DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate fourth generation synchronous dynamic random access memory) — тип оперативної пам'яті, що є еволюційним розвитком попередніх поколінь DDR (DDR, DDR2, DDR3). Відрізняється підвищеними частотними характеристиками і зниженою напругою. Основна відмінність DDR4 полягає у подвоєному до 16 числі банків, що дозволило вдвічі збільшити швидкість передачі — до 3,2 Гбіт / с. Пропускна здатність пам'яті DDR4 досягає 34,1 ГБ/c (у разі максимальної ефективної частоти 4266 МГц, визначеної специфікаціями). Крім того, підвищена надійність роботи за рахунок введення механізму контролю парності на шинах адреси і команд. Підтримує ефективні частоти від 1600 до 4266 МГц. У січні 2011 року компанія Samsung офіційно представила нові модулі, що працюють в режимі DDR4-2133 при напрузі 1,2 В.
Несумісна з попередніми типами пам'яті.
Розробка
JEDEC представила інформацію про DDR4 на конференції в Токіо. Судячи по слайдах, новинка повинна мати і підвищену частоту (від 2133 до 4266 МГц), і знижену напругу (від 1,1 до 1,2 В), порівняно з попередніми стандартами. Передбачуваний техпроцес — 32 і 36 нм. Масове виробництво намічалося на 2015 рік, а перші зразки для створення контролерів пам'яті і сумісних платформ — на 2011 рік.
У січні 2011 компанія Samsung вперше представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті 2 Гб, а напруга 1,2 В . Пізніше SK Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Hynix заявила про 80% збільшення продуктивності пам'яті в порівнянні з DDR3-1333. За оцінкою компанії Intel, вже в 2014 році DDR4 стане основним типом пам'яті DRAM, а до 2015 року ця пам'ять практично повністю витіснить використовувану зараз пам'ять DDR3.
Виробники почнуть пропонувати ознайомчі зразки модулів DDR4 в 2013 році. За даними Intel, DDR4 споживає на 35 % менше енергії, ніж DDR3L, а по пропускній здатності перевершує пам'ять попереднього покоління на 50 %.
У вересні 2012 року JEDEC опублікувала фінальний варіант специфікації DDR4.
У травні 2013 року на сайті компанії з'явилося повідомлення про те, що цей виробник став одним з перших постачальників ознайомлювальних зразків модулів пам'яті DDR4 RDIMM, призначених для серверів. За словами Innodisk, будучи результатом майже восьми років розробки, модулі DDR4 (Double Data Rate 4) значно перевершують використовувані зараз модулі DDR3. Вони забезпечують більш високу продуктивність, одночасно позитивно позначаючись на ціні, енергоспоживанні і тепловиділенні систем.
Максимальна пропускна здатність
Для розрахунку максимальної пропускної здатності пам'яті DDR4 необхідно її частоту помножити на 64 біта (8 байт), тобто розмір даних, що може бути переданий за 1 такт роботи пам'яті.
- Для пам'яті з частотою 2133 МГц (найнижча частота для пам'яті DDR4) максимальна пропускна спроможність складе 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт / c
- Для пам'яті з частотою 4266 МГц (найбільша частота, визначена в стандарті) максимальна пропускна спроможність складе 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт / c
Rowhammer
В листопаді 2021 року було оприлюднено дослідження з новим алгоритмом атаки на системи пам'яті DDR4. На відміну від попередніх версій, цей алгоритм здатен уразити всі сучасні чіпи DDR4.
Див. також
Посилання
- Початок нової епохи. Як працює оперативна пам'ять стандарту DDR4 [ 8 лютого 2016 у Wayback Machine.](рос.)
Це незавершена стаття про інформаційні технології. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
- Dan Goodin (15 листопада 2021). DDR4 memory protections are broken wide open by new Rowhammer technique. Ars Technica.
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
DDR4 SDRAM angl double data rate fourth generation synchronous dynamic random access memory tip operativnoyi pam yati sho ye evolyucijnim rozvitkom poperednih pokolin DDR DDR DDR2 DDR3 Vidriznyayetsya pidvishenimi chastotnimi harakteristikami i znizhenoyu naprugoyu Osnovna vidminnist DDR4 polyagaye u podvoyenomu do 16 chisli bankiv sho dozvolilo vdvichi zbilshiti shvidkist peredachi do 3 2 Gbit s Propuskna zdatnist pam yati DDR4 dosyagaye 34 1 GB c u razi maksimalnoyi efektivnoyi chastoti 4266 MGc viznachenoyi specifikaciyami Krim togo pidvishena nadijnist roboti za rahunok vvedennya mehanizmu kontrolyu parnosti na shinah adresi i komand Pidtrimuye efektivni chastoti vid 1600 do 4266 MGc U sichni 2011 roku kompaniya Samsung oficijno predstavila novi moduli sho pracyuyut v rezhimi DDR4 2133 pri napruzi 1 2 V Para planok pam yati 8 GB DDR4 2133 ECC 1 2 V Nesumisna z poperednimi tipami pam yati RozrobkaJEDEC predstavila informaciyu pro DDR4 na konferenciyi v Tokio Sudyachi po slajdah novinka povinna mati i pidvishenu chastotu vid 2133 do 4266 MGc i znizhenu naprugu vid 1 1 do 1 2 V porivnyano z poperednimi standartami Peredbachuvanij tehproces 32 i 36 nm Masove virobnictvo namichalosya na 2015 rik a pershi zrazki dlya stvorennya kontroleriv pam yati i sumisnih platform na 2011 rik U sichni 2011 kompaniya Samsung vpershe predstavila modul DDR4 Tehproces sklav 30 nm obsyag pam yati 2 Gb a napruga 1 2 V Piznishe SK Hynix predstavila svij pershij modul DDR4 yakij perevershiv modul Samsung za chastotoyu 2400 MGc zamist 2133 Hynix zayavila pro 80 zbilshennya produktivnosti pam yati v porivnyanni z DDR3 1333 Za ocinkoyu kompaniyi Intel vzhe v 2014 roci DDR4 stane osnovnim tipom pam yati DRAM a do 2015 roku cya pam yat praktichno povnistyu vitisnit vikoristovuvanu zaraz pam yat DDR3 Virobniki pochnut proponuvati oznajomchi zrazki moduliv DDR4 v 2013 roci Za danimi Intel DDR4 spozhivaye na 35 menshe energiyi nizh DDR3L a po propusknij zdatnosti perevershuye pam yat poperednogo pokolinnya na 50 U veresni 2012 roku JEDEC opublikuvala finalnij variant specifikaciyi DDR4 U travni 2013 roku na sajti kompaniyi z yavilosya povidomlennya pro te sho cej virobnik stav odnim z pershih postachalnikiv oznajomlyuvalnih zrazkiv moduliv pam yati DDR4 RDIMM priznachenih dlya serveriv Za slovami Innodisk buduchi rezultatom majzhe vosmi rokiv rozrobki moduli DDR4 Double Data Rate 4 znachno perevershuyut vikoristovuvani zaraz moduli DDR3 Voni zabezpechuyut bilsh visoku produktivnist odnochasno pozitivno poznachayuchis na cini energospozhivanni i teplovidilenni sistem Maksimalna propuskna zdatnistDlya rozrahunku maksimalnoyi propusknoyi zdatnosti pam yati DDR4 neobhidno yiyi chastotu pomnozhiti na 64 bita 8 bajt tobto rozmir danih sho mozhe buti peredanij za 1 takt roboti pam yati Dlya pam yati z chastotoyu 2133 MGc najnizhcha chastota dlya pam yati DDR4 maksimalna propuskna spromozhnist sklade 2133 8 17 064 Megabajt c Dlya pam yati z chastotoyu 4266 MGc najbilsha chastota viznachena v standarti maksimalna propuskna spromozhnist sklade 4266 8 34 128 Megabajt cRowhammerDokladnishe V listopadi 2021 roku bulo oprilyudneno doslidzhennya z novim algoritmom ataki na sistemi pam yati DDR4 Na vidminu vid poperednih versij cej algoritm zdaten uraziti vsi suchasni chipi DDR4 Div takozhDDR SDRAMPosilannyaPochatok novoyi epohi Yak pracyuye operativna pam yat standartu DDR4 8 lyutogo 2016 u Wayback Machine ros Ce nezavershena stattya pro informacijni tehnologiyi Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Dan Goodin 15 listopada 2021 DDR4 memory protections are broken wide open by new Rowhammer technique Ars Technica