Хімі́чне оса́дження з парово́ї фа́зи, ХОПФ (англ. Chemical vapor deposition, CVD) — хімічний процес, метод нанесення покриття, що використовується для отримання високоякісних чистих твердих матеріалів з високими характеристиками.
Процес полягає в нанесенні зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що покривається, коли метал, сплав, композиційний матеріал, діелектрик або кераміка осаджується на розігріту підкладку (основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються поблизу підкладки або на самій підкладці. В результаті цього на підкладці осаджується необхідний матеріал у формі хімічного елемента, сплаву або сполуки. Енергія для зазначених хімічних реакцій може бути забезпечена нагріванням підкладки плазмовим розрядом або променем лазера.
ХОПФ часто використовують в напівпровідниковій промисловості для виготовлення тонких плівок. Також використовується для виготовлення синтетичних діамантів, а також інших матеріалів, таких як кремній, карбід кремнію, [en], вольфрам, SiO₂, нітрид титану, різні діелектрики.
Різновиди ХОПФ
Наукова література описує різноманітні різновиди хімічного осадження з парової фази. Різницю становлять способи запуску хімічних реакцій та умовами.
Класифікація за тиском
- ХОПФ при атмосферному тиску (англ. Atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при атмосферному тиску.
- ХОПФ при низькому тиску (англ. Low pressure chemical vapor deposition, LPCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при тиску, що є нижчим за атмосферний. Низький тиск зменшує імовірність небажаних реакцій в газовій фазі та призводить до більш рівномірного осадженню плівки на підкладку.
- ХОПФ при (англ. Ultra-high vacuum chemical vapor deposition, UHVCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при надзвичайно низькому тиску, зазвичай нижче 10−6 Па (~10−8 міліметрів ртутного стовпа).
Більшість сучасних процесів ХОПФ є або LPCVD, або ж UHVCVD.
Класифікація за фізичними характеристиками пари
- ХОПФ, що підтримується аерозолем (англ. Aerosol-assisted chemical vapor deposition, AACVD)
- ХОПФ з прямою інжекцією рідини (англ. Direct liquid injection chemical vapor deposition, DLICVD)
Плазмові методи
- ХОПФ, що підтримується мікрохвильовою плазмою (англ. Microvawe plasma-assisted chemical vapor deposition, MPCVD)
- ХОПФ, що посилюється плазмою (англ. Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)
- ХОПФ, що посилюється непрямою плазмою (англ. Remote plasma-enhanced chemical vapor deposition, RPECVD)
- Атомно-шарове ХОПФ (англ. Atomic layer chemical vapor deposition, ALCVD) — при цьому процесі формуються послідовні шари різноманітних матеріалів для утворення багатошарових кристалічних плівок.
- ХОПФ спалювання (англ. Combustion chemical vapor deposition, CCVD) — процес, що відбувається у відкритій атмосфері, оснований на технології спалювання для осадження високоякісних тонких плівок та наноматеріалів.
- ХОПФ з гарячим дротом (англ. Hot wire chemical vapor deposition, HWCVD) — метод, також відомий як каталітичне ХОПФ (англ. catalytic chemical vapor deposition, Cat-CVD) або ХОПФ з гарячим наповненням (англ. hot filament chemical vapor deposition, HFCVD), що використовує гарячий наповнювач для хімічного розпаду газів.
- ХОПФ металорганічних сполук (англ. Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD) — процес, що використовує металорганічні прекурсори.
- Гібридне фізико-хімічне осадження з парової фази (англ. Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD) — процес осадження з парової фази, що включає як хімічний розпад прекурсорного газу, так і випаровування твердого матеріалу.
- Швидке термічне ХОПФ (англ. Rapid thermal chemical vapor deposition, RTCVD) — процес, в якому використовуються лампи розжарювання або інші методи для швидкого нагріву пластини підкладки. Розігрів лише підкладки, а не газу чи стінок камери, допомагає зменшити небажані реакції газової фази, які можуть призвести до утворення часток.
- Фотохімічне осадження з парової фази (англ. Photochemical vapor deposition, PCVD)
- Хімічно-променева епітаксія (англ. Chemical beam epitaxy, CBE)
Посилання
- From Bunsen to VLSI 150 Years of Growth in Chemical Vapor Deposition Technology [ 23 листопада 2010 у Wayback Machine.] (англ.)
- Принципи техніки CVD за допомогою FIB [ 24 квітня 2009 у Wayback Machine.] (англ.)
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Himi chne osa dzhennya z parovo yi fa zi HOPF angl Chemical vapor deposition CVD himichnij proces metod nanesennya pokrittya sho vikoristovuyetsya dlya otrimannya visokoyakisnih chistih tverdih materialiv z visokimi harakteristikami Plazmova ustanovka fioletove zabarvlennya priskoryuye rist vuglecevih nanotrubok v laboratornij ustanovci Proces polyagaye v nanesenni zovnishnogo pokrittya abo pokrittya z modifikaciyeyu poverhni sho pokrivayetsya koli metal splav kompozicijnij material dielektrik abo keramika osadzhuyetsya na rozigritu pidkladku osnovu Gazopodibni reagenti rozpadayutsya abo spoluchayutsya poblizu pidkladki abo na samij pidkladci V rezultati cogo na pidkladci osadzhuyetsya neobhidnij material u formi himichnogo elementa splavu abo spoluki Energiya dlya zaznachenih himichnih reakcij mozhe buti zabezpechena nagrivannyam pidkladki plazmovim rozryadom abo promenem lazera HOPF chasto vikoristovuyut v napivprovidnikovij promislovosti dlya vigotovlennya tonkih plivok Takozh vikoristovuyetsya dlya vigotovlennya sintetichnih diamantiv a takozh inshih materialiv takih yak kremnij karbid kremniyu en volfram SiO nitrid titanu rizni dielektriki Riznovidi HOPFHOPF sho posilyuyetsya plazmoyu Naukova literatura opisuye riznomanitni riznovidi himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi Riznicyu stanovlyat sposobi zapusku himichnih reakcij ta umovami Klasifikaciya za tiskom HOPF pri atmosfernomu tisku angl Atmospheric pressure chemical vapor deposition APCVD proces himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi vidbuvayetsya pri atmosfernomu tisku HOPF pri nizkomu tisku angl Low pressure chemical vapor deposition LPCVD proces himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi vidbuvayetsya pri tisku sho ye nizhchim za atmosfernij Nizkij tisk zmenshuye imovirnist nebazhanih reakcij v gazovij fazi ta prizvodit do bilsh rivnomirnogo osadzhennyu plivki na pidkladku HOPF pri angl Ultra high vacuum chemical vapor deposition UHVCVD proces himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi vidbuvayetsya pri nadzvichajno nizkomu tisku zazvichaj nizhche 10 6 Pa 10 8 milimetriv rtutnogo stovpa Bilshist suchasnih procesiv HOPF ye abo LPCVD abo zh UHVCVD Klasifikaciya za fizichnimi harakteristikami pari HOPF sho pidtrimuyetsya aerozolem angl Aerosol assisted chemical vapor deposition AACVD HOPF z pryamoyu inzhekciyeyu ridini angl Direct liquid injection chemical vapor deposition DLICVD Plazmovi metodi HOPF sho pidtrimuyetsya mikrohvilovoyu plazmoyu angl Microvawe plasma assisted chemical vapor deposition MPCVD HOPF sho posilyuyetsya plazmoyu angl Plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD HOPF sho posilyuyetsya nepryamoyu plazmoyu angl Remote plasma enhanced chemical vapor deposition RPECVD Atomno sharove HOPF angl Atomic layer chemical vapor deposition ALCVD pri comu procesi formuyutsya poslidovni shari riznomanitnih materialiv dlya utvorennya bagatosharovih kristalichnih plivok HOPF spalyuvannya angl Combustion chemical vapor deposition CCVD proces sho vidbuvayetsya u vidkritij atmosferi osnovanij na tehnologiyi spalyuvannya dlya osadzhennya visokoyakisnih tonkih plivok ta nanomaterialiv HOPF z garyachim drotom angl Hot wire chemical vapor deposition HWCVD metod takozh vidomij yak katalitichne HOPF angl catalytic chemical vapor deposition Cat CVD abo HOPF z garyachim napovnennyam angl hot filament chemical vapor deposition HFCVD sho vikoristovuye garyachij napovnyuvach dlya himichnogo rozpadu gaziv HOPF metalorganichnih spoluk angl Metalorganic chemical vapor deposition MOCVD proces sho vikoristovuye metalorganichni prekursori Gibridne fiziko himichne osadzhennya z parovoyi fazi angl Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition HPCVD proces osadzhennya z parovoyi fazi sho vklyuchaye yak himichnij rozpad prekursornogo gazu tak i viparovuvannya tverdogo materialu Shvidke termichne HOPF angl Rapid thermal chemical vapor deposition RTCVD proces v yakomu vikoristovuyutsya lampi rozzharyuvannya abo inshi metodi dlya shvidkogo nagrivu plastini pidkladki Rozigriv lishe pidkladki a ne gazu chi stinok kameri dopomagaye zmenshiti nebazhani reakciyi gazovoyi fazi yaki mozhut prizvesti do utvorennya chastok Fotohimichne osadzhennya z parovoyi fazi angl Photochemical vapor deposition PCVD Himichno promeneva epitaksiya angl Chemical beam epitaxy CBE PosilannyaFrom Bunsen to VLSI 150 Years of Growth in Chemical Vapor Deposition Technology 23 listopada 2010 u Wayback Machine angl Principi tehniki CVD za dopomogoyu FIB 24 kvitnya 2009 u Wayback Machine angl Div takozhHimichne osadzhennya z parovoyi fazi u sestrinskih Vikiproyektah Portal Himiya Proyekt Himiya Himichne osadzhennya z parovoyi fazi u Vikishovishi Tonka plivka Atomno sharove osadzhennya Himichne osadzhennya z gazovoyi fazi