Центр рекомбінації (англ. recombination center) — локальний дефект кристалічної ґратки, на якому відбувається рекомбінація електрон-діркової пари. Цетром рекомбінації може бути дефект, енергетичний рівень якого розміщений біля середини забороненої зони.Таку роль можуть виконувати домішкові атоми або іони, різні включення в кристалі, незаповнені вузли кристалічної ґратки, тріщини та інші недосконалості об'єму чи поверхні. Центр може почергово захоплювати електрони та дірки, тобто, фактично, є рекомбінаційною пасткою носіїв заряду.
Процес рекомбінації здійснюється шляхом захоплення центром електрона із зони провідності з наступним захопленням дірки з валентної зони. За цього відбувається виділення енергії, величина якої дорівнює ширині забороненої зони. За випромінювальної рекомбінації ця енергія виділяється у вигляді електромагнітного випромінювання, за безвипромінювальної — передається кристалічній ґратці з утворенням фононів або через кулонівську взаємодію іншому електрону зони, переводячи його у високоенергетичний стан ((оже - рекомбінація)), який, релаксуючи, передає цю енергію знову ж кристалічній ґратці.
Див. також
(Генерація носіїв струму)
Джерела
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. (1977). Физика полупроводников. Москва: Наука.
![]() | Це незавершена стаття про електрику. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
![]() | Це незавершена стаття з фізики. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет