Фосфід індію InP хімічна сполука індію та фосфору Важливий прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1 34 е

Фосфід індію (InP) — хімічна сполука індію та фосфору. Важливий прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,34 еВ при температурі 300 K. Він має гранецентровану кубічну («цинкову») кристалічну структуру, ідентичну структурі GaAs і більшості напівпровідників групи III—V.

Виробництво

Фосфід індію можна одержати реакцією білого фосфору та при 400 °C, також прямим поєднанням очищених елементів при високій температурі та тиску або термічним розкладанням суміші триалкіл-індію та фосфіну.

Використання

Використовується для створення надвисокочастотних транзисторів, діодів Ганна. Тверді розчини на основі InP використовуються для створення світлодіодів, лазерних діодів, лавинних фотодіодів. На основі фосфіду індію виробляють квантові точки, що використовуються при створенні дисплеїв. Поверхня фосфіду індію використовується для вивчення низьковимірних структур.

Високошвидкісна оптоелектроніка

InP використовується як підкладка для епітаксіальних оптоелектронних пристроїв на основі інших напівпровідників, як-от арсеніди індію і галію. Пристрої містять псевдоморфні гетероперехідні біполярні транзистори, які можуть працювати на частоті 604 ГГц. Сам InP має пряму заборонену зону, що робить його корисним для оптоелектронних пристроїв, як-от лазерні діоди та фотонні інтегральні схеми для індустрії оптичних телекомунікацій, щоб забезпечити застосування мультиплексування за довжиною хвилі. За високочастотними властивостями перевершує арсенід галію.

Галерея

Морфологія текстурованої пластини фосфіду індію. Збільшення у 160 разів.
Поверхня нанокристалічного фосфіду індію, отриманого методом електрохімічного травлення. Збільшення у 100 разів.
Мікрофотографія пористого фосфіду індію. Збільшення у 40 000 разів.

Примітки

Indium Phosphide – a binary semiconductor composed. QS Study (англ.). Процитовано 2 червня 2023.
PubChem. Indium phosphide. pubchem.ncbi.nlm.nih.gov (англ.). Процитовано 2 червня 2023.
OLED-панелям не потрібен рідкісний метал із Китаю: знайшли в 100 разів дешевшу заміну. ФОКУС (укр.). 29 травня 2023. Процитовано 2 червня 2023.
http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/98946/6-Sichіkova.pdf?sequence=1
Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. AZoM.com (англ.). 13 квітня 2005. Процитовано 5 червня 2023.
Young, Martin G. (2 травня 1994). InP-based components for wavelength division multiplexing. Optoelectronic Interconnects II. Т. 2153. SPIE. с. 251—258. doi:10.1117/12.174514. Процитовано 5 червня 2023.

Джерела і посилання

Indium Phosphide: Transcending frequency and integration limits. Semiconductor TODAY Compounds&AdvancedSilicon • Vol. 1 • Issue 3 • September 2006
(Ioffe institute)

[1] Indium Phosphide – a binary semiconductor composed. QS Study (англ.). Процитовано 2 червня 2023.

[2] PubChem. Indium phosphide. pubchem.ncbi.nlm.nih.gov (англ.). Процитовано 2 червня 2023.

[3] OLED-панелям не потрібен рідкісний метал із Китаю: знайшли в 100 разів дешевшу заміну. ФОКУС (укр.). 29 травня 2023. Процитовано 2 червня 2023.

[4] ttp://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/98946/6-Sichіkova.pdf?sequence=1

[5] Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. AZoM.com (англ.). 13 квітня 2005. Процитовано 5 червня 2023.

[6] Young, Martin G. (2 травня 1994). InP-based components for wavelength division multiplexing. Optoelectronic Interconnects II. Т. 2153. SPIE. с. 251—258. doi:10.1117/12.174514. Процитовано 5 червня 2023.