Тунельний діод — напівпровідниковий активний елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю.
Історія
Винайшов тунельний діод у 1957 році Ісакі Леона. В 1973 році він отримав Нобелівську премію з фізики за відкриття явища тунелювання електрона.
Будова та принцип дії
В тунельному діоді використовується сильно легований p-n перехід, крізь який носії заряду можуть тунелювати при умові збігу енергій донорних рівнів електронів у n-області і акцепторних рівнів дірок у p-області. Струм через p-n перехід зростає для значень напруги, при яких такий збіг створюється, але зменшується при більшій напрузі, створюючи ділянку з від'ємною диференційною провідністю.
Використання
Тунельні діоди відносно стійкі до іонізуючого випромінювання, в порівнянні з іншими діодами. Це робить їх придатними для застосування в середовищах з високими рівнями радіації, наприклад, у космосі.
Також широко використовуються в генераторах, підсилювачах та у високочастотних перемикачах. Можуть працювати на дуже високих частотах.
Джерела
- Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. — М.: Энергия, 1970. — 320с.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. — М.: Энергия, 1973. — 656 с.
- Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. — .
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Tunelnij diod napivprovidnikovij aktivnij element elektrichnogo kola z nelinijnoyu volt ampernoyu harakteristikoyu na yakij isnuye dilyanka z vid yemnoyu diferencijnoyu providnistyu Poznachennya tunelnogo dioda v shemahShematichne zobrazhennya volt ampernoyi harakteristiki tunelnogo diodaIstoriyaVinajshov tunelnij diod u 1957 roci Isaki Leona V 1973 roci vin otrimav Nobelivsku premiyu z fiziki za vidkrittya yavisha tunelyuvannya elektrona Budova ta princip diyiV tunelnomu diodi vikoristovuyetsya silno legovanij p n perehid kriz yakij nosiyi zaryadu mozhut tunelyuvati pri umovi zbigu energij donornih rivniv elektroniv u n oblasti i akceptornih rivniv dirok u p oblasti Strum cherez p n perehid zrostaye dlya znachen naprugi pri yakih takij zbig stvoryuyetsya ale zmenshuyetsya pri bilshij napruzi stvoryuyuchi dilyanku z vid yemnoyu diferencijnoyu providnistyu VikoristannyaTunelni diodi vidnosno stijki do ionizuyuchogo viprominyuvannya v porivnyanni z inshimi diodami Ce robit yih pridatnimi dlya zastosuvannya v seredovishah z visokimi rivnyami radiaciyi napriklad u kosmosi Takozh shiroko vikoristovuyutsya v generatorah pidsilyuvachah ta u visokochastotnih peremikachah Mozhut pracyuvati na duzhe visokih chastotah DzherelaGaryainov S A Abezgauz I D Poluprovodnikovye pribory s otricatelnym soprotivleniem M Energiya 1970 320s Zi S M Fizika poluprovodnikovyh priborov Per s angl pod red A F Trutko M Energiya 1973 656 s Tugov N M Glebov B A Charykov N A Poluprovodnikovye pribory M Energoatomizdat 1990 576 s ISBN 5 283 00554 2 Ce nezavershena stattya z fiziki Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Div takozhDiod Rezonansnij tunelnij diod Tunelnij efekt