SIMM (англ. Single In-line Memory Module — модуль пам'яті з однорядним розташуванням виводів) — форм-фактор модулів пам'яті DRAM. В модулях використовувалися мікросхеми пам'яті FPM, EDO і BEDO (Burst-EDO).
Конструктивною особливістю модулів є те, що у них з'єднано між собою контакти, розташовані один навпроти одного на протилежних сторонах плати. По такій парі контактів передається один і той же сигнал. Мікросхеми в модулях SIMM можуть встановлюватися як на одній, так і на обох сторонах плати.
Різновиди
- 30-виводний модуль
- Модулі мали ширину шини даних 8 біт та могли мати додатковий біт контролю парності. Використовувалися в персональних комп'ютерах на основі 16-бітних процесорів (встановлювалися парами) та перших 32-бітних процесорів (встановлювалися групами по 4).
- 72-виводний модуль
- Модулі мали ширину шини даних 32 біти (4 байти) і могли мати чотири додаткових біти для побайтового контролю парності або ECC — кодів корекції помилок.
Використання 30-контактних модулів в системах з 64-бітною шиною пам'яті неефективно, оскільки для заповнення одного банку пам'яті 64-розрядних систем необхідно вісім таких модулів. Для заповнення одного банку пам'яті в 64-розрядних системах 72-контактні SIMM необхідно встановлювати парами. В таких системах модулі SIMM було витіснено 64/72-бітними модулями DIMM.
Посилання
Вікісховище має мультимедійні дані за темою: SIMM |
Це незавершена стаття про інформаційні технології. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Ця стаття не містить . (жовтень 2013) |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
SIMM angl Single In line Memory Module modul pam yati z odnoryadnim roztashuvannyam vivodiv form faktor moduliv pam yati DRAM V modulyah vikoristovuvalisya mikroshemi pam yati FPM EDO i BEDO Burst EDO 30 vivodni ta 72 vivodni moduli SIMM Konstruktivnoyu osoblivistyu moduliv ye te sho u nih z yednano mizh soboyu kontakti roztashovani odin navproti odnogo na protilezhnih storonah plati Po takij pari kontaktiv peredayetsya odin i toj zhe signal Mikroshemi v modulyah SIMM mozhut vstanovlyuvatisya yak na odnij tak i na oboh storonah plati Riznovidi30 vivodnij modul Moduli mali shirinu shini danih 8 bit ta mogli mati dodatkovij bit kontrolyu parnosti Vikoristovuvalisya v personalnih komp yuterah na osnovi 16 bitnih procesoriv vstanovlyuvalisya parami ta pershih 32 bitnih procesoriv vstanovlyuvalisya grupami po 4 72 vivodnij modul Moduli mali shirinu shini danih 32 biti 4 bajti i mogli mati chotiri dodatkovih biti dlya pobajtovogo kontrolyu parnosti abo ECC kodiv korekciyi pomilok Vikoristannya 30 kontaktnih moduliv v sistemah z 64 bitnoyu shinoyu pam yati neefektivno oskilki dlya zapovnennya odnogo banku pam yati 64 rozryadnih sistem neobhidno visim takih moduliv Dlya zapovnennya odnogo banku pam yati v 64 rozryadnih sistemah 72 kontaktni SIMM neobhidno vstanovlyuvati parami V takih sistemah moduli SIMM bulo vitisneno 64 72 bitnimi modulyami DIMM PosilannyaVikishovishe maye multimedijni dani za temoyu SIMM Ce nezavershena stattya pro informacijni tehnologiyi Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Cya stattya ne mistit posilan na dzherela Vi mozhete dopomogti polipshiti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno zhovten 2013