Діо́д Га́нна (також відомий, як англ. transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника.
Названо на честь винахідника Джона Ганна.
Загальні відомості
Ефект Ганна виникає тому, що в структурі зони провідності деяких напівпровідників, наприклад, GaAs, існують додаткові долини з локальними мінімумами енергії в залежності від хвильового вектора. В початковому стані електрони провідності зосереджені в основному в головній долині в центрі зони Бріллюена, де вони мають малу ефективну масу й високу швидкість. Прискорюючись в електричному полі, вони потрапляють в додаткові долини, де їхня ефективна маса більша, а швидкість менша. Завдяки цьому явищу збільшення прикладеної напруги може призвести до зменшення струму (сповільнення електронів).
Застосування
- Ефект від'ємного опору можна використовувати для посилення сигналу.
- Часто використовують як джерело високої частоти і великої потужності сигналу.
Див. також
Джерела
- Агеев Н. А., Шишкин Г. Г. Электронные приборы. — Изд. МАИ, 1996.
- Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. : пер. с англ. — Изд. 2-е, перераб. и доп. — М. : Мир, 1984. — Кн. 2. — С. 226—269.
- Лебедев, А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М. : Физматлит, 2008.
Примітки
- Вплив температури на від’ємну диференційну провідність $N$-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з надпровідними електродами. mfint.imp.kiev.ua (укр.). Процитовано 5 грудня 2020.
Посилання
- A Gunn diode relaxation oscillator
- Negative resistance oscillators
- Gunn diode hot electron injectors: graded gap injector and resonant tunneling injector
- програмна реалізація дії Діода Ганна
- Ганна ефект // Большая советская энциклопедия : в 30 т. / главн. ред. А. М. Прохоров. — 3-е изд. — М. : «Советская энциклопедия», 1969—1978. (рос.)
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
U Vikipediyi ye statti pro inshi znachennya cogo termina Ganna znachennya Dio d Ga nna takozh vidomij yak angl transferred electron device TED tip napivprovidnikovih diodiv sho vikoristovuyetsya dlya generaciyi ta peretvorennya kolivan u diapazoni NVCh Na vidminu vid inshih tipiv diodiv princip diyi dioda Ganna zasnovanij ne na vlastivostyah p n perehodiv a na vlasnih ob yemnih vlastivostyah napivprovidnika Nablizhena kriva do dioda Ganna sho pokazuye dilyanku z vid yemnim oporomZonna struktura GaAs z dodatkovoyu dolinoyu Nazvano na chest vinahidnika Dzhona Ganna Zagalni vidomostiEfekt Ganna vinikaye tomu sho v strukturi zoni providnosti deyakih napivprovidnikiv napriklad GaAs isnuyut dodatkovi dolini z lokalnimi minimumami energiyi v zalezhnosti vid hvilovogo vektora V pochatkovomu stani elektroni providnosti zoseredzheni v osnovnomu v golovnij dolini v centri zoni Brillyuena de voni mayut malu efektivnu masu j visoku shvidkist Priskoryuyuchis v elektrichnomu poli voni potraplyayut v dodatkovi dolini de yihnya efektivna masa bilsha a shvidkist mensha Zavdyaki comu yavishu zbilshennya prikladenoyi naprugi mozhe prizvesti do zmenshennya strumu spovilnennya elektroniv ZastosuvannyaEfekt vid yemnogo oporu mozhna vikoristovuvati dlya posilennya signalu Chasto vikoristovuyut yak dzherelo visokoyi chastoti i velikoyi potuzhnosti signalu Div takozhVid yemna diferencijna providnist Dzhon Battiskomb Gann DiodDzherelaAgeev N A Shishkin G G Elektronnye pribory Izd MAI 1996 Zi S M Fizika poluprovodnikovyh priborov v 2 kn per s angl Izd 2 e pererab i dop M Mir 1984 Kn 2 S 226 269 Lebedev A I Fizika poluprovodnikovyh priborov M Fizmatlit 2008 PrimitkiVpliv temperaturi na vid yemnu diferencijnu providnist N tipu u volt ampernih harakteristikah metalevih geterostruktur z nadprovidnimi elektrodami mfint imp kiev ua ukr Procitovano 5 grudnya 2020 PosilannyaDiod Ganna u sestrinskih VikiproyektahFajli u Vikishovishi A Gunn diode relaxation oscillator Negative resistance oscillators Gunn diode hot electron injectors graded gap injector and resonant tunneling injector programna realizaciya diyi Dioda Ganna Ganna efekt Bolshaya sovetskaya enciklopediya v 30 t glavn red A M Prohorov 3 e izd M Sovetskaya enciklopediya 1969 1978 ros