Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Нітрид галію GaN прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3 4 еВ що знайшов широке використання в бл

Нітрид галію

Нітрид галію

Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.

Нітрид галію
image
image
Назва за IUPAC Нітрид галію
Ідентифікатори
Номер CAS 25617-97-4
PubChem 117559
Номер EINECS 247-129-0
RTECS LW9640000
SMILES [Ga]#N
InChI 1/Ga.N/rGaN/c1-2
Властивості
Молекулярна формула GaN
Молярна маса 83,73 г/моль
Зовнішній вигляд жовтий порошок
Густина 6,15 г/см3
Тпл >2500 °C
Розчинність (вода) реагує
Показник заломлення (nD) 2.429
Структура
Кристалічна структура вюртцит
C6v4-P63mc
Координаційна
геометрія 		тетраедрична
Небезпеки
Індекс ЄС не числиться
Температура спалаху не займається
Пов'язані речовини
Інші аніони фосфід галію
арсенід галію
[en]
Інші катіони нітрид бору
[en]
[en]
Пов'язані речовини [en]
[en]
[en]
[en]
[en]
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Примітки картки

Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або киснем, для провідності p-типу — магнієм.

Примітки

  1. Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
  2. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
  3. Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics. 36 (Part 1, No. 9A): 5393—5408. doi:10.1143/JJAP.36.5393. ISSN 0021-4922.


image Це незавершена стаття про неорганічну сполуку.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Nitrid galiyu GaN pryamozonnij AIIIBV napivprovidnik z shirinoyu zaboronenoyi zoni 3 4 eV sho znajshov shiroke vikoristannya v blakitnih svitlodiodah Nitrid galiyu Nazva za IUPAC Nitrid galiyu Identifikatori Nomer CAS 25617 97 4PubChem 117559Nomer EINECS 247 129 0RTECS LW9640000SMILES Ga NInChI 1 Ga N rGaN c1 2 Vlastivosti Molekulyarna formula GaN Molyarna masa 83 73 g mol Zovnishnij viglyad zhovtij poroshok Gustina 6 15 g sm3 Tpl gt 2500 C Rozchinnist voda reaguye Pokaznik zalomlennya nD 2 429 Struktura Kristalichna struktura vyurtcit Prostorova grupa C6v4 P63mc Period kristalichnoyi gratki Koordinacijna geometriya tetraedrichna Nebezpeki Indeks YeS ne chislitsya Temperatura spalahu ne zajmayetsya Pov yazani rechovini Inshi anioni fosfid galiyu arsenid galiyu en Inshi kationi nitrid boru en en Pov yazani rechovini en en en en en Yaksho ne zaznacheno inshe dani navedeno dlya rechovin u standartnomu stani za 25 C 100 kPa Instrukciya z vikoristannya shablonu Primitki kartki Nitrid galiyu ye tverdim stabilnim materialom zi strukturoyu vyurtcitu visokoyu teployemnistyu ta teploprovidnistyu Zavdyaki shirokij zaboronenij zoni nitrid galiyu vikoristovuyetsya dlya virobnictva svitlodiodiv ta lazeriv sho viprominyuyut v ultrafioleti ta blakitnij oblasti spektru Dlya virobnictva diodiv vikoristovuyutsya tonki plivki materialu virosheni na sapfiri abo karbidi kremniyu Dlya otrimannya providnosti n tipu jogo leguyut kremniyem abo kisnem dlya providnosti p tipu magniyem PrimitkiHarafuji Kenji Tsuchiya Taku Kawamura Katsuyuki 2004 Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite type GaN crystal Appl Phys 96 5 2501 Bibcode 2004JAP 96 2501H doi 10 1063 1 1772878 Bougrov V Levinshtein M E Rumyantsev S L Zubrilov A in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN AlN InN BN SiC SiGe Eds Levinshtein M E Rumyantsev S L Shur M S John Wiley amp Sons Inc New York 2001 1 30 Akasaki Isamu Amano Hiroshi 1997 Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters Japanese Journal of Applied Physics 36 Part 1 No 9A 5393 5408 doi 10 1143 JJAP 36 5393 ISSN 0021 4922 Ce nezavershena stattya pro neorganichnu spoluku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi

Дата публікації:
Топ