Одноперехідний транзистор (ОПТ) — напівпровідниковий прилад з трьома електродами і одним p-n переходом. Одноперехідний транзистор належить до сімейства тиристорів.
Топологія та умовне позначення
Основою транзистора є кристал напівпровідника (наприклад n-типу), який називається базою. На кінцях кристала є омічні контакти Б1 і Б2, між якими розташовується область, що має випрямляючий контакт Е з напівпровідником p-типу, що виконує роль емітера.
- Позначення одноперехідного транзистора на принциповій електричній схемі та його структура
- Позначення з n-каналом
- Позначення з p-каналом
Випускався у СРСР і мав позначення КТ 117А (Б, В, Г). Зарубіжні аналоги 2N6027, 2N6028. Випускаються і зараз.
Історія
Конструкція приладу відноситься до сплавних структур на брусках германію. Вперше описаний Шоклі, Пірсоном і Хайнсом. У той час така структура називалася ниткоподібним транзистором. У процесі розвитку прилад мав об'ємну структуру, потім дифузійно-планарну і, нарешті, епітаксіально-планарну. Змінювалася і його назва від «діода з подвійною базою» до останньої, яка і закріпилась, «одноперехідний транзистор».
Принцип роботи
Підсилювальні і перемикаючі властивості ОПТ обумовлені зміною опору бази у результаті інжекції у неї неосновних носіїв заряду.
Принцип дії одноперохідного транзистора зручно розглядати, скориставшись еквівалентною схемою, де верхній опір і нижній опір — опори між відповідними виводами бази і емітера, а діодом зображено емітерний р-п-перехід.
Струм, що протікає через опори і , створює на першому з них падіння напруги, яке зміщує діод у зворотному напрямку. Якщо напруга на емітері Uе менше падіння напруги на опорі — діод закритий, і через нього тече тільки струм витоку. Коли ж напруга Uе стає вище за напругу на опорі , діод починає пропускати струм у прямому напрямі. При цьому опір зменшується, що призводить до збільшення струму у ланцюзі діод-, що у свою чергу, викликає подальше зменшення опору . Цей процес протікає лавиноподібно. Опір зменшується швидше, ніж збільшується струм через р-n-перехід, у результаті на вольт-амперній характеристиці одноперехідного транзистора з'являється область від'ємного опору. При подальшому збільшенні струму залежність опору від струму через р-n-перехід зменшується, і при значеннях більших за деяку величину Iвимкн опір не залежить від струму (область насичення).
При зменшенні напруги зсуву Uзс вольт-амперна характеристика зміщується вліво і за відсутності його перетворюється у характеристику відкритого р-n-переходу.
Параметри ОПТ
Основними параметрами одногоперехідних транзисторів є:
- Міжбазовий опір
- Коефіцієнт передачі , що характеризує напругу перемикання і визначається за формулою
- Напруга спрацьовування Uспр — мінімальна напруга на емітерному переході, необхідна для переходу приладу зі стану з великим опором у стан з від'ємним опором
- Струм включення Iвкл — мінімальний струм, необхідний для включення одноперехідного транзистора, тобто переведення його в область негативного опору
- Струм вимикання Iвим — найменший емітерний струм, що утримує транзистор у включеному стані
- Напруга вимикання Uвим — напруга на емітерному переході при струмі через нього, рівному Iвим;
- Зворотний струм емітера Iез — струм витоку закритого емітерного переходу
Застосування
Одноперехідні транзистори отримали широке застосування у різних пристроях автоматики, імпульсної і вимірювальної техніки — генераторах, порогових пристроях, дільниках частоти, реле часу і т. д. Хоча основною функцією ОПТ є перемикач, в основному функціональним вузлом серед більшості схем на ОПТ є релаксаційний генератор.
У зв'язку з відносно великим обсягом бази одноперехідні транзистори поступаються біполярним за частотними характеристиками.
Див. також
Примітки
- Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы : учебник для вузов. — 4-е изд. — М. : Высшая школа, 1987. — 478 с. : ил.
Література
- Зі С. М. Фізика напівпровідникових приладів. — М. : Енергія, 1973.
- Зи С. Фізика напівпровідникових приладів[недоступне посилання з 08.03.2018] = Physics of Semiconductor Devices. — Вид. 2-ге, перероб. і доп. — 456 с.
- Степаненко І. П. Основи теорії транзисторів і транзисторних схем.
- Нефедов А. В. Вітчизняні напівпровідникові прилади і їх зарубіжні аналоги. — 1980.
- Транзистори для апаратури широкого застосування / під ред. Б. Л. Перельмана. — 1981.
- Дьяконов В. П. Одноперехідні транзистори і їх аналоги. Теорія і застосування. — М. : СОЛОН-Пресс, 2008. — 240 с.
- Дьяконов В. П. Лавинні транзистори і тиристори. Теорія і застосування. — М. : СОЛОН-Прес. 2008. — 384 с.
- Пасинків В. В., Чиркин Л. К. Напівпровідникові прилади : підручник для вузів. — Вид. 4-те перераб. і доп. — 479 с.
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Odnoperehidnij tranzistor OPT napivprovidnikovij prilad z troma elektrodami i odnim p n perehodom Odnoperehidnij tranzistor nalezhit do simejstva tiristoriv Odnoperehidni tranzistoriTopologiya ta umovne poznachennyaStruktura Osnovoyu tranzistora ye kristal napivprovidnika napriklad n tipu yakij nazivayetsya bazoyu Na kincyah kristala ye omichni kontakti B1 i B2 mizh yakimi roztashovuyetsya oblast sho maye vipryamlyayuchij kontakt E z napivprovidnikom p tipu sho vikonuye rol emitera Poznachennya odnoperehidnogo tranzistora na principovij elektrichnij shemi ta jogo strukturaPoznachennya z n kanalom Poznachennya z p kanalom Vipuskavsya u SRSR i mav poznachennya KT 117A B V G Zarubizhni analogi 2N6027 2N6028 Vipuskayutsya i zaraz IstoriyaKonstrukciya priladu vidnositsya do splavnih struktur na bruskah germaniyu Vpershe opisanij Shokli Pirsonom i Hajnsom U toj chas taka struktura nazivalasya nitkopodibnim tranzistorom U procesi rozvitku prilad mav ob yemnu strukturu potim difuzijno planarnu i nareshti epitaksialno planarnu Zminyuvalasya i jogo nazva vid dioda z podvijnoyu bazoyu do ostannoyi yaka i zakripilas odnoperehidnij tranzistor Princip robotiEkvivalentna shema zamishennya Pidsilyuvalni i peremikayuchi vlastivosti OPT obumovleni zminoyu oporu bazi u rezultati inzhekciyi u neyi neosnovnih nosiyiv zaryadu Princip diyi odnoperohidnogo tranzistora zruchno rozglyadati skoristavshis ekvivalentnoyu shemoyu de verhnij opir RB1 displaystyle R B1 i nizhnij opir RB2 displaystyle R B2 opori mizh vidpovidnimi vivodami bazi i emitera a diodom zobrazheno emiternij r p perehid Strum sho protikaye cherez opori RB2 displaystyle R B2 i RB1 displaystyle R B1 stvoryuye na pershomu z nih padinnya naprugi yake zmishuye diod u zvorotnomu napryamku Yaksho napruga na emiteri Ue menshe padinnya naprugi na opori RB1 displaystyle R B1 diod zakritij i cherez nogo teche tilki strum vitoku Koli zh napruga Ue staye vishe za naprugu na opori RB2 displaystyle R B2 diod pochinaye propuskati strum u pryamomu napryami Pri comu opir RB2 displaystyle R B2 zmenshuyetsya sho prizvodit do zbilshennya strumu u lancyuzi diod RB2 displaystyle R B2 sho u svoyu chergu viklikaye podalshe zmenshennya oporu RB2 displaystyle R B2 Cej proces protikaye lavinopodibno Opir RB2 displaystyle R B2 zmenshuyetsya shvidshe nizh zbilshuyetsya strum cherez r n perehid u rezultati na volt ampernij harakteristici odnoperehidnogo tranzistora z yavlyayetsya oblast vid yemnogo oporu Pri podalshomu zbilshenni strumu zalezhnist oporu RB2 displaystyle R B2 vid strumu cherez r n perehid zmenshuyetsya i pri znachennyah bilshih za deyaku velichinu Ivimkn opir ne zalezhit vid strumu oblast nasichennya Pri zmenshenni naprugi zsuvu Uzs volt amperna harakteristika zmishuyetsya vlivo i za vidsutnosti jogo peretvoryuyetsya u harakteristiku vidkritogor n perehodu Parametri OPTVolt amperna harakteristika odnoperehidnogo tranzistora Osnovnimi parametrami odnogoperehidnih tranzistoriv ye Mizhbazovij opir RBB RB1 RB2 displaystyle R BB R B1 R B2 Koeficiyent peredachi h displaystyle eta sho harakterizuye naprugu peremikannya i viznachayetsya za formuloyuH RB1RB1 RB2 RB1RBB displaystyle mathrm H frac R B1 R B1 R B2 frac R B1 R BB dd Napruga spracovuvannya Uspr minimalna napruga na emiternomu perehodi neobhidna dlya perehodu priladu zi stanu z velikim oporom u stan z vid yemnim oporom Strum vklyuchennya Ivkl minimalnij strum neobhidnij dlya vklyuchennya odnoperehidnogo tranzistora tobto perevedennya jogo v oblast negativnogo oporu Strum vimikannya Ivim najmenshij emiternij strum sho utrimuye tranzistor u vklyuchenomu stani Napruga vimikannya Uvim napruga na emiternomu perehodi pri strumi cherez nogo rivnomu Ivim Zvorotnij strum emitera Iez strum vitoku zakritogo emiternogo perehoduZastosuvannyaGenerator relaksacijnih kolivan Odnoperehidni tranzistori otrimali shiroke zastosuvannya u riznih pristroyah avtomatiki impulsnoyi i vimiryuvalnoyi tehniki generatorah porogovih pristroyah dilnikah chastoti rele chasu i t d Hocha osnovnoyu funkciyeyu OPT ye peremikach v osnovnomu funkcionalnim vuzlom sered bilshosti shem na OPT ye relaksacijnij generator U zv yazku z vidnosno velikim obsyagom bazi odnoperehidni tranzistori postupayutsya bipolyarnim za chastotnimi harakteristikami Div takozhTranzistor Tiristor DiodPrimitkiPasynkov V V Chirkin L K Poluprovodnikovye pribory uchebnik dlya vuzov 4 e izd M Vysshaya shkola 1987 478 s il LiteraturaZi S M Fizika napivprovidnikovih priladiv M Energiya 1973 Zi S Fizika napivprovidnikovih priladiv nedostupne posilannya z 08 03 2018 Physics of Semiconductor Devices Vid 2 ge pererob i dop 456 s Stepanenko I P Osnovi teoriyi tranzistoriv i tranzistornih shem Nefedov A V Vitchiznyani napivprovidnikovi priladi i yih zarubizhni analogi 1980 Tranzistori dlya aparaturi shirokogo zastosuvannya pid red B L Perelmana 1981 Dyakonov V P Odnoperehidni tranzistori i yih analogi Teoriya i zastosuvannya M SOLON Press 2008 240 s Dyakonov V P Lavinni tranzistori i tiristori Teoriya i zastosuvannya M SOLON Pres 2008 384 s Pasinkiv V V Chirkin L K Napivprovidnikovi priladi pidruchnik dlya vuziv Vid 4 te pererab i dop 479 s