DDR

DDR (від англ. Double Data Rate — подвійна швидкість передачі даних) — один з типів оперативної пам'яті, які використовуються в комп'ютерах. Технологія DDR SDRAM дозволяє передавати дані по обох фронтах кожного тактового імпульсу, що дозволяє подвоїти пропускну здатність пам'яті.

Модуль пам'яті DDR з 184 контактами

Стандарти JEDEC

Стандартна назва	Частота пам'яті	Час циклу	Назва модуля	Пікова пропускна здатність
DDR-200	100 МГц	10 нс	PC-1600	1600 МБ/с
DDR-266	133 МГц	7.5 нс	PC-2100	2133 МБ/с
DDR-333	166 МГц	6 нс	PC-2700	2667 МБ/с
DDR-400	200 МГц	5 нс	PC-3200	3200 МБ/с

Модулі

Модулі пам'яті DDR SDRAM можна відрізнити від звичайної SDRAM за кількістю виводів (184 виводів у модулів DDR проти 168 виводів у модулів із звичайною SDRAM) і по ключу (вирізи в області контактних площинок) — у SDRAM два, у DDR ​​— один. Згідно JEDEC, модулі DDR400 працюють при напрузі живлення 2,6 В, а повільніші — при напрузі 2,5 В. Деякі швидкісні модулі для досягнення високих частот працюють при великих напругах, до 2,9 В.

Більшість останніх чипсетів з підтримкою DDR дозволяли використовувати модулі DDR SDRAM в двоканальному, а деякі чипсети і в чотириканальному режимі. Даний метод дозволяє збільшити в 2 або 4 рази відповідно теоретичну пропускну здатність шини пам'яті. Для роботи пам'яті у двоканальному режимі потрібно 2 (або 4) модуля пам'яті, рекомендується використовувати модулі, що працюють на одній частоті і мають однаковий обсяг і тимчасові затримки (латентність, таймінги). Ще краще використовувати абсолютно однакові модулі.

Зараз модулі DDR практично витіснені модулями типів DDR2 і DDR3, які в результаті деяких змін в архітектурі дозволяють отримати більшу пропускну здатність підсистеми пам'яті. Раніше головним конкурентом DDR SDRAM була пам'ять типу RDRAM (Rambus), проте зважаючи на наявність деяких недоліків з часом була практично витіснена з ринку.

Див. також

• DDR4 SDRAM