Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

Карбі д кре мнію також карбору нд бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем Карбід кремнію Зразок карбіду кремнію І

Карборунд

Карборунд

Карбі́д кре́мнію, також карбору́нд — бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем.

Карбід кремнію
image
Зразок карбіду кремнію
Інші назви карборунд
муассаніт
Ідентифікатори
Номер CAS 409-21-2
PubChem 9863
Номер EINECS 206-991-8
Назва MeSH Silicon+carbide
ChEBI 29390
RTECS VW0450000
SMILES [C-]#[Si+]
InChI InChI=1S/CSi/c1-2
Номер Гмеліна 13642
Властивості
Молекулярна формула CSi
Молярна маса 40,1 г/моль
Молекулярна маса 39,976926533 г/моль
Зовнішній вигляд безколірні кристали
Густина 3,21 г·см−3 (усі політипи)
Тпл 2730
Показник заломлення (nD) 2,55 (інфрачервона область; усі політипи)
Небезпеки
(Класифікація ЄС) не числиться
NFPA 704
image
0
1
0
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Примітки картки

Загальний опис

Хімічна формула SiC. У природі зустрічається у вигляді надзвичайно рідкісного мінералу — муассаніту. Порошок карбіду кремнію був отриманий в 1893 році. Використовується як абразив, напівпровідник, штучний дорогоцінний камінь.

Існує приблизно 250 кристалічних форм карбіду кремнію.

Поліморфізм SiC характеризується великою кількістю схожих кристалічних структур, які називають політипами. Вони є варіаціями однієї й тієї ж хімічної сполуки, які ідентичні у двох вимірах, але відрізняються у третьому. Таким чином, їх можна розглядати як шари, складені стовпчиком у певній послідовності.

Структура

Примітки

  1. Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN .
  2. Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архів оригіналу за 24 квітня 2012. Процитовано 6 червня 2009.
  3. Cheung, Rebecca (2006). . Imperial College Press. с. 3. ISBN . Архів оригіналу за 4 липня 2014. Процитовано 2 травня 2011.
  4. Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.

Посилання

  • (англ.)
  • (англ.)


image Це незавершена стаття про неорганічну сполуку.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

Karbi d kre mniyu takozh karboru nd binarna neorganichna spoluka kremniyu z vuglecem Karbid kremniyu Zrazok karbidu kremniyu Inshi nazvi karborund muassanit Identifikatori Nomer CAS 409 21 2PubChem 9863Nomer EINECS 206 991 8Nazva MeSH Silicon carbideChEBI 29390RTECS VW0450000SMILES C Si InChI InChI 1S CSi c1 2Nomer Gmelina 13642 Vlastivosti Molekulyarna formula CSi Molyarna masa 40 1 g mol Molekulyarna masa 39 976926533 g mol Zovnishnij viglyad bezkolirni kristali Gustina 3 21 g sm 3 usi politipi Tpl 2730 Pokaznik zalomlennya nD 2 55 infrachervona oblast usi politipi Nebezpeki Klasifikaciya YeS ne chislitsya NFPA 704 0 1 0 Yaksho ne zaznacheno inshe dani navedeno dlya rechovin u standartnomu stani za 25 C 100 kPa Instrukciya z vikoristannya shablonu Primitki kartkiZagalnij opisHimichna formula SiC U prirodi zustrichayetsya u viglyadi nadzvichajno ridkisnogo mineralu muassanitu Poroshok karbidu kremniyu buv otrimanij v 1893 roci Vikoristovuyetsya yak abraziv napivprovidnik shtuchnij dorogocinnij kamin Isnuye priblizno 250 kristalichnih form karbidu kremniyu Polimorfizm SiC harakterizuyetsya velikoyu kilkistyu shozhih kristalichnih struktur yaki nazivayut politipami Voni ye variaciyami odniyeyi j tiyeyi zh himichnoyi spoluki yaki identichni u dvoh vimirah ale vidriznyayutsya u tretomu Takim chinom yih mozhna rozglyadati yak shari skladeni stovpchikom u pevnij poslidovnosti StrukturaStrukturi osnovnih politipiv SiC b 3C SiC 4H SiC a 6H SiCPrimitkiPatnaik P 2002 Handbook of Inorganic Chemicals McGraw Hill ISBN 0 07 049439 8 Properties of Silicon Carbide SiC Ioffe Institute Arhiv originalu za 24 kvitnya 2012 Procitovano 6 chervnya 2009 Cheung Rebecca 2006 Imperial College Press s 3 ISBN 1860946240 Arhiv originalu za 4 lipnya 2014 Procitovano 2 travnya 2011 Morkoc H Strite S Gao G B Lin M E Sverdlov B Burns M Large band gap SiC III V nitride and II VI ZnSe based semiconductor device technologies Journal of Applied Physics 1994 S 1363 DOI 10 1063 1 358463 Posilannya angl angl Ce nezavershena stattya pro neorganichnu spoluku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi

Дата публікації:
Топ