Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Квантова літографія — це тип фотолітографії, який використовує некласичні властивості фотонів, такі як квантове заплутування, для досягнення вищих показників порівняно зі звичайною класичною літографією. Квантова літографія тісно пов'язана з галузями [en], квантової метрології та [en]. Ефект використовує квантово-механічний стан світла, який називається стан NOON. Квантова літографія була винайдена в групі [en] в JPL, і вивчалася низкою груп.
Особливо важливо, що квантова літографія може перевершити класичний (критерій Релея) для межі дифракції. Класична фотолітографія має роздільну здатність , яка не може бути меншою за довжину використовуваної хвилі світла. Наприклад, при використанні фотолітографії для масового виробництва комп'ютерних чіпів бажано створювати все менші та менші елементи на мікросхемі, що класично вимагає переходу на все менші та менші довжини хвиль (ультрафіолетові та рентгенівські), які тягне за собою експоненціально більші витрати на створення систем оптичного зображення на цих надзвичайно коротких оптичних довжинах хвиль.
Квантова літографія використовує квантове заплутування між спеціально підготовленими фотонами стані NOON та спеціальні фоторезисти, які демонструють процеси багатофотонного поглинання для досягнення меншої роздільної здатності без необхідності коротших довжин хвиль. Наприклад, промінь червоних фотонів, заплутаних у 50 разів у стан NOON, мав би таку ж роздільну здатність, що і промінь рентгенівських фотонів.
Область квантової літографії перебуває в зародковому стані, і хоча експериментальні принципові докази були проведені з використанням ефекту Хонга–Оу–Мендела, до практичного використання ще далеко.
Примітки
- A. N. Boto та ін. (2000). Quantum Interferometric Optical Lithography: Exploiting Entanglement to Beat the Diffraction Limit. Phys. Rev. Lett. 85 (13): 2733—6. arXiv:quant-ph/9912052. Bibcode:2000PhRvL..85.2733B. doi:10.1103/PhysRevLett.85.2733. PMID 10991220. S2CID 7373285.
- G. Björk та ін. (2001). Entangled-State Lithography: Tailoring Any Pattern with a Single State. Phys. Rev. Lett. 86 (20): 4516—4519. arXiv:quant-ph/0011075. Bibcode:2001PhRvL..86.4516B. doi:10.1103/PhysRevLett.86.4516. PMID 11384272. S2CID 41939423.
- M. D'Angelo та ін. (2001). Two-Photon Diffraction and Quantum Lithography. Phys. Rev. Lett. 87 (1): 013602. arXiv:quant-ph/0103035. Bibcode:2001PhRvL..87a3602D. doi:10.1103/PhysRevLett.87.013602. PMID 11461466. S2CID 30001609.
Посилання
- Introduction to Quantum Lithography [ 11 липня 2019 у Wayback Machine.]
- New York Times
- Science News [ 12 Лютого 2008 у Wayback Machine.]
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Kvantova litografiya ce tip fotolitografiyi yakij vikoristovuye neklasichni vlastivosti fotoniv taki yak kvantove zaplutuvannya dlya dosyagnennya vishih pokaznikiv porivnyano zi zvichajnoyu klasichnoyu litografiyeyu Kvantova litografiya tisno pov yazana z galuzyami en kvantovoyi metrologiyi ta en Efekt vikoristovuye kvantovo mehanichnij stan svitla yakij nazivayetsya stan NOON Kvantova litografiya bula vinajdena v grupi en v JPL i vivchalasya nizkoyu grup Osoblivo vazhlivo sho kvantova litografiya mozhe perevershiti klasichnij kriterij Releya dlya mezhi difrakciyi Klasichna fotolitografiya maye rozdilnu zdatnist yaka ne mozhe buti menshoyu za dovzhinu vikoristovuvanoyi hvili svitla Napriklad pri vikoristanni fotolitografiyi dlya masovogo virobnictva komp yuternih chipiv bazhano stvoryuvati vse menshi ta menshi elementi na mikroshemi sho klasichno vimagaye perehodu na vse menshi ta menshi dovzhini hvil ultrafioletovi ta rentgenivski yaki tyagne za soboyu eksponencialno bilshi vitrati na stvorennya sistem optichnogo zobrazhennya na cih nadzvichajno korotkih optichnih dovzhinah hvil Kvantova litografiya vikoristovuye kvantove zaplutuvannya mizh specialno pidgotovlenimi fotonami stani NOON ta specialni fotorezisti yaki demonstruyut procesi bagatofotonnogo poglinannya dlya dosyagnennya menshoyi rozdilnoyi zdatnosti bez neobhidnosti korotshih dovzhin hvil Napriklad promin chervonih fotoniv zaplutanih u 50 raziv u stan NOON mav bi taku zh rozdilnu zdatnist sho i promin rentgenivskih fotoniv Oblast kvantovoyi litografiyi perebuvaye v zarodkovomu stani i hocha eksperimentalni principovi dokazi buli provedeni z vikoristannyam efektu Honga Ou Mendela do praktichnogo vikoristannya she daleko PrimitkiA N Boto ta in 2000 Quantum Interferometric Optical Lithography Exploiting Entanglement to Beat the Diffraction Limit Phys Rev Lett 85 13 2733 6 arXiv quant ph 9912052 Bibcode 2000PhRvL 85 2733B doi 10 1103 PhysRevLett 85 2733 PMID 10991220 S2CID 7373285 G Bjork ta in 2001 Entangled State Lithography Tailoring Any Pattern with a Single State Phys Rev Lett 86 20 4516 4519 arXiv quant ph 0011075 Bibcode 2001PhRvL 86 4516B doi 10 1103 PhysRevLett 86 4516 PMID 11384272 S2CID 41939423 M D Angelo ta in 2001 Two Photon Diffraction and Quantum Lithography Phys Rev Lett 87 1 013602 arXiv quant ph 0103035 Bibcode 2001PhRvL 87a3602D doi 10 1103 PhysRevLett 87 013602 PMID 11461466 S2CID 30001609 PosilannyaIntroduction to Quantum Lithography 11 lipnya 2019 u Wayback Machine New York Times Science News 12 Lyutogo 2008 u Wayback Machine