Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Олександр Євгенович Бєляєв (25 червня 1947, Київ) — український фізик, дійсний член НАН України. Доктор фізико-математичних наук (1991), професор (1999), член-кореспондент НАН України (2006), дійсний член НАН України (2018).
| Бєляєв Олександр Євгенович | |
|---|---|
| Народився | 25 червня 1947[1] (77 років) Київ, Українська РСР, СРСР |
| Країна |  СРСР Україна |
| Діяльність | фізик |
| Alma mater | КНУ імені Тараса Шевченка |
| Заклад | Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України |
| Науковий ступінь | доктор фізико-математичних наук |
| Членство | НАН України |
| Нагороди | |
Життєпис
Народився 25 червня 1947 року в Києві. У 1972 році закінчив Київський університет. З 1973 працює в Інституті фізики напівпровідників НАН України (з 2003 — заступник директора, з 2011 — директор).
Наукові праці стосуються експериментальної фізики напівпровідників, зокрема дослідження транспортних і оптичних явищ у квантових багатошарових гетероструктурах і системах зі зниженою розмірністю. Спільно з іншими з'ясував вплив особливостей зонної структури та специфіки розсіяння носіїв заряду при поглинанні інфрачервоного випромінювання. Досліджує електронні властивості напівпровідникових гетероструктур, явища переносу в низьковимірних системах, їх застосування в приладах НВЧ-електроніки.
Нагороди
- Лауреат премії НАН України імені В. Є. Лашкарьова ()
- Лауреат премії НАН України імені Н. Д. Моргуліса (2013)
Праці
- Coexistense of two deep donor states, DX0 and DX, of the Sn donor in Ga1-xAIxAs // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45 (співавт.);
- Radiation resistance of GaAs-based mictowave Schottky-barrier devices. K., 1998 (співавт.);
- Tunneling through X-valley-related impyrity states in GaAs/AIAs resonant tunneling diodes // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, № 16 (співавт.);
- Excess low-frequency noise in AIGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, № 12 (співавт.).
Примітки
- http://esu.com.ua/search_articles.php?id=41715
Посилання
- Сторінка на сайті НАН України [ 3 лютого 2020 у Wayback Machine.]
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Oleksandr Yevgenovich Byelyayev 25 chervnya 1947 1947 06 25 Kiyiv ukrayinskij fizik dijsnij chlen NAN Ukrayini Doktor fiziko matematichnih nauk 1991 profesor 1999 chlen korespondent NAN Ukrayini 2006 dijsnij chlen NAN Ukrayini 2018 Byelyayev Oleksandr YevgenovichNarodivsya25 chervnya 1947 1947 06 25 1 77 rokiv Kiyiv Ukrayinska RSR SRSRKrayina SRSR UkrayinaDiyalnistfizikAlma materKNU imeni Tarasa ShevchenkaZakladInstitut fiziki napivprovidnikiv imeni V Ye Lashkarova NAN UkrayiniNaukovij stupindoktor fiziko matematichnih naukChlenstvoNAN UkrayiniNagorodiPremiya NAN Ukrayini imeni V Ye Lashkarova Premiya NAN Ukrayini imeni N D MorgulisaZhittyepisNarodivsya 25 chervnya 1947 roku v Kiyevi U 1972 roci zakinchiv Kiyivskij universitet Z 1973 pracyuye v Instituti fiziki napivprovidnikiv NAN Ukrayini z 2003 zastupnik direktora z 2011 direktor Naukovi praci stosuyutsya eksperimentalnoyi fiziki napivprovidnikiv zokrema doslidzhennya transportnih i optichnih yavish u kvantovih bagatosharovih geterostrukturah i sistemah zi znizhenoyu rozmirnistyu Spilno z inshimi z yasuvav vpliv osoblivostej zonnoyi strukturi ta specifiki rozsiyannya nosiyiv zaryadu pri poglinanni infrachervonogo viprominyuvannya Doslidzhuye elektronni vlastivosti napivprovidnikovih geterostruktur yavisha perenosu v nizkovimirnih sistemah yih zastosuvannya v priladah NVCh elektroniki NagorodiLaureat premiyi NAN Ukrayini imeni V Ye Lashkarova Laureat premiyi NAN Ukrayini imeni N D Morgulisa 2013 PraciCoexistense of two deep donor states DX0 and DX of the Sn donor in Ga1 xAIxAs Phys Rev B 1992 Vol 45 spivavt Radiation resistance of GaAs based mictowave Schottky barrier devices K 1998 spivavt Tunneling through X valley related impyrity states in GaAs AIAs resonant tunneling diodes Phys Rev B 2000 Vol 61 16 spivavt Excess low frequency noise in AIGaN GaN based high electron mobility transistors Appl Phys Lett 2002 Vol 80 12 spivavt Primitkihttp esu com ua search articles php id 41715PosilannyaStorinka na sajti NAN Ukrayini 3 lyutogo 2020 u Wayback Machine