Ця стаття не містить . (вересень 2018) |
Бандгап (англ. bandgap, заборонена зона) - стабільне транзисторне джерело опорної напруги (ДОН), величина якого визначається шириною забороненої зони використовуваного напівпровідника. Для легованого монокристалічного кремнію, що має при Т = 0 ширину забороненої зони Eg = 1143 еВ, напруга VREF на виході бандгапа зазвичай становить від 1,18 до 1,25 В або кратна цій величині, а його граничне відхилення від норми у всьому діапазоні робочих температур і струмів становить не більше 3%. Бандгапи виготовляються у вигляді двухвивідних «прецизійних діодів» і аналогових мікросхем, але основна область їх застосування - внутрішні джерела опорних напруг, вбудовані в мікросхеми пам'яті, стабілізатори напруги, монітори (супервізори) кіл живлення цифрової техніки, аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачів.
Основні топології бандгапів були розроблені і впроваджені в 1970-і роки. У сучасній промисловості в простих пристроях застосовуються бандгапи Відлара, в більш вимогливих - бандгапи Брокау. Найкращу точність і стабільність забезпечують розроблені в 1990-х роках «супербандгапи» зі схемами корекції нелінійності і початкового відхилення напруги. Вони поступаються у точності ДОН на стабілітронах з прихованою структурою, але при цьому дешевші у виробництві і здатні працювати при менших напругах і струмах живлення. Існують побудовані за принципом бандгапа схеми, генеруючі опорну напругу в 200 мВ при напрузі живлення не більше 1 В і схеми, які споживають струм не більше 1 мкА .
Це незавершена стаття про електрику. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Див. також
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Cya stattya ne mistit posilan na dzherela Vi mozhete dopomogti polipshiti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno veresen 2018 Bandgap angl bandgap zaboronena zona stabilne tranzistorne dzherelo opornoyi naprugi DON velichina yakogo viznachayetsya shirinoyu zaboronenoyi zoni vikoristovuvanogo napivprovidnika Dlya legovanogo monokristalichnogo kremniyu sho maye pri T 0 shirinu zaboronenoyi zoni Eg 1143 eV napruga VREF na vihodi bandgapa zazvichaj stanovit vid 1 18 do 1 25 V abo kratna cij velichini a jogo granichne vidhilennya vid normi u vsomu diapazoni robochih temperatur i strumiv stanovit ne bilshe 3 Bandgapi vigotovlyayutsya u viglyadi dvuhvividnih precizijnih diodiv i analogovih mikroshem ale osnovna oblast yih zastosuvannya vnutrishni dzherela opornih naprug vbudovani v mikroshemi pam yati stabilizatori naprugi monitori supervizori kil zhivlennya cifrovoyi tehniki analogo cifrovih ta cifro analogovih peretvoryuvachiv Istorichno persha versiya bandgapa Brokau U piznishih shemah Brokau zaminiv tranzistor T4 na operacijnij pidsilyuvach Osnovni topologiyi bandgapiv buli rozrobleni i vprovadzheni v 1970 i roki U suchasnij promislovosti v prostih pristroyah zastosovuyutsya bandgapi Vidlara v bilsh vimoglivih bandgapi Brokau Najkrashu tochnist i stabilnist zabezpechuyut rozrobleni v 1990 h rokah superbandgapi zi shemami korekciyi nelinijnosti i pochatkovogo vidhilennya naprugi Voni postupayutsya u tochnosti DON na stabilitronah z prihovanoyu strukturoyu ale pri comu deshevshi u virobnictvi i zdatni pracyuvati pri menshih naprugah i strumah zhivlennya Isnuyut pobudovani za principom bandgapa shemi generuyuchi opornu naprugu v 200 mV pri napruzi zhivlennya ne bilshe 1 V i shemi yaki spozhivayut strum ne bilshe 1 mkA Ce nezavershena stattya pro elektriku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Div takozh