Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

А центр дефектний комплекс у кремнії який скадається із вакансії та домішкового атому кисню Навіть в найчистішому кремні

А-центр

А-центр

А-центр — дефектний комплекс у кремнії, який скадається із вакансії та домішкового атому кисню.

Навіть в найчистішому кремнії кисень — основна домішка. В кристалі кремнію, вирощеному методом Чохральського, його концентрація зазвичай становить 1018 см−3. В кристалі кремнію, вирощеному методом зонної плавки концентрація кисню 1016 см−3. В основному кисень у кремнії займає міжвузлові положення, в яких атом кисню розриває ковалентний зв'язок між двома сусідніми атомами кремнію й прилаштовується посередині. А-центри — інший тип дефекту, в якому кисень займає місце відсутнього атома кремнію, тобто стає свого роду дефектом заміщення.

А-центр проявляється в інфрачервоних спектрах лінією з довжиною хвилі 12 мкм.

Джерела

  • Defects in Irradiated Silicon. I. Electron Spin Resonance of the Si-A Center
  • Defects in Irradiated Silicon. II. Infrared Absorption of the Si-A Center


image Це незавершена стаття з кристалографії.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

A centr defektnij kompleks u kremniyi yakij skadayetsya iz vakansiyi ta domishkovogo atomu kisnyu Navit v najchistishomu kremniyi kisen osnovna domishka V kristali kremniyu viroshenomu metodom Chohralskogo jogo koncentraciya zazvichaj stanovit 1018 sm 3 V kristali kremniyu viroshenomu metodom zonnoyi plavki koncentraciya kisnyu 1016 sm 3 V osnovnomu kisen u kremniyi zajmaye mizhvuzlovi polozhennya v yakih atom kisnyu rozrivaye kovalentnij zv yazok mizh dvoma susidnimi atomami kremniyu j prilashtovuyetsya poseredini A centri inshij tip defektu v yakomu kisen zajmaye misce vidsutnogo atoma kremniyu tobto staye svogo rodu defektom zamishennya A centr proyavlyayetsya v infrachervonih spektrah liniyeyu z dovzhinoyu hvili 12 mkm DzherelaDefects in Irradiated Silicon I Electron Spin Resonance of the Si A Center Defects in Irradiated Silicon II Infrared Absorption of the Si A Center Ce nezavershena stattya z kristalografiyi Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi

Дата публікації:
Топ