Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
| Цю статтю потрібно повністю переписати відповідно до Вікіпедії. (березень 2019) |
| Ця стаття не містить . (січень 2016) |
pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років.
Див. також
 | Це незавершена стаття з технології. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Cyu stattyu potribno povnistyu perepisati vidpovidno do standartiv yakosti Vikipediyi Vi mozhete dopomogti pererobivshi yiyi Mozhlivo storinka obgovorennya mistit zauvazhennya shodo potribnih zmin berezen 2019 Cya stattya ne mistit posilan na dzherela Vi mozhete dopomogti polipshiti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno sichen 2016 pMOS tehnologiya virobnictva napivprovidnikovih elementiv Na yiyi osnovi buduvalisya elementi pam yati taki yak Intel 1702 K505RR1 Ce seriya MON mikroshem z elektrichnim zapisom i ultrafioletovim stirannyam V osnovi lavinopodibnij probij pn perehodu zvorotnoyu naprugoyu do 50 V Osnovnij nosij elektroni oskilki za tehnologiyeyu togo chasu inzhektuvati elektroni v izolovanij shar bulo prostishe Odna komirka pam yati buduvalasya na dvoh tranzistorah Za teoretichnimi danimi komirka mogla zberigati informaciyu do 10 rokiv invertor na osnovi elementu PMOSDiv takozhKMON NMOS Ce nezavershena stattya z tehnologiyi Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi