Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Жак Ісаак Панков англ Jacques Isaac Pankove Джек Айзек Панков при народженні Яків Ісаак Овсійович Панчешніков 23 листопа

Жак Панков

Жак Панков

Жак Ісаак Панков (англ. Jacques Isaac Pankove — Джек Айзек Панков, при народженні — Яків-Ісаак Овсійович Панчешніков; 23 листопада 1922, Чернігів — 12 липня 2016, Прінстон) — американський інженер, фізик і винахідник, піонер створення ранніх транзисторів і світлодіодів.

Жак Панков
Народився23 листопада 1922(1922-11-23)
Чернігів, Українська СРР
Помер12 липня 2016(2016-07-12) (93 роки)
Принстон, Мерсер, Нью-Джерсі, США
Країнаimage США
image Франція
Діяльністьфізик
Alma materУніверситет Каліфорнії (Берклі)
Галузьматеріалознавство і фізика напівпровідників[d]
ЗакладRCA Corporation
Університет Колорадо у Боулдері
Нагороди

d (1975)

Q126416269? (6 травня 1999)

Біографія

Панков (Панчешніков) народився у Чернігові в ремісничій єврейській сім'ї. Через шість місяців після його народження батьки (Овсій Панчешніков, 1895—1981, і Мир'ям Сімкіна, 1899—1988) покинули СРСР, та після річного перебування у Константинополі оселилися у Марселі. Його батько, Овсій Панчешніков, будучи ковалем за професією, у Франції став підприємцем і винахідником, і зрештою власником двох сталеливарних підприємств. Після німецької окупації Франції та загрози депортації єврейського населення, сім'я була змушена тікати з країни, і в 1942 році прибула в Окленд (Каліфорнія), де жили два брата батька. Тут батько продовжив винахідницьку діяльність.

У США Панков навчався на інженера-електрика у Каліфорнійському університеті в Берклі: диплом бакалавра отримав в 1944 році, а магістра 1948 року. У проміжку між отриманням двох ступенів він служив у військах зв'язку на Філіппінах. У 1949 році він вступив на роботу до лабораторії компанії RCA, де перебував спочатку технічним працівником, а з 1970 по 1985 рік — членом ради RCA (RCA fellow). В середині 1950-х років, на стипендію засновника компанії Девида Сарнова, Панков вступив до докторантури Паризького університету, де в 1960 році захистив дисертацію, присвячену еманації інфрачервоного випромінювання з поверхні германію.

Панков був запрошеним лектором до Берклі в 1968—1969 році, запрошеним професором в Університеті Кампінас (Бразилія) в 1975 році, і в Університеті Міссурі в 1984 році. З 1985 по 1993 рік він обіймав професорську посаду (Hudson Moore Jr Endowed Chair) в Колорадському університеті в Боулдері і одночасно був співробітником Національної лабораторії з вивчення відновлюваної енергії. Пізніше, будучи вже почесним професором, Панков заснував компанію з використання сонячної енергії Astralux Power Systems.

Родина

Дружина — психолог Етель Вассерман (нар. 1927), автор наукових праць в галузі педагогічної психології. Сини — Мартін (юрист) та Саймон (інженер).

Наукова діяльність

Основні наукові праці Панкова присвячені фізиці напівпровідників. Ним був розроблений прототип першого комерційного транзистора, перший світлодіод на арсеніді галію в ІЧ-діапазоні та перший інжекційний лазер на фосфід арсеніду галію в видимому діапазоні. Він вніс значний вклад у ранній розвиток світлодіодної техніки, зокрема в 1971 році ним було отримано перший синій світлодіод на нітриді галію. У 1970-і роки Панков вивчив основні властивості цього сімейства напівпровідників, що згодом призвело до безлічі додатків і розробці ряду пристроїв.

З середини 1970-х років вчений активно досліджував властивості кристалічного і аморфного кремнію, зокрема вивчив вплив водню на характеристики цих матеріалів і встановив, що водень пригнічує провідність p-типу в кристалічному кремнії. Згодом було показано, що аналогічний ефект ускладнює провідність p-типу в нітриді галію; рішення цієї проблеми призвело до створення Сюдзі Накамурою першого ефективного блакитного світлодіода.

Автор понад 90 американських патентів, монографій «Study of an Electronic Morse Code Translator» (під ім'ям Jacques Isaac Pantchechnikoff, 1948) і «Optical Processes in Semiconductors» (1971, ряд перевидань).

Нагороди

  • Премія Еберса ([en], 1975)
  • Премія Ранка (1998)
  • Нагорода видатному випускникові Університету Каліфорнії в Берклі (2000)

Основні публікації

  • Pankove J.I. Tunneling-Assisted Photon Emission in Gallium Arsenide pn Junctions // Physical Review Letters. — 1962. — Т. 9, № 7 (18 липня). — С. 283—285. — DOI:10.1103/PhysRevLett.9.283.
  • Pankove J.I. Absorption Edge of Impure Gallium Arsenide // Physical Review. — 1965. — Т. 140, № 6A (18 липня). — С. A2059—A2065. — DOI:10.1103/PhysRev.140.A2059.
  • Pankove J.I., Miller E.A., Richman D., Berkeyheiser J.E. Electroluminescence in GaN // Journal of Luminescence. — 1971. — Т. 4, № 1 (18 липня). — С. 63—66. — DOI:10.1016/0022-2313(71)90009-3.
  • Pankove J.I., Miller E.A., Berkeyheiser J.E. GaN blue light-emitting diodes // Journal of Luminescence. — 1972. — Т. 5, № 1 (18 липня). — С. 84—86. — DOI:10.1016/0022-2313(72)90038-5.
  • Pankove J.I. Luminescence in GaN // Journal of Luminescence. — 1973. — Т. 7 (18 липня). — С. 114—126. — DOI:10.1016/0022-2313(73)90062-8.
  • Yim W.M., Stofko E.J., Zanzucchi P.J., Pankove J.I., Ettenberg M., Gilbert S.L. Epitaxially grown AlN and its optical band gap // Journal of Applied Physics. — 1973. — Т. 44, № 1 (18 липня). — С. 292—296. — DOI:10.1063/1.1661876.
  • Pankove J.I., Schade H. Photoemission from GaN // Applied Physics Letters. — 1974. — Т. 25, № 1 (18 липня). — С. 53—55. — DOI:10.1063/1.1655276.
  • Pankove J.I., Hutchby J.A. Photoluminescence of ion‐implanted GaN // Journal of Applied Physics. — 1976. — Т. 47, № 12 (18 липня). — С. 5387—5390. — DOI:10.1063/1.322566.
  • Pankove J.I., Lampert M.A., Tarng M.L. Hydrogenation and dehydrogenation of amorphous and crystalline silicon // Applied Physics Letters. — 1978. — Т. 32, № 7 (18 липня). — С. 439—441. — DOI:10.1063/1.90078.
  • Pankove J.I., Carlson D.E., Berkeyheiser J.E., Wance R.O. Neutralization of Shallow Acceptor Levels in Silicon by Atomic Hydrogen // Physical Review Letters. — 1983. — Т. 51, № 24 (18 липня). — С. 2224—2225. — DOI:10.1103/PhysRevLett.51.2224.
  • Pankove J.I., Wance R.O., Berkeyheiser J.E. Neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Applied Physics Letters. — 1984. — Т. 45, № 10 (18 липня). — С. 1100—1102. — DOI:10.1063/1.95030.
  • Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W., Lucovsky G. Hydrogen localization near boron in silicon // Applied Physics Letters. — 1985. — Т. 46, № 4 (18 липня). — С. 421—423. — DOI:10.1063/1.95599.
  • Qiu C.H., Pankove J.I. Deep levels and persistent photoconductivity in GaN thin films // Applied Physics Letters. — 1997. — Т. 70, № 15 (18 липня). — С. 1983—1985. — DOI:10.1063/1.118799.

Примітки

  1. О смене имени [ 6 квітня 2017 у Wayback Machine.]: Первые публикации под этим именем.
  2. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  3. . Архів оригіналу за 12 січня 2015. Процитовано 11 жовтня 2021.
  4. Архів оригіналу за 16 жовтня 2014. Процитовано 11 жовтня 2021.
  5. . Архів оригіналу за 19 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  6. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  7. (PDF). Архів оригіналу (PDF) за 26 серпня 2013. Процитовано 8 жовтня 2014.
  8. . Архів оригіналу за 24 вересня 2015. Процитовано 8 жовтня 2014.
  9. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  10. We Were Burning: Japanese Entrepreneurs and the Forging of the Electronic Age[недоступне посилання]
  11. . Архів оригіналу за 4 березня 2016. Процитовано 11 жовтня 2021.
  12. Oakland Tribune [ 5 березня 2016 у Wayback Machine.]: Один из его братьев — Абрам Пенн (Abraham M. Penn) — был крупным меховщиком.
  13. . Архів оригіналу за 6 квітня 2017. Процитовано 11 жовтня 2021.
  14. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  15. . Архів оригіналу за 4 березня 2016. Процитовано 11 жовтня 2021.
  16. Ethel Wasserman Pankove, Ph.D.
  17. . Архів оригіналу за 16 січня 2018. Процитовано 11 жовтня 2021.
  18. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  19. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.
  20. . Архів оригіналу за 14 жовтня 2014. Процитовано 9 жовтня 2014.
  21. . Архів оригіналу за 11 жовтня 2021. Процитовано 11 жовтня 2021.

Література

  • Moustakas T.D., Monemar B. Jacques Isaac Pankove // Physics Today. — 2017. — Т. 70, № 4 (18 липня). — С. 64. — DOI:10.1063/PT.3.3532.

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Zhak Isaak Pankov angl Jacques Isaac Pankove Dzhek Ajzek Pankov pri narodzhenni Yakiv Isaak Ovsijovich Pancheshnikov 23 listopada 1922 Chernigiv 12 lipnya 2016 Prinston amerikanskij inzhener fizik i vinahidnik pioner stvorennya rannih tranzistoriv i svitlodiodiv Zhak PankovNarodivsya23 listopada 1922 1922 11 23 Chernigiv Ukrayinska SRRPomer12 lipnya 2016 2016 07 12 93 roki Prinston Merser Nyu Dzhersi SShAKrayina SShA FranciyaDiyalnistfizikAlma materUniversitet Kaliforniyi Berkli Galuzmaterialoznavstvo i fizika napivprovidnikiv d ZakladRCA Corporation Universitet Kolorado u BoulderiNagorodid 1975 Q126416269 6 travnya 1999 BiografiyaPankov Pancheshnikov narodivsya u Chernigovi v remisnichij yevrejskij sim yi Cherez shist misyaciv pislya jogo narodzhennya batki Ovsij Pancheshnikov 1895 1981 i Mir yam Simkina 1899 1988 pokinuli SRSR ta pislya richnogo perebuvannya u Konstantinopoli oselilisya u Marseli Jogo batko Ovsij Pancheshnikov buduchi kovalem za profesiyeyu u Franciyi stav pidpriyemcem i vinahidnikom i zreshtoyu vlasnikom dvoh stalelivarnih pidpriyemstv Pislya nimeckoyi okupaciyi Franciyi ta zagrozi deportaciyi yevrejskogo naselennya sim ya bula zmushena tikati z krayini i v 1942 roci pribula v Oklend Kaliforniya de zhili dva brata batka Tut batko prodovzhiv vinahidnicku diyalnist U SShA Pankov navchavsya na inzhenera elektrika u Kalifornijskomu universiteti v Berkli diplom bakalavra otrimav v 1944 roci a magistra 1948 roku U promizhku mizh otrimannyam dvoh stupeniv vin sluzhiv u vijskah zv yazku na Filippinah U 1949 roci vin vstupiv na robotu do laboratoriyi kompaniyi RCA de perebuvav spochatku tehnichnim pracivnikom a z 1970 po 1985 rik chlenom radi RCA RCA fellow V seredini 1950 h rokiv na stipendiyu zasnovnika kompaniyi Devida Sarnova Pankov vstupiv do doktoranturi Parizkogo universitetu de v 1960 roci zahistiv disertaciyu prisvyachenu emanaciyi infrachervonogo viprominyuvannya z poverhni germaniyu Pankov buv zaproshenim lektorom do Berkli v 1968 1969 roci zaproshenim profesorom v Universiteti Kampinas Braziliya v 1975 roci i v Universiteti Missuri v 1984 roci Z 1985 po 1993 rik vin obijmav profesorsku posadu Hudson Moore Jr Endowed Chair v Koloradskomu universiteti v Boulderi i odnochasno buv spivrobitnikom Nacionalnoyi laboratoriyi z vivchennya vidnovlyuvanoyi energiyi Piznishe buduchi vzhe pochesnim profesorom Pankov zasnuvav kompaniyu z vikoristannya sonyachnoyi energiyi Astralux Power Systems RodinaDruzhina psiholog Etel Vasserman nar 1927 avtor naukovih prac v galuzi pedagogichnoyi psihologiyi Sini Martin yurist ta Sajmon inzhener Naukova diyalnistOsnovni naukovi praci Pankova prisvyacheni fizici napivprovidnikiv Nim buv rozroblenij prototip pershogo komercijnogo tranzistora pershij svitlodiod na arsenidi galiyu v ICh diapazoni ta pershij inzhekcijnij lazer na fosfid arsenidu galiyu v vidimomu diapazoni Vin vnis znachnij vklad u rannij rozvitok svitlodiodnoyi tehniki zokrema v 1971 roci nim bulo otrimano pershij sinij svitlodiod na nitridi galiyu U 1970 i roki Pankov vivchiv osnovni vlastivosti cogo simejstva napivprovidnikiv sho zgodom prizvelo do bezlichi dodatkiv i rozrobci ryadu pristroyiv Z seredini 1970 h rokiv vchenij aktivno doslidzhuvav vlastivosti kristalichnogo i amorfnogo kremniyu zokrema vivchiv vpliv vodnyu na harakteristiki cih materialiv i vstanoviv sho voden prignichuye providnist p tipu v kristalichnomu kremniyi Zgodom bulo pokazano sho analogichnij efekt uskladnyuye providnist p tipu v nitridi galiyu rishennya ciyeyi problemi prizvelo do stvorennya Syudzi Nakamuroyu pershogo efektivnogo blakitnogo svitlodioda Avtor ponad 90 amerikanskih patentiv monografij Study of an Electronic Morse Code Translator pid im yam Jacques Isaac Pantchechnikoff 1948 i Optical Processes in Semiconductors 1971 ryad perevidan NagorodiPremiya Ebersa en 1975 Premiya Ranka 1998 Nagoroda vidatnomu vipusknikovi Universitetu Kaliforniyi v Berkli 2000 Osnovni publikaciyiPankove J I Tunneling Assisted Photon Emission in Gallium Arsenide pn Junctions Physical Review Letters 1962 T 9 7 18 lipnya S 283 285 DOI 10 1103 PhysRevLett 9 283 Pankove J I Absorption Edge of Impure Gallium Arsenide Physical Review 1965 T 140 6A 18 lipnya S A2059 A2065 DOI 10 1103 PhysRev 140 A2059 Pankove J I Miller E A Richman D Berkeyheiser J E Electroluminescence in GaN Journal of Luminescence 1971 T 4 1 18 lipnya S 63 66 DOI 10 1016 0022 2313 71 90009 3 Pankove J I Miller E A Berkeyheiser J E GaN blue light emitting diodes Journal of Luminescence 1972 T 5 1 18 lipnya S 84 86 DOI 10 1016 0022 2313 72 90038 5 Pankove J I Luminescence in GaN Journal of Luminescence 1973 T 7 18 lipnya S 114 126 DOI 10 1016 0022 2313 73 90062 8 Yim W M Stofko E J Zanzucchi P J Pankove J I Ettenberg M Gilbert S L Epitaxially grown AlN and its optical band gap Journal of Applied Physics 1973 T 44 1 18 lipnya S 292 296 DOI 10 1063 1 1661876 Pankove J I Schade H Photoemission from GaN Applied Physics Letters 1974 T 25 1 18 lipnya S 53 55 DOI 10 1063 1 1655276 Pankove J I Hutchby J A Photoluminescence of ion implanted GaN Journal of Applied Physics 1976 T 47 12 18 lipnya S 5387 5390 DOI 10 1063 1 322566 Pankove J I Lampert M A Tarng M L Hydrogenation and dehydrogenation of amorphous and crystalline silicon Applied Physics Letters 1978 T 32 7 18 lipnya S 439 441 DOI 10 1063 1 90078 Pankove J I Carlson D E Berkeyheiser J E Wance R O Neutralization of Shallow Acceptor Levels in Silicon by Atomic Hydrogen Physical Review Letters 1983 T 51 24 18 lipnya S 2224 2225 DOI 10 1103 PhysRevLett 51 2224 Pankove J I Wance R O Berkeyheiser J E Neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen Applied Physics Letters 1984 T 45 10 18 lipnya S 1100 1102 DOI 10 1063 1 95030 Pankove J I Zanzucchi P J Magee C W Lucovsky G Hydrogen localization near boron in silicon Applied Physics Letters 1985 T 46 4 18 lipnya S 421 423 DOI 10 1063 1 95599 Qiu C H Pankove J I Deep levels and persistent photoconductivity in GaN thin films Applied Physics Letters 1997 T 70 15 18 lipnya S 1983 1985 DOI 10 1063 1 118799 PrimitkiO smene imeni 6 kvitnya 2017 u Wayback Machine Pervye publikacii pod etim imenem Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 12 sichnya 2015 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 16 zhovtnya 2014 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 19 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 PDF Arhiv originalu PDF za 26 serpnya 2013 Procitovano 8 zhovtnya 2014 Arhiv originalu za 24 veresnya 2015 Procitovano 8 zhovtnya 2014 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 We Were Burning Japanese Entrepreneurs and the Forging of the Electronic Age nedostupne posilannya Arhiv originalu za 4 bereznya 2016 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Oakland Tribune 5 bereznya 2016 u Wayback Machine Odin iz ego bratev Abram Penn Abraham M Penn byl krupnym mehovshikom Arhiv originalu za 6 kvitnya 2017 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 4 bereznya 2016 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Ethel Wasserman Pankove Ph D Arhiv originalu za 16 sichnya 2018 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 Arhiv originalu za 14 zhovtnya 2014 Procitovano 9 zhovtnya 2014 Arhiv originalu za 11 zhovtnya 2021 Procitovano 11 zhovtnya 2021 LiteraturaMoustakas T D Monemar B Jacques Isaac Pankove Physics Today 2017 T 70 4 18 lipnya S 64 DOI 10 1063 PT 3 3532

Дата публікації:
Топ