Транзистор з високою рухливістю електронів (HEMT — англ. High Electron Mobility Transistor) — польовий транзистор, в якому для створення каналу замість легованої області, на відміну від звичайних МДН- транзисторів, використовується контакт двох напівпровідникових матеріалів з різною шириною забороненої зони (Гетероперехід). Інші назви цих транзисторів: польові транзистори з керуючим переходом метал—напівпровідник і гетеропереходом, польові транзистори з модульованим легуванням, селективно—леговані гетероструктурні транзистори. У зарубіжній літературі їх позначають: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT.
Структура
На малюнку представлена структура HEMT-транзистора в розрізі. На напівізолюючій підкладці арсеніду галію (GaAs) вирощується нелегований буферний шар GaAs. На ньому нарощується тонкий шар напівпровідника з іншою шириною забороненої зони — InGaAs, такий, що утворюється область двовимірного електронного газу (2DEG). Зверху шар захищається тонким спейсером на основі арсеніду алюмінію-галію (AlGaAs). Вище знаходяться легований кремнієм шар n-AlGaAs і сильнолегований шар n +-GaAs під контактними площинками стоку і витоку. Контакт затвора наближений до області двовимірного електронного газу.
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет