Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Транзистор з високою рухливістю електронів (HEMT — англ. High Electron Mobility Transistor) — польовий транзистор, в якому для створення каналу замість легованої області, на відміну від звичайних МДН- транзисторів, використовується контакт двох напівпровідникових матеріалів з різною шириною забороненої зони (Гетероперехід). Інші назви цих транзисторів: польові транзистори з керуючим переходом метал—напівпровідник і гетеропереходом, польові транзистори з модульованим легуванням, селективно—леговані гетероструктурні транзистори. У зарубіжній літературі їх позначають: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT.
Структура
На малюнку представлена структура HEMT-транзистора в розрізі. На напівізолюючій підкладці арсеніду галію (GaAs) вирощується нелегований буферний шар GaAs. На ньому нарощується тонкий шар напівпровідника з іншою шириною забороненої зони — InGaAs, такий, що утворюється область двовимірного електронного газу (2DEG). Зверху шар захищається тонким спейсером на основі арсеніду алюмінію-галію (AlGaAs). Вище знаходяться легований кремнієм шар n-AlGaAs і сильнолегований шар n +-GaAs під контактними площинками стоку і витоку. Контакт затвора наближений до області двовимірного електронного газу.
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Tranzistor z visokoyu ruhlivistyu elektroniv HEMT angl High Electron Mobility Transistor polovij tranzistor v yakomu dlya stvorennya kanalu zamist legovanoyi oblasti na vidminu vid zvichajnih MDN tranzistoriv vikoristovuyetsya kontakt dvoh napivprovidnikovih materialiv z riznoyu shirinoyu zaboronenoyi zoni Geteroperehid Inshi nazvi cih tranzistoriv polovi tranzistori z keruyuchim perehodom metal napivprovidnik i geteroperehodom polovi tranzistori z modulovanim leguvannyam selektivno legovani geterostrukturni tranzistori U zarubizhnij literaturi yih poznachayut HFET HEMFET MODFET TEGFET SDHT Struktura HEMTStrukturared Na malyunku predstavlena struktura HEMT tranzistora v rozrizi Na napivizolyuyuchij pidkladci arsenidu galiyu GaAs viroshuyetsya nelegovanij bufernij shar GaAs Na nomu naroshuyetsya tonkij shar napivprovidnika z inshoyu shirinoyu zaboronenoyi zoni InGaAs takij sho utvoryuyetsya oblast dvovimirnogo elektronnogo gazu 2DEG Zverhu shar zahishayetsya tonkim spejserom na osnovi arsenidu alyuminiyu galiyu AlGaAs Vishe znahodyatsya legovanij kremniyem shar n AlGaAs i silnolegovanij shar n GaAs pid kontaktnimi ploshinkami stoku i vitoku Kontakt zatvora nablizhenij do oblasti dvovimirnogo elektronnogo gazu Div takozhred nbsp Cya stattya ye zagotovkoyu Vi mozhete dopomogti proyektu dorobivshi yiyi Ce povidomlennya varto zaminiti tochnishim Otrimano z https uk wikipedia org w index php title HEMT amp oldid 28031373