Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Джуел Джеймс Еберс англ Jewell James Ebers 25 листопада 1921 19211125 30 березня 1959 американський фізик співавтор найп

Джуел Джеймс Еберс

Джуел Джеймс Еберс

Джуел Джеймс Еберс (англ. Jewell James Ebers, 25 листопада 1921(19211125) — 30 березня 1959) — американський фізик, співавтор найпростішої моделі біполярного транзистора — моделі Еберса—Молла. Еберс народився і виріс у Гранд-Рапідс, штат Мічиган. Навчання в Антіохійському коледжі було перервано Другою світовою війною. Після трьох років перебування в армії США, Еберс в 1946 році закінчив курс у коледжі, а потім вже навчався на електротехнічному факультеті Університету Огайо. У 1947 році Еберс отримав диплом магістра, в 1950 році доктора філософії, а в 1951, після недовготривалої викладацької роботи, перейшов на роботу в Bell Labs — один з двох найбільших приватних науково-дослідних інститутів США. Другим був комплекс лабораторій General Electric в Скенектаді. Еберс показав себе здібним адміністратором і швидко піднявся по службі, досягнув до 1959 року поста директора філіалу Bell Labs в Аллентауні.

Джуел Джеймс Еберс
англ. Jewell James Ebers
image
Народився25 листопада 1921(1921-11-25)
Гренд-Репідс, Мічиган, США
Помер30 березня 1959
Країнаimage США
Діяльністьінженер
Alma materУніверситет штату Огайо
d
Галузьфізика напівпровідників[d]
ЗакладBell Laboratories
image Джуел Джеймс Еберс у Вікісховищі

Найважливішим вкладом Еберса стало створення в 1954 році, разом з , першої практичної математичної моделі біполярного транзистора. Модель Еберса—Молла, до складу якої входили ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму і паразитні ємності, добре підійшла під вимоги і обмеження перших програм машинного моделювання електричних кіл і стала складовою частиною SPICE, Micro-Cap та інших засобів САПР. Модель Еберса—Молла на двох діодах і двох джерелах струму — найпростіша модель біполярного транзистора. Послідовне ускладнення моделі Еберса—Молла «врешті-решт приводить» до досконалої (і яка потребує не менше 25 параметрів) моделі Гуммеля—Пуна. Другим визначним винаходом Еберса стала розробка в 1952 році першого чотиришарового pnpn-приладу, пізніше названого тиристором.

В 1971 році секція електронних приладів Інституту інженерів електротехніки і електроніки заснувала щорічну премію Еберса «за визначальний інженерний внесок в царині електронних приладів»

Примітки

  1. Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42, № 12. — P. 1761–72.
  2. Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19, № 9. — P. 613.: «for an outstanding technical contribution to electron devices»
Ця стаття потребує додаткових для поліпшення її . Будь ласка, допоможіть удосконалити цю статтю, додавши посилання на . Зверніться на за поясненнями та допоможіть виправити недоліки.
Матеріал без джерел може бути та вилучено. (жовтень 2018)
image Це незавершена стаття про фізика.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.
image Це незавершена стаття про науковця США.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Dzhuel Dzhejms Ebers angl Jewell James Ebers 25 listopada 1921 19211125 30 bereznya 1959 amerikanskij fizik spivavtor najprostishoyi modeli bipolyarnogo tranzistora modeli Ebersa Molla Ebers narodivsya i viris u Grand Rapids shtat Michigan Navchannya v Antiohijskomu koledzhi bulo perervano Drugoyu svitovoyu vijnoyu Pislya troh rokiv perebuvannya v armiyi SShA Ebers v 1946 roci zakinchiv kurs u koledzhi a potim vzhe navchavsya na elektrotehnichnomu fakulteti Universitetu Ogajo U 1947 roci Ebers otrimav diplom magistra v 1950 roci doktora filosofiyi a v 1951 pislya nedovgotrivaloyi vikladackoyi roboti perejshov na robotu v Bell Labs odin z dvoh najbilshih privatnih naukovo doslidnih institutiv SShA Drugim buv kompleks laboratorij General Electric v Skenektadi Ebers pokazav sebe zdibnim administratorom i shvidko pidnyavsya po sluzhbi dosyagnuv do 1959 roku posta direktora filialu Bell Labs v Allentauni Dzhuel Dzhejms Ebersangl Jewell James EbersNarodivsya25 listopada 1921 1921 11 25 Grend Repids Michigan SShAPomer30 bereznya 1959Krayina SShADiyalnistinzhenerAlma materUniversitet shtatu Ogajo dGaluzfizika napivprovidnikiv d ZakladBell Laboratories Dzhuel Dzhejms Ebers u Vikishovishi Najvazhlivishim vkladom Ebersa stalo stvorennya v 1954 roci razom z pershoyi praktichnoyi matematichnoyi modeli bipolyarnogo tranzistora Model Ebersa Molla do skladu yakoyi vhodili idealni diodi idealni kerovani dzherela strumu i parazitni yemnosti dobre pidijshla pid vimogi i obmezhennya pershih program mashinnogo modelyuvannya elektrichnih kil i stala skladovoyu chastinoyu SPICE Micro Cap ta inshih zasobiv SAPR Model Ebersa Molla na dvoh diodah i dvoh dzherelah strumu najprostisha model bipolyarnogo tranzistora Poslidovne uskladnennya modeli Ebersa Molla vreshti resht privodit do doskonaloyi i yaka potrebuye ne menshe 25 parametriv modeli Gummelya Puna Drugim viznachnim vinahodom Ebersa stala rozrobka v 1952 roci pershogo chotirisharovogo pnpn priladu piznishe nazvanogo tiristorom V 1971 roci sekciya elektronnih priladiv Institutu inzheneriv elektrotehniki i elektroniki zasnuvala shorichnu premiyu Ebersa za viznachalnij inzhenernij vnesok v carini elektronnih priladiv PrimitkiEbers J J and Moll J L Large signal behavior of junction transistors Proceedings of the Institute of Radio Engineers 1954 Vol 42 12 P 1761 72 Early J M Electron Devices Group Award Established IEEE Transactions on Electron Devices 1971 Vol ED 19 9 P 613 for an outstanding technical contribution to electron devices Cya stattya potrebuye dodatkovih posilan na dzherela dlya polipshennya yiyi perevirnosti Bud laska dopomozhit udoskonaliti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Zvernitsya na za poyasnennyami ta dopomozhit vipraviti nedoliki Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno zhovten 2018 Ce nezavershena stattya pro fizika Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Ce nezavershena stattya pro naukovcya SShA Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi

Дата публікації:
Топ