1998 en Za jogo novatorskij vnesok i liderstvo v doslidzhennyah ta rozrobci svitlodiodnih LED materialiv i pristroyiv vidimoyi dovzhini hvili vklyuchno z pershim zhovtim svitlodiodom i visokoyaskravimi chervono pomaranchevo zhovtimi svitlodiodami InAlGaP kotri za produktivnistyu perevershuyut lampi rozzharyuvannya Originalnij tekst angl For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible wavelength light emitting diode LED materials and devices including the first yellow LED and high brightness red orange yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp 1999 Dennis Deppe angl Dennis G Deppe Za rozrobku lazera poverhnevogo viprominyuvannya z vertikalnim oksido obmezhenim rezonatorom Originalnij tekst angl For the development of the oxide confined vertical cavity surface emitting laser 2000 Zhores Ivanovich Alforov Za originalni doslidzhennya geterostrukturnih inzhekcijnih lazeriv i bezperervnih napivprovidnikovih lazeriv kimnatnoyi temperaturi Originalnij tekst angl For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers 2001 Nakamura Syudzi Za originalnu demonstraciyu ta komercializaciyu napivprovidnikovih lazeriv i svitlodiodiv na osnovi GaN Originalnij tekst angl For original demonstration and commercialization of GaN based semiconductor lasers and LEDs 2002 Pallab Bhattachariya angl Pallab K Bhattacharya Za fundamentalnij vnesok u rozrobku ta rozuminnya kvantovo tochkovih lazeriv ta inshih fotonnih pristroyiv z kvantovim obmezhennyamOriginalnij tekst angl For fundamental contributions to the development and understanding of quantum dot lasers and other quantum confined photonic devices 2003 Dzho Sarlz Kempbell angl Joe Charles Campbell Za vnesok u rozrobku visokoshvidkisnih lavinnih fotodiodiv z nizkim rivnem shumu Originalnij tekst angl For contributions to the development of high speed low noise avalanche photodiodes 2004 Za originalnij i novatorskij vnesok u fiziku ta tehnologiyu napivprovidnikovih lazeriv pochinayuchi z gomoperehodiv zakinchuyuchi geterostrukturami InGaAsP InP InGaAsSb GaSb i vklyuchno z kvantovo tochkovimi strukturami z ultranizkim porogom Originalnij tekst angl For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers beginning with homojunctions progressing to heterostructures of InGaAsP InP InGaAsSb GaSb and including ultra low threshold quantum dot structures 2005 Pol Deniel Dapkus angl P Daniel Dapkus Za osnovopolozhnij vnesok u rozrobku metaloorganichnogo himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi ta jogo zastosuvannya v lazernih pristroyah z kvantovoyu yamoyu Originalnij tekst angl For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices 2006 en Za vnesok u rozrobku napivprovidnikovih lazeriv iz kvantovimi yamami ta napruzhenimi sharami zavdyaki innovacijnim metodam epitaksijnogo zrostannya ta novim konstrukciyam pristroyiv Originalnij tekst angl For a career of contributions to quantum well and strained layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs 2007 en Za vnesok v rozvitok keruvannya diodnimi lazerami masivi poverhnevo viprominyuyuchih lazeriv z vertikalnim rezonatorom blokuvannya inzhekciyi ta povilne svitlo Originalnij tekst angl For contributions to the control of diode lasers vertical cavity surface emitting laser arrays injection locking and slow light 2008 Kam Yin Lau Za osnovopolozhnij vnesok u visokoshvidkisnu pryamu modulyaciyu napivprovidnikovih lazeriv zavdyaki pokrashennyu diferencialnogo optichnogo pidsilennya Originalnij tekst angl For seminal contributions to high speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain 2009 en Dlya fundamentalni i tehnologichni dosyagnennya v aktivnih gibridnih kremniyevih fotonnih pristroyah vklyuchayuchi lazeri modulyatori pidsilyuvachi ta kremniyevi aktivni fotonni integralni shemi Originalnij tekst angl For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers modulators amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits 2010 Dvn Botez angl Dan Botez Za fundamentalnij vnesok u stvorennya potuzhnih napivprovidnikovih lazeriv vklyuchayuchi aktivni fotonno kristalichni strukturi dlya stvorennya visokoyi kogerentnoyi potuzhnosti odnopelyustkovi lazeri z rozpodilenim zvorotnim zv yazkom ta potuzhni visokoefektivni dzherela na osnovi bezalyuminiyevoyi tehnologiyi Originalnij tekst angl For fundamental contributions to high power semiconductor lasers including active photonic crystal structures for high coherent power generation single lobe grating surface emitting distributed feedback lasers and high power high efficiency sources based on aluminum free technology 2011 en Za osnovopolozhnij vnesok u lazeri na kvantovih tochkah i nanofotonni pristroyi Originalnij tekst angl For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices 2012 Kent Chokett angl Kent D Choquette Za vnesok u rozrobku poverhnevo viprominyuyuchih lazeriv z vertikalnim rezonatorom Originalnij tekst angl For contributions to the development of vertical cavity surface emitting lasers 2013 Alessandro Tredikuchchi ital Alessandro Tredicucci Za demonstraciyu teragercovogo kvantovo kaskadnogo pristroyu pershogo kompaktnogo inzhekcijnogo lazera v dalekomu infrachervonomu diapazoni Originalnij tekst angl For demonstrating a terahertz quantum cascade device the first compact injection laser in the far infrared 2014 en Za vidkrittya efektivnih tonkoplivkovih organichnih svitloviprominyuyuchih diodiv OLED sho prizvelo do stvorennya novih displeyiv i osvitlyuvalnih priladiv Originalnij tekst angl For the discovery of efficient thin film organic light emitting diodes OLED which has led to novel display and lighting products 2015 Cin Hu angl Qing Hu Za jogo pionerskij vnesok u visokoefektivni TGc kvantovo kaskadni lazeri ta yih zastosuvannya u vizualizaciyi ta zonduvanni Originalnij tekst angl For his pioneering contribution to high performance THz quantum cascade lasers and their applications in imaging and sensing 2016 en Za novatorski ta postijni vneski v optoelektronni pristroyi z kvantovimi yamami kvantovimi tochkami ta nanodrotami ta yih integraciyu Originalnij tekst angl For pioneering and sustained contributions to quantum well quantum dot and nanowire optoelectronic devices and their integration 2017 Larri Koldren angl Larry A Coldren Za velikij vnesok u fotonni integralni shemi Originalnij tekst angl For major contributions to photonic integrated circuits 2018 de Za fundamentalni vidkrittya shodo rostu ta fiziki napivprovidnikovih nanostruktur yaki vedut do novih nanofotonnih pristroyiv dlya informatiki ta komunikacij Originalnij tekst angl For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications 2019 Fumio Koyama angl Fumio Koyama Za fundamentalnij vnesok u fotoniku ta integraciyu VCSEL Vertical cavity surface emitting lasers poverhnevo viprominyuyuchih lazeriv z vertikalnim rezonatorom Originalnij tekst angl For seminal contributions to VCSEL photonics and integration 2020 en Za znachnij vnesok u geteroepitaksiyu skladnih napivprovidnikiv na kremniyi dlya majbutnih integrovanih lazeriv i rozvitok galuzi svitlodiodnih mikrodispleyiv Originalnij tekst angl For significant contributions to hetero epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light emitting diode microdisplays 2021 en Za shirokij vnesok u rozrobku ta zastosuvannya III V napivprovidnikovih pristroyiv osoblivo vklyuchayuchi mikrosvitlodiodi na nitridi galiyu ta napivprovidnikovi lazeri z optichnim nakachuvannyam Originalnij tekst angl For wide ranging contributions to the development and application of III V semiconductor devices especially including gallium nitride micro LEDs and optically pumped semiconductor lasers 2022 Marshall Natan angl Marshall I Nathan Za novatorsku robotu u stvorenni diodnih lazeriv na osnovi GaAs ta vinahidnickij vnesok u skladni napivprovidniki ta lazernu fiziku Originalnij tekst angl For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics PrimitkiNick Holonyak Jr Award Arhiv originalu za 20 lyutogo 2017 Procitovano 19 lipnya 2015 Hu is selected for OSA 2015 Nick Holonyak Jr Award MIT EECS originalu za 8 veresnya 2015 Procitovano 19 lipnya 2015 Editor Peter G Eliseev University of New Mexico UNM 13972 originalu za 4 bereznya 2016 Procitovano 19 lipnya 2015 PosilannyaSajt premiyi