Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка.
| Арсенід галію | |
|---|---|
 Кристалічна ґратка | |
 Зразок Арсеніду галію | |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 1303-00-0 |
| PubChem | 14770 |
| Номер EINECS | 215-114-8 |
| Назва MeSH | gallium+arsenide |
| RTECS | LW8800000 |
| SMILES | [Ga-]$[As+] |
| InChI | InChI=1S/As.Ga |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | GaAs |
| Молярна маса | 144.645 г/моль |
| Молекулярна маса | 143.847177329 г/моль |
| Зовнішній вигляд | Дуже темно-червоні, склоподібні кристали |
| Запах | часнику при зволоженні |
| Густина | 5.3176 г/см3 |
| Тпл | 1238 |
| Розчинність (вода) | нерозчинний |
| Розчинність | розчинний в хлоридній кислоті, етанолі, метанолі, ацетоні |
| Показник заломлення (nD) | 3.8 |
| Структура | |
| Кристалічна структура | цинкова обманка |
| T2d-F-43m | |
| Координаційна геометрія | чотирьохгранний |
| Геометрія | лінійний |
| Небезпеки | |
| MSDS | External MSDS |
| ГГС піктограми |   |
| ГГС формулювання небезпек | 301, 331, 410 |
| ГГС запобіжних заходів | 261, 273, 301+310, 311, 501 |
| (Класифікація ЄС) |  T  N |
| R-фрази | R23/25, R50/53 |
| S-фрази | (S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61 |
| NFPA 704 |  1 3 2 |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Примітки картки | |
Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.
Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).
Кристалічна ґратка
Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.
Методи отримання
Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцовій колбі при температурі близько 1240° C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самовільно.
Для отримання монокристалів використовують також методи (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонного плавлення.
Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором [], тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.
Джерела
- Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
- Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.(рос.)
Примітки
- Refractive index of GaAs. Ioffe database
 | Це незавершена стаття про неорганічну сполуку. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Arseni d ga liyu GaAs kristalichna rechovina iz kristalichnoyu gratkoyu tipu cinkova obmanka Arsenid galiyu Kristalichna gratka Zrazok Arsenidu galiyu Identifikatori Nomer CAS 1303 00 0PubChem 14770Nomer EINECS 215 114 8Nazva MeSH gallium arsenideRTECS LW8800000SMILES Ga As InChI InChI 1S As Ga Vlastivosti Molekulyarna formula GaAs Molyarna masa 144 645 g mol Molekulyarna masa 143 847177329 g mol Zovnishnij viglyad Duzhe temno chervoni sklopodibni kristali Zapah chasniku pri zvolozhenni Gustina 5 3176 g sm3 Tpl 1238 Rozchinnist voda nerozchinnij Rozchinnist rozchinnij v hloridnij kisloti etanoli metanoli acetoni Pokaznik zalomlennya nD 3 8 Struktura Kristalichna struktura cinkova obmanka Prostorova grupa T2d F 43m Period kristalichnoyi gratki Koordinacijna geometriya chotirohgrannij Geometriya linijnij Nebezpeki MSDS External MSDS GGS piktogrami GGS formulyuvannya nebezpek 301 331 410 GGS zapobizhnih zahodiv 261 273 301 310 311 501 Klasifikaciya YeS T N R frazi R23 25 R50 53 S frazi S1 2 S20 21 S28 S45 S60 S61 NFPA 704 1 3 2 W Yaksho ne zaznacheno inshe dani navedeno dlya rechovin u standartnomu stani za 25 C 100 kPa Instrukciya z vikoristannya shablonu Primitki kartki Pryamozonnij napivprovidnik iz shirinoyu zaboronenoyi zoni 1 424 eV Shiroko vikoristovuyetsya dlya stvorennya napivprovidnikovih pristroyiv bagatosharovih struktur kvantovih tochok drotin j yam Nalezhit do klasu intermetalichnih spoluk elementiv III i V grup periodichnoyi sistemi elementiv skorocheno spoluki AIIIBV angl III V Compounds Kristalichna gratkaNanokristalichna poverhnya Arsenid galiyu maye kubichnu granecentrovanu gratku tipu gratki cinkovoyi obmanki Metodi otrimannyaArsenid galiyu otrimuyut splavlyayuchi chisti arsen As i galij Ga u kvarcovij kolbi pri temperaturi blizko 1240 C pri tisku pari blizko 1000 GPa Kristali rostut iz zarodkiv sho utvoryuyutsya samovilno Dlya otrimannya monokristaliv vikoristovuyut takozh metodi gorizontalnij metod Bridzhmena vityaguvannya z rozplavu metod Chohralskogo i zonnogo plavlennya Tip providnosti j ruhlivist nosiyiv zaryadu v kristalah zalezhit vid koncentraciyi domishok sho zalishayutsya pri vigotovleni Najvazhlivishimi z nih ye kremnij ta mid yaki perehodyat v arsenid galiyu z kvarcu kremnij i tigeliv chi ampul mid Kremnij ye donorom dzherelo tomu zdebilshogo otrimani kristali mayut n tip providnosti DzherelaOtfrid Madelung Fizika poluprovodnikovyh soedinenij elementov III i V grupp perevod s angl M Mir 1967 478 s Kurnosov A I 1980 Materialy dlya poluprovodnikovyh priborov i integralnyh shem Moskva Vysshaya shkola ros PrimitkiRefractive index of GaAs Ioffe database Ce nezavershena stattya pro neorganichnu spoluku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi