Конструюва́ння (проєктува́ння) мікросхе́м (інтегральних схем, ІС), (англ. Integrated circuit design) — діяльність людини або організації (ій) зі створення проєкту, тобто топології ІС. Проєктування починається з розробки архітектури, що включає вибір тих або інших функцій і особливостей майбутніх схем, мікросхемотехніку і компонування на кристалі функціональних блоків і їхніх елементів, які втілюють вибрані функції. Далі — оптимізація готових блоків з метою усунення вузьких місць, підвищення продуктивності та надійності роботи майбутніх схем, спрощення і здешевлення їхнього масового виробництва. Ці роботи можна умовно назвати «паперовими» — вони виконуються «на кінчику пера» і існують лише у вигляді комп'ютерних файлів і креслень проєктів майбутніх мікросхем, що зовсім не виключає багаторазового комп'ютерного моделювання фізичної роботи як окремих блоків, так і мікросхеми в цілому. Для цього використовуються спеціальні, ретельно узгоджені з реальними приладами фізичні моделі транзисторів і інших функціональних елементів. І чим ретельніше змодельована робота проєкту, тим швидше і з меншими помилками буде виготовлена сама мікросхема (йдеться про її фінальний, масовий варіант): налагоджування, пошук і виправлення помилок проєктування у вже готовому кристалі, як правило, значно складніші й дорожчі, ніж моделювання на комп'ютері.
Особливості цифрових і аналогових інтегральних схем
Інтегральні схеми можна розділити на 2 широкі категорії цифрових і аналогових інтегральних схем. Цифрові — мікропроцесори, FPGA, схеми пам'яті (статичні, динамічні, постійні, флеш), цифрові НВІС тощо. Цифровий дизайн фокусується на логічній правильності, збільшуючи щільність схеми, а також розміщення схем, так щоб тактові й часові сигнали направлялись ефективно.
Аналогові інтегральні схеми також мають специфіку проєктування кіл живлення і високочастотного дизайну. Аналоговий підхід використовується в дизайні операційних підсилювачів, лінійних стабілізаторів, фазового автопідстроювання частоти, осциляторів і активних фільтрів. Проєктування аналогових ІС більше пов'язане з фізикою напівпровідникових пристроїв, таких як підсилення, узгодження, розсіювання потужності та опір. Точність аналогового підсилення сигналу і фільтрації, як правило, критична і, як наслідок, аналогові мікросхеми використовують більшу площу, ніж активні пристрої цифрової конструкції та, як правило, менш щільні.
Сучасні ІС є надзвичайно складними. Великий чип, станом на 2009 рік мав близько 1 млрд транзисторів. Правила, що може й не може бути виготовлено також надзвичайно складні. Для 2006 року технологічний процес міг мати понад 600 правил. Крім того, оскільки сам виробничий процес не є повністю передбачуваним, конструктори повинні брати до уваги його статистичну природу. Складність сучасного дизайну IC, а також тиск ринку, щоб виробляти конструкції швидко, привело до широкого використання автоматизованих засобів проєктування ІС. Коротко кажучи, проєктування, тестування і перевірка інструкцій проводиться в рамках САПР.
Основи
Проєктування інтегральних схем передбачає створення електронних компонентів, таких як транзистори, резистори, конденсатори і металевого сполучення цих компонентів в шарі напівпровідника, зазвичай кремнію.
Необхідно відділяти окремі компоненти, тому що кремнієва підкладка є провідною і часто утворює активну область окремих компонентів. Існує два методи ізоляції: PN-переходом і . Слід враховувати розсіювану потужність транзисторів, перехідного опору і щільність струму з'єднувального контакту. Контакти й переходи в ІС дуже крихітні в порівнянні з дискретними компонентами, де такі проблеми є менш важливою проблемою. Треба брати до уваги в металевих з'єднаннях і пошкодження статичною електрикою крихітних компонентів. Нарешті, фізичне розташування деяких субблоків схеми має, як правило, вирішальне значення, для того, щоб досягти бажаної швидкості роботи, для розділення потужної частини IC від більш чутливої частини, щоб збалансувати розсіювання тепла через IC, або для полегшення розміщення підключень до виводів поза IC.
Див. також
Примітки
Посилання
- Введение в проблему разработки и производства СБИС [ 3 грудня 2013 у Wayback Machine.] (рос.)
Це незавершена стаття про електроніку. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Konstruyuva nnya proyektuva nnya mikroshe m integralnih shem IS angl Integrated circuit design diyalnist lyudini abo organizaciyi ij zi stvorennya proyektu tobto topologiyi IS Proyektuvannya pochinayetsya z rozrobki arhitekturi sho vklyuchaye vibir tih abo inshih funkcij i osoblivostej majbutnih shem mikroshemotehniku i komponuvannya na kristali funkcionalnih blokiv i yihnih elementiv yaki vtilyuyut vibrani funkciyi Dali optimizaciya gotovih blokiv z metoyu usunennya vuzkih misc pidvishennya produktivnosti ta nadijnosti roboti majbutnih shem sproshennya i zdeshevlennya yihnogo masovogo virobnictva Ci roboti mozhna umovno nazvati paperovimi voni vikonuyutsya na kinchiku pera i isnuyut lishe u viglyadi komp yuternih fajliv i kreslen proyektiv majbutnih mikroshem sho zovsim ne viklyuchaye bagatorazovogo komp yuternogo modelyuvannya fizichnoyi roboti yak okremih blokiv tak i mikroshemi v cilomu Dlya cogo vikoristovuyutsya specialni retelno uzgodzheni z realnimi priladami fizichni modeli tranzistoriv i inshih funkcionalnih elementiv I chim retelnishe zmodelovana robota proyektu tim shvidshe i z menshimi pomilkami bude vigotovlena sama mikroshema jdetsya pro yiyi finalnij masovij variant nalagodzhuvannya poshuk i vipravlennya pomilok proyektuvannya u vzhe gotovomu kristali yak pravilo znachno skladnishi j dorozhchi nizh modelyuvannya na komp yuteri Topologiya prostogo KMON operacijnogo piddsilyuvacha vhodi znahodyatsya zliva a kompensacijnij kondensator znahoditsya pravoruch Metalevij shar pofarbovanij u sinij N i P legovanij Si zelenij i korichnevij polikremnij chervonij a perehidni otvori pomicheni hrestami Osoblivosti cifrovih i analogovih integralnih shemIntegralni shemi mozhna rozdiliti na 2 shiroki kategoriyi cifrovih i analogovih integralnih shem Cifrovi mikroprocesori FPGA shemi pam yati statichni dinamichni postijni flesh cifrovi NVIS tosho Cifrovij dizajn fokusuyetsya na logichnij pravilnosti zbilshuyuchi shilnist shemi a takozh rozmishennya shem tak shob taktovi j chasovi signali napravlyalis efektivno Analogovi integralni shemi takozh mayut specifiku proyektuvannya kil zhivlennya i visokochastotnogo dizajnu Analogovij pidhid vikoristovuyetsya v dizajni operacijnih pidsilyuvachiv linijnih stabilizatoriv fazovogo avtopidstroyuvannya chastoti oscilyatoriv i aktivnih filtriv Proyektuvannya analogovih IS bilshe pov yazane z fizikoyu napivprovidnikovih pristroyiv takih yak pidsilennya uzgodzhennya rozsiyuvannya potuzhnosti ta opir Tochnist analogovogo pidsilennya signalu i filtraciyi yak pravilo kritichna i yak naslidok analogovi mikroshemi vikoristovuyut bilshu ploshu nizh aktivni pristroyi cifrovoyi konstrukciyi ta yak pravilo mensh shilni Suchasni IS ye nadzvichajno skladnimi Velikij chip stanom na 2009 rik mav blizko 1 mlrd tranzistoriv Pravila sho mozhe j ne mozhe buti vigotovleno takozh nadzvichajno skladni Dlya 2006 roku tehnologichnij proces mig mati ponad 600 pravil Krim togo oskilki sam virobnichij proces ne ye povnistyu peredbachuvanim konstruktori povinni brati do uvagi jogo statistichnu prirodu Skladnist suchasnogo dizajnu IC a takozh tisk rinku shob viroblyati konstrukciyi shvidko privelo do shirokogo vikoristannya avtomatizovanih zasobiv proyektuvannya IS Korotko kazhuchi proyektuvannya testuvannya i perevirka instrukcij provoditsya v ramkah SAPR OsnoviProyektuvannya integralnih shem peredbachaye stvorennya elektronnih komponentiv takih yak tranzistori rezistori kondensatori i metalevogo spoluchennya cih komponentiv v shari napivprovidnika zazvichaj kremniyu Neobhidno viddilyati okremi komponenti tomu sho kremniyeva pidkladka ye providnoyu i chasto utvoryuye aktivnu oblast okremih komponentiv Isnuye dva metodi izolyaciyi PN perehodom i Slid vrahovuvati rozsiyuvanu potuzhnist tranzistoriv perehidnogo oporu i shilnist strumu z yednuvalnogo kontaktu Kontakti j perehodi v IS duzhe krihitni v porivnyanni z diskretnimi komponentami de taki problemi ye mensh vazhlivoyu problemoyu Treba brati do uvagi v metalevih z yednannyah i poshkodzhennya statichnoyu elektrikoyu krihitnih komponentiv Nareshti fizichne roztashuvannya deyakih subblokiv shemi maye yak pravilo virishalne znachennya dlya togo shob dosyagti bazhanoyi shvidkosti roboti dlya rozdilennya potuzhnoyi chastini IC vid bilsh chutlivoyi chastini shob zbalansuvati rozsiyuvannya tepla cherez IC abo dlya polegshennya rozmishennya pidklyuchen do vivodiv poza IC Div takozhMikroshema Analogova integralna shema Tehnologiya virobnictva napivprovidnikiv Fizichna verifikaciyaPrimitkiMikroelektronika Integrated circuit designPosilannyaVvedenie v problemu razrabotki i proizvodstva SBIS 3 grudnya 2013 u Wayback Machine ros Ce nezavershena stattya pro elektroniku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi