Пра́вило подві́йного зв'язку́ — уявлення, що атоми з головним квантовим числом більшим за 2 (елементи третього періоду та нижче) не можуть утворювати стабільні кратні зв'язки з атомами того ж елементу, або атомами інших елементів. Було спростоване у 1981 році синтезом стабільних силенів (Si=C), (Si=Si) та (P=P).
Див. також
Примітки
- New Element-Carbon (p-p) Bonds Doz. Dr. Peter Jutzi Angewandte Chemie International Edition in English Volume 14 Issue 4, Pages 232–245 1975 DOI:10.1002/anie.197502321
- Yoshifuji, M.; Shima, I.; Inamoto, N.; Hirotsu, K.; Higuchi, T. (1981). Synthesis and Structure of Bis(2,4,6-Tri-Tert-Butylphenyl)Diphosphene - Isolation of A True Phosphobenzene. J. Am. Chem. Soc. 103: 4587—4589. doi:10.1021/ja00405a054.
- West, R.; Fink, M. J.; Michl, J. Tetramesityldisilene, a Stable Compound Containing a Silicon-Silicon Double Bond Science 1981, Vol. 214, pp. 1343–1344. DOI:10.1126/science.214.4527.1343.
- A solid silaethene: isolation and characterization Adrian G. Brook, Fereydon Abdesaken, Brigitte Gutekunst, Gerhard Gutekunst and R. Krishna Kallury J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1981, 191–192 DOI:10.1039/C39810000191
Це незавершена стаття з хімії. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Pra vilo podvi jnogo zv yazku uyavlennya sho atomi z golovnim kvantovim chislom bilshim za 2 elementi tretogo periodu ta nizhche ne mozhut utvoryuvati stabilni kratni zv yazki z atomami togo zh elementu abo atomami inshih elementiv Bulo sprostovane u 1981 roci sintezom stabilnih sileniv Si C Si Si ta P P Div takozhPravilo BredtaPrimitkiNew Element Carbon p p Bonds Doz Dr Peter Jutzi Angewandte Chemie International Edition in English Volume 14 Issue 4 Pages 232 245 1975 DOI 10 1002 anie 197502321 Yoshifuji M Shima I Inamoto N Hirotsu K Higuchi T 1981 Synthesis and Structure of Bis 2 4 6 Tri Tert Butylphenyl Diphosphene Isolation of A True Phosphobenzene J Am Chem Soc 103 4587 4589 doi 10 1021 ja00405a054 West R Fink M J Michl J Tetramesityldisilene a Stable Compound Containing a Silicon Silicon Double Bond Science 1981 Vol 214 pp 1343 1344 DOI 10 1126 science 214 4527 1343 A solid silaethene isolation and characterization Adrian G Brook Fereydon Abdesaken Brigitte Gutekunst Gerhard Gutekunst and R Krishna Kallury J Chem Soc Chem Commun 1981 191 192 DOI 10 1039 C39810000191 Ce nezavershena stattya z himiyi Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi