Парофазна епітаксія

Парофазна епітаксія (англ. Vapor-phase epitaxy, VPE) — метод епітаксіального вирощування кристалів із паро-газової фази.

Технологія

Процес парофазного нарощування речовини оснований на реакціях синтезу або перекристалізації за рахунок хімічного перенесення, а також на перенесенні речовини шляхом випаровування та конденсації.

Один із способів має назву сендвіч-методу (метод малих інтервалів). Він полягає в тому, що вихідний порошкоподібний матеріал поміщають на малій відстані (0,1—1,0 мм) від монокристалічної підкладки, температура якої на 20—40° нижче, ніж у вихідної речовини. В присутності газу-носія (наприкла, водяна пара, галогени) відбувається кристалізація речовини на підкладці з дуже малими втратами (коефіцієнт перенесення досягає 90% від маси вихідної речовини).

Досконалішим та універсальним є метод, оснований на синтезі твердої речовини з летючих компонентів чи їх сполук. Легуючі домішки вводять у вигляді паровидних сполук. Використання цих сполук дає можливість дуже точно і легко керувати дозуванням компонентів з'єднання та легуючих домішок. в результаті вдається отримати шари твердих розчинів зі змінним за товщиною складом, що необхідно тоді, коли підкладка та нарощуваний матеріал мають погану сумісність (за параметрами кристалічної решітки та коефіцієнтом термічного розширення).

Джерела

• Казгикин О.Н., Марковский Л. Я, Миронов И. А., Пскерман Ф. М., Петошина Л. Н. Неорганические люминофоры — Л., «Химия», 1975. — 192 c.

Див. також

Кристал Напівпровідник Підкладка Хімічне осадження з парової фази

Епітаксія Рідкофазна епітаксія Молекулярно-променева епітаксія