Ця стаття містить , але походження тверджень у ній через практично повну відсутність . |
Лавинно-пролітний напівпровідниковий діод (ЛПД) (англ. IMPATT diode (IMPact ionization Avalanche Transit-Time)) - напівпровідниковий прилад з негативним опором, що виникає через зсув фаз між струмом і напругою на виводах приладу внаслідок інерційних властивостей лавинного множення носіїв заряду і кінцевого часу їх прольоту в області р-n-переходу. Лавинне множення в р-n-переході викликане ударною іонізацією атомів носіями заряду. На відміну від інших приладів цього класу (тунельних діодів, тиристорів, діодів Ганна), негативний опір ЛПД проявляється тільки на НВЧ. Ідея створення ЛПД вперше висловлена американським фізиком В. Рідом в 1958. Експериментально генерація коливань за допомогою ЛПД вперше спостерігалась в СРСР в 1959 групою співробітників під кер. О. С. Тагера.
ЛПД застосовуються для генерування коливань в діапазоні частот від 1 до 300 ГГц. Потужність коливань складає одиниці Вт (при ККД ~ 10%). У 1967 був відкритий режим роботи ЛПД, при якому електричні коливання виникають відразу на 2 частотах: частоті f0, характерної для звичайного режиму, і її субгармоніці f0/fn, де n > 3. Цей режим відрізняється високими значеннями ККД (до 60%) і високими рівнями потужності на субгармоніках (до декількох сотень Вт).
Для отримання ЛПД можуть бути використані структури типу p+-n-i-n+ (діод Ріда), p-i-n, р-n, р+-n і р-n+, утворені дифузією домішок, іонною імплантацією, епітаксіальним нарощуванням, напиленням у вакуумі з утворенням бар'єру Шотткі. При виготовленні їх застосовують напівпровідникові матеріали з високою дрейфовою швидкістю носіїв заряду і великою шириною забороненої зони (GaAs, Si, Ge).
Джерела
- БСЭ
- Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавинно-пролітні діоди і їх застосування в техніці НВЧ, М., 1968.
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Cya stattya mistit perelik posilan ale pohodzhennya tverdzhen u nij zalishayetsya nezrozumilim cherez praktichno povnu vidsutnist vnutrishnotekstovih dzherel vinosok Bud laska dopomozhit polipshiti cyu stattyu peretvorivshi dzherela z pereliku posilan na dzherela vinoski u samomu teksti statti Lavinno prolitnij napivprovidnikovij diod LPD angl IMPATT diode IMPact ionization Avalanche Transit Time napivprovidnikovij prilad z negativnim oporom sho vinikaye cherez zsuv faz mizh strumom i naprugoyu na vivodah priladu vnaslidok inercijnih vlastivostej lavinnogo mnozhennya nosiyiv zaryadu i kincevogo chasu yih prolotu v oblasti r n perehodu Lavinne mnozhennya v r n perehodi viklikane udarnoyu ionizaciyeyu atomiv nosiyami zaryadu Na vidminu vid inshih priladiv cogo klasu tunelnih diodiv tiristoriv diodiv Ganna negativnij opir LPD proyavlyayetsya tilki na NVCh Ideya stvorennya LPD vpershe vislovlena amerikanskim fizikom V Ridom v 1958 Eksperimentalno generaciya kolivan za dopomogoyu LPD vpershe sposterigalas v SRSR v 1959 grupoyu spivrobitnikiv pid ker O S Tagera LPD zastosovuyutsya dlya generuvannya kolivan v diapazoni chastot vid 1 do 300 GGc Potuzhnist kolivan skladaye odinici Vt pri KKD 10 U 1967 buv vidkritij rezhim roboti LPD pri yakomu elektrichni kolivannya vinikayut vidrazu na 2 chastotah chastoti f0 harakternoyi dlya zvichajnogo rezhimu i yiyi subgarmonici f0 fn de n gt 3 Cej rezhim vidriznyayetsya visokimi znachennyami KKD do 60 i visokimi rivnyami potuzhnosti na subgarmonikah do dekilkoh soten Vt Dlya otrimannya LPD mozhut buti vikoristani strukturi tipu p n i n diod Rida p i n r n r n i r n utvoreni difuziyeyu domishok ionnoyu implantaciyeyu epitaksialnim naroshuvannyam napilennyam u vakuumi z utvorennyam bar yeru Shottki Pri vigotovlenni yih zastosovuyut napivprovidnikovi materiali z visokoyu drejfovoyu shvidkistyu nosiyiv zaryadu i velikoyu shirinoyu zaboronenoyi zoni GaAs Si Ge DzherelaBSE Tager A S Vald Perlov V M Lavinno prolitni diodi i yih zastosuvannya v tehnici NVCh M 1968 Div takozhtunelnij diod diod Ganna PIN diodCya stattya ye zagotovkoyu Vi mozhete dopomogti proyektu dorobivshi yiyi Ce povidomlennya varto zaminiti tochnishim