Монооксид кремнію (моноксид кремнію, силіцій(II) оксид) — сполука кремнію з киснем загальної формули SiO. Існує в молекулярному (газоподібному) та твердому (конденсованому) стані. Газуватий SiO був виявлений у зорях, і вважається найбільш розповсюдженим оксидом кремнію у всесвіті.
Силіцій (II) оксид | |
---|---|
Інші назви | Моно(о)ксид кремнію |
Ідентифікатори | |
Номер CAS | 10097-28-6 |
PubChem | 66241 |
Номер EINECS | 233-232-8 |
Назва MeSH | Silicon+monoxide |
ChEBI | 30588 |
SMILES | [O+]#[Si-] |
InChI | InChI=1S/OSi/c1-2 |
Номер Гмеліна | 382 |
Властивості | |
Молекулярна формула | SiO |
Молярна маса | 44,08 г/моль |
Зовнішній вигляд | чорно-коричнева крихка тверда речовина |
Густина | 2,13 г/см³ |
Тпл | 1702 °C |
Ткип | 1880 °C |
Розчинність (вода) | нерозчинний |
Небезпеки | |
NFPA 704 | 0 1 0 |
Температура спалаху | Незаймистий |
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
Примітки картки |
Утворюється при взаємодії діоксиду кремнію (SiO2) з твердим відновником (наприклад, металічним кремнієм чи вугіллям) за температур вище 1200 °C і високого вакууму (p<10−3 торр):
- Неможливо розібрати вираз (SVG (MathML можна ввімкнути через плагін браузера): Недійсна відповідь («Math extension cannot connect to Restbase.») від сервера «http://localhost:6011/uk.wikipedia.org/v1/»:): {\displaystyle SiO_{2} + C \rightleftharpoons SiO + CO}
- .
В газовій фазі існує як у вигляді мономерів, так і димерів Si2O2 і тримерів Si3O3, що доведено методом матричної ізоляції. При осадженні на холодну поверхню утворює твердий монооксид кремнію.
Твердий моноксид кремнію — виключно аморфна речовина. Дані щодо його структури досі суперечливі. Два основні підходи розглядають його як 1) систему доменів Si та SiO2 чи 2) сітку з 4-координованими атомами силіцію, частина позицій в якій зайнята іншими атомами силіцію. Відомо, що в температурному інтервалі 400–900 °C моноксид кремнію диспропорціонує на металічний кремній, оточений шаром SiO2. Цей метод, зокрема, використовують для одержання квантових точок для подальшого застосування в світловипромінюючих діодах (LED).
Джерела
- Брауэр Г. (ред.) Руководство по неорганическому синтезу. (В 6 томах). Т.3. Москва «Мир». 1985. С. 762
- Silicon Chemistry. From the Atom to Extended Systems, Jutzi, P. and Schubert, U., Eds., Wiley-VCH, Weinheim, 2003
Це незавершена стаття про неорганічну сполуку. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Monooksid kremniyu monoksid kremniyu silicij II oksid spoluka kremniyu z kisnem zagalnoyi formuli SiO Isnuye v molekulyarnomu gazopodibnomu ta tverdomu kondensovanomu stani Gazuvatij SiO buv viyavlenij u zoryah i vvazhayetsya najbilsh rozpovsyudzhenim oksidom kremniyu u vsesviti Silicij II oksid Inshi nazvi Mono o ksid kremniyu Identifikatori Nomer CAS 10097 28 6PubChem 66241Nomer EINECS 233 232 8Nazva MeSH Silicon monoxideChEBI 30588SMILES O Si InChI InChI 1S OSi c1 2Nomer Gmelina 382 Vlastivosti Molekulyarna formula SiO Molyarna masa 44 08 g mol Zovnishnij viglyad chorno korichneva krihka tverda rechovina Gustina 2 13 g sm Tpl 1702 C Tkip 1880 C Rozchinnist voda nerozchinnij Nebezpeki NFPA 704 0 1 0 Temperatura spalahu Nezajmistij Yaksho ne zaznacheno inshe dani navedeno dlya rechovin u standartnomu stani za 25 C 100 kPa Instrukciya z vikoristannya shablonu Primitki kartki Utvoryuyetsya pri vzayemodiyi dioksidu kremniyu SiO2 z tverdim vidnovnikom napriklad metalichnim kremniyem chi vugillyam za temperatur vishe 1200 C i visokogo vakuumu p lt 10 3 torr Nemozhlivo rozibrati viraz SVG MathML mozhna vvimknuti cherez plagin brauzera Nedijsna vidpovid Math extension cannot connect to Restbase vid servera http localhost 6011 uk wikipedia org v1 displaystyle SiO 2 C rightleftharpoons SiO CO S i O 2 S i 2 S i O displaystyle SiO 2 Si rightleftharpoons 2SiO V gazovij fazi isnuye yak u viglyadi monomeriv tak i dimeriv Si2O2 i trimeriv Si3O3 sho dovedeno metodom matrichnoyi izolyaciyi Pri osadzhenni na holodnu poverhnyu utvoryuye tverdij monooksid kremniyu Tverdij monoksid kremniyu viklyuchno amorfna rechovina Dani shodo jogo strukturi dosi superechlivi Dva osnovni pidhodi rozglyadayut jogo yak 1 sistemu domeniv Si ta SiO2 chi 2 sitku z 4 koordinovanimi atomami siliciyu chastina pozicij v yakij zajnyata inshimi atomami siliciyu Vidomo sho v temperaturnomu intervali 400 900 C monoksid kremniyu disproporcionuye na metalichnij kremnij otochenij sharom SiO2 Cej metod zokrema vikoristovuyut dlya oderzhannya kvantovih tochok dlya podalshogo zastosuvannya v svitloviprominyuyuchih diodah LED DzherelaBrauer G red Rukovodstvo po neorganicheskomu sintezu V 6 tomah T 3 Moskva Mir 1985 S 762 Silicon Chemistry From the Atom to Extended Systems Jutzi P and Schubert U Eds Wiley VCH Weinheim 2003 Ce nezavershena stattya pro neorganichnu spoluku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi