Електричний адміттанс фр Admittance від лат Admittere пропускати впускати комплексна провідність двополюсника для гармон

Електричний адміттанс (фр. Admittance від лат. Admittere пропускати, впускати) — комплексна провідність двополюсника для гармонійного сигналу.

В електротехніці адміттанс або повна провідність - це міра того, наскільки легко коло або пристрій проводять електричний струм. Він визначається як зворотний опір імпедансу.

Стандартне позначення адміттанса в формулах — Y або y, розмірність — dim Y = L⁻² M⁻¹ T³ I² ,одиниця виміру в SI — сименс. Скорочені позначення — См, міжнародне — S,

синонімічна одиниця - mho (зворотне значення одного ома), і її символ - ℧ (омега Ω вгорі ). Олівер Гевісайд придумав термін адміттанс в грудні 1887 р.

Математичний зміст

Під повною провідністю розуміють величину, обернену імпедансу (повному опору):

{\dot {Y}}=1/{\dot {Z}}={\frac {1}{R+jX}}=G+jB=\left|{\dot {Y}}\right|e^{j\arg {\dot {Y}}}

,

де Y - адміттанс, виміряний в сименсах;

Z — імпеданс вимірюваний в омах;

G — дійсна складова повної провідрості (соnductance);

B — уявна складова повної провідності (susceptance).

Адміттанс,так само як й імпеданс - це комплексне число, складене з реальної частини (провідність, G ) та з уявної частини (сприйняття, B ), таким чином:

дійсна і уявна складові адміттанса пов'язані зі складовими імпеданса наступним відношенням:

G={\frac {R}{R^{2}+X^{2}}}

;

B={\frac {-X}{R^{2}+X^{2}}}

,

де R і X — активна і реактивна складові імпеданса

Модуль адміттанса дорівнює:

Y={\sqrt {G^{2}+B^{2}}}

.

Фізичний зміст

Еквівалентну схему пасивного лінійного двополюсника в колі змінного струму можна подати у вигляді двох паралельно з'єднаних елементів — ідеального резистора з активним опором і ідеального (лінійного і без втрат енергії) (реактивного елемента) (конденсатора або котушки індуктивності). За такого еквівалентного заміщення активна провідність резистора буде відповідати дійсній складовій комплексної провідності, а реактивна провідність котушки або конденсатора — уявній складовій.

Закон Ома за використання комплексної провідності записують у вигляді:

{\hat {I}}={\hat {U}}Y

або

{\hat {I}}={\hat {U}}G-j{\hat {U}}B={\hat {I}}_{A}+{\hat {I}}_{R}

де I — сила струму; I_A і I_R — активна і реактивна складові струму; U — напруга на ділянці кола.

Опір - це властивість провідника створювати перешкоди проходженню чи міра протидії провідника проходженю постійного струму, тоді як імпеданс враховує не тільки опір, але й динамічні ефекти (відомі як реактивність). Крім того, адміттанс - це не тільки міра легкості, з якою може протікати постійний струм, але й динамічні ефекти сприйняття матеріалу до поляризації:

 ${\dot {Y}}=G+jB$

$Y$ - адміттанс, виміряний в сименсах.
$G$ - провідність, виміряна в сименсах.
$B$ - це , виміряна в сименсах.
$j^{2}=-1$

Динамічні ефекти сприйнятливості матеріалу співвідносять з , законом про потужність, що визначає частоту адмітансу системи з частотою в умовах змінного струму

Вимірювання

Для вимірювання адміттанса застосовують (вимірювачі імітанса), (вимірювачі добротності), аналізатори імпеданса, при цьому вимірювання проводять непрямим методом, а в діапазоні НВЧ також використовують вимірювальні лінії і вимірювачі повних опорів також непрямим методом.

Див. також

Електричний імпеданс

Примітки

Ushida, Jun; Tokushima, Masatoshi; Shirane, Masayuki; Gomyo, Akiko; Yamada, Hirohito (2003). Immittance matching for multidimensional open-system photonic crystals. Physical Review B. 68 (15). arXiv:cond-mat/0306260. Bibcode:2003PhRvB..68o5115U. doi:10.1103/PhysRevB.68.155115.

Література

Бессонов Л. А. Теоретичні основи електротехніки. Електричні кола. — М. : Вища школа, 1978.

Посилання

компактні позначення [ 6 вересня 2019 у Wayback Machine.]

[1] Ushida, Jun; Tokushima, Masatoshi; Shirane, Masayuki; Gomyo, Akiko; Yamada, Hirohito (2003). Immittance matching for multidimensional open-system photonic crystals. Physical Review B. 68 (15). arXiv:cond-mat/0306260. Bibcode:2003PhRvB..68o5115U. doi:10.1103/PhysRevB.68.155115.