Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Силіце н en одношарова алотропна форма Силіцію Si атоми якої утворюють гексагональну кристалічну ґратку типу бджолиних с

Силіцен

Силіцен

Силіце́н — [en] одношарова алотропна форма Силіцію (Si), атоми якої утворюють гексагональну кристалічну ґратку типу бджолиних стільників (honeycombs). У силіценовій ґратці атоми Силіцію мають «змішану гібридизацію» типу «sp2/sp3», таким чином, ґратка є періодично-зігнутою (англ. buckled), на відміну від планарної ґратки графену. Електронна структура силіцену нагадує структуру графену, маючи лінійну дисперсію електронів на краю зони Бріллюена (в К точці), відтворюючи [en].

image
Знімок поверхні епітаксійного силіцену (4×4) та т.зв. "мультишарового" (R3×R3) силіцену.

На разі відомо дві форми силіцену: вільний від підтримки (англ. free-standing) та епітаксійний (осаджений на підкладку). Існування вільного силіцену є теоретично спрогнозованим, , хоча експериментального підтвердження поки що немає. Натомість, в 2012 році було експериментально отримано епітаксійний силіцен, що підсилило зацікавлення двовимірними матеріалами після деякого спаду зацікавленності графеном. Однією із переваг силіцену є можливість контролю ширини забороненої зони, що є необхідною умовою використання матеріалу у мікроелектроніці. Заборонену зону силіцену можна відкрити за допомогою прикладення ортогонального електричного поля або осадження сторонніх атомів чи молекул, проводячи т.зв. функціоналізацію. Додатково, використання кристалів на основі Силіцію у мікроелектроніці є більш доступним й навіть звичним у порівнянні із кристалами на основі Карбону.

Силіцен є цікавим матеріалом з точки зору фізики твердого тіла, оскільки він одночасно містить двовимірний електронний газ й значну спін-орбітальну взаємодію, дозволяючи тим самим спостерігати відкриття забороненої зони за доступних температур (близько 20 К), тим самим проявляючи топологічні властивості електронної будови. Подібні властивості силіцену роблять його кандидатом для спостережень низки квантових ефектів Холла, наприклад аномальний та спін-квантовий ефект Холла.

Хронологічно, силіцен — другий елементарний (такий, що складається лише з одного хімічного елементу) двовимірний матеріал після відкриття графену. Також існують роботи з синтезу та інших елементарних двовимірних матеріалів ([en], борофен тощо).

Примітки

Вікісховище має мультимедійні дані за темою: Силіцен
  1. Takeda, Kyozaburo; Shiraishi, Kenji (15 листопада 1994). Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite. Physical Review B. Т. 50, № 20. с. 14916—14922. doi:10.1103/PhysRevB.50.14916. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  2. Guzmán-Verri, Gian G.; Lew Yan Voon, L. C. (30 серпня 2007). Electronic structure of silicon-based nanostructures. Physical Review B. Т. 76, № 7. с. 075131. doi:10.1103/PhysRevB.76.075131. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  3. Cahangirov, S. (1 січня 2009). Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium. Physical Review Letters. Т. 102, № 23. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  4. Vogt, Patrick; De Padova, Paola; Quaresima, Claudio; Avila, Jose; Frantzeskakis, Emmanouil; Asensio, Maria Carmen; Resta, Andrea; Ealet, Bénédicte; Le Lay, Guy (12 квітня 2012). Silicene: Compelling Experimental Evidence for Graphenelike Two-Dimensional Silicon. Physical Review Letters. Т. 108, № 15. с. 155501. doi:10.1103/PhysRevLett.108.155501. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  5. Not just graphene - Materials Today. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  6. Material Question. The New Yorker. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)
  7. Drummond, N. D.; Zólyomi, V.; Fal'ko, V. I. (22 лютого 2012). Electrically tunable band gap in silicene. Physical Review B. Т. 85, № 7. с. 075423. doi:10.1103/PhysRevB.85.075423. Процитовано 2 грудня 2017.
  8. Zólyomi, V.; Wallbank, J. R.; Fal'ko, V. I. (15 квітня 2014). Silicane and germanane: tight-binding and first-principles studies. 2D Materials. Т. 1, № 1. с. 011005. doi:10.1088/2053-1583/1/1/011005. ISSN 2053-1583. Процитовано 2 грудня 2017.
  9. Huang, Bing; Xiang, H. J.; Wei, Su-Huai (2 жовтня 2013). Chemical Functionalization of Silicene: Spontaneous Structural Transition and Exotic Electronic Properties. Physical Review Letters. Т. 111, № 14. с. 145502. doi:10.1103/PhysRevLett.111.145502. Процитовано 2 грудня 2017.
  10. Liu, Cheng-Cheng; Feng, Wanxiang; Yao, Yugui (9 серпня 2011). Quantum Spin Hall Effect in Silicene and Two-Dimensional Germanium. Physical Review Letters. Т. 107, № 7. с. 076802. doi:10.1103/PhysRevLett.107.076802. Процитовано 2 грудня 2017.
  11. Dávila, M. E.; Xian, L.; Cahangirov, S.; Rubio, A.; Lay, G. Le (1 січня 2014). Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene. New Journal of Physics (англ.). Т. 16, № 9. с. 095002. doi:10.1088/1367-2630/16/9/095002. ISSN 1367-2630. Процитовано 2 серпня 2016. (англ.)

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Silice n en odnosharova alotropna forma Siliciyu Si atomi yakoyi utvoryuyut geksagonalnu kristalichnu gratku tipu bdzholinih stilnikiv honeycombs U silicenovij gratci atomi Siliciyu mayut zmishanu gibridizaciyu tipu sp2 sp3 takim chinom gratka ye periodichno zignutoyu angl buckled na vidminu vid planarnoyi gratki grafenu Elektronna struktura silicenu nagaduye strukturu grafenu mayuchi linijnu dispersiyu elektroniv na krayu zoni Brillyuena v K tochci vidtvoryuyuchi en Znimok poverhni epitaksijnogo silicenu 4 4 ta t zv multisharovogo R3 R3 silicenu Na razi vidomo dvi formi silicenu vilnij vid pidtrimki angl free standing ta epitaksijnij osadzhenij na pidkladku Isnuvannya vilnogo silicenu ye teoretichno sprognozovanim hocha eksperimentalnogo pidtverdzhennya poki sho nemaye Natomist v 2012 roci bulo eksperimentalno otrimano epitaksijnij silicen sho pidsililo zacikavlennya dvovimirnimi materialami pislya deyakogo spadu zacikavlennosti grafenom Odniyeyu iz perevag silicenu ye mozhlivist kontrolyu shirini zaboronenoyi zoni sho ye neobhidnoyu umovoyu vikoristannya materialu u mikroelektronici Zaboronenu zonu silicenu mozhna vidkriti za dopomogoyu prikladennya ortogonalnogo elektrichnogo polya abo osadzhennya storonnih atomiv chi molekul provodyachi t zv funkcionalizaciyu Dodatkovo vikoristannya kristaliv na osnovi Siliciyu u mikroelektronici ye bilsh dostupnim j navit zvichnim u porivnyanni iz kristalami na osnovi Karbonu Silicen ye cikavim materialom z tochki zoru fiziki tverdogo tila oskilki vin odnochasno mistit dvovimirnij elektronnij gaz j znachnu spin orbitalnu vzayemodiyu dozvolyayuchi tim samim sposterigati vidkrittya zaboronenoyi zoni za dostupnih temperatur blizko 20 K tim samim proyavlyayuchi topologichni vlastivosti elektronnoyi budovi Podibni vlastivosti silicenu roblyat jogo kandidatom dlya sposterezhen nizki kvantovih efektiv Holla napriklad anomalnij ta spin kvantovij efekt Holla Hronologichno silicen drugij elementarnij takij sho skladayetsya lishe z odnogo himichnogo elementu dvovimirnij material pislya vidkrittya grafenu Takozh isnuyut roboti z sintezu ta inshih elementarnih dvovimirnih materialiv en borofen tosho PrimitkiVikishovishe maye multimedijni dani za temoyu Silicen Takeda Kyozaburo Shiraishi Kenji 15 listopada 1994 Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite Physical Review B T 50 20 s 14916 14922 doi 10 1103 PhysRevB 50 14916 Procitovano 2 serpnya 2016 angl Guzman Verri Gian G Lew Yan Voon L C 30 serpnya 2007 Electronic structure of silicon based nanostructures Physical Review B T 76 7 s 075131 doi 10 1103 PhysRevB 76 075131 Procitovano 2 serpnya 2016 angl Cahangirov S 1 sichnya 2009 Two and One Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium Physical Review Letters T 102 23 doi 10 1103 PhysRevLett 102 236804 Procitovano 2 serpnya 2016 angl Vogt Patrick De Padova Paola Quaresima Claudio Avila Jose Frantzeskakis Emmanouil Asensio Maria Carmen Resta Andrea Ealet Benedicte Le Lay Guy 12 kvitnya 2012 Silicene Compelling Experimental Evidence for Graphenelike Two Dimensional Silicon Physical Review Letters T 108 15 s 155501 doi 10 1103 PhysRevLett 108 155501 Procitovano 2 serpnya 2016 angl Not just graphene Materials Today Procitovano 2 serpnya 2016 angl Material Question The New Yorker Procitovano 2 serpnya 2016 angl Drummond N D Zolyomi V Fal ko V I 22 lyutogo 2012 Electrically tunable band gap in silicene Physical Review B T 85 7 s 075423 doi 10 1103 PhysRevB 85 075423 Procitovano 2 grudnya 2017 Zolyomi V Wallbank J R Fal ko V I 15 kvitnya 2014 Silicane and germanane tight binding and first principles studies 2D Materials T 1 1 s 011005 doi 10 1088 2053 1583 1 1 011005 ISSN 2053 1583 Procitovano 2 grudnya 2017 Huang Bing Xiang H J Wei Su Huai 2 zhovtnya 2013 Chemical Functionalization of Silicene Spontaneous Structural Transition and Exotic Electronic Properties Physical Review Letters T 111 14 s 145502 doi 10 1103 PhysRevLett 111 145502 Procitovano 2 grudnya 2017 Liu Cheng Cheng Feng Wanxiang Yao Yugui 9 serpnya 2011 Quantum Spin Hall Effect in Silicene and Two Dimensional Germanium Physical Review Letters T 107 7 s 076802 doi 10 1103 PhysRevLett 107 076802 Procitovano 2 grudnya 2017 Davila M E Xian L Cahangirov S Rubio A Lay G Le 1 sichnya 2014 Germanene a novel two dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene New Journal of Physics angl T 16 9 s 095002 doi 10 1088 1367 2630 16 9 095002 ISSN 1367 2630 Procitovano 2 serpnya 2016 angl

Дата публікації:
Топ