Напівпровіднико́ва ІС НВЧ діапазо́ну (англ. Monolithic microwave integrated circuit, MMIC) — тип інтегральної схеми, який працює в діапазоні надвисоких частот (від 300 МГц до 300 ГГц). Ці пристрої, як правило, виконують такі функції, як НВЧ-змішування, посилення потужності, посилення з низьким рівнем шуму і ВЧ-перемикання. Входи і виходи на пристроях MMIC часто узгоджені з хвильовим опором 50 Ом. Це робить їх простішими у використанні, бо каскадування MMIC вже не вимагає зовнішніх узгоджувальних схем. Крім того, мікрохвильове випробувальне обладнання в більшості випадків призначене для роботи з хвильовим опором 50 Ом.
MMIC дозволило поширити використання високочастотних пристроїв в таких масових виробах, як мобільні телефони. MMIC були спочатку виготовлені з використанням арсеніду галію (GaAs). Проте швидкість технологій на основі кремнію поступово збільшувалася, і MMIC тепер також можуть бути виготовлені в технології Si. Основна перевага технології Si є його низька вартість виготовлення в порівнянні з GaAs. Діаметри кремнієвої пластини більше, (зазвичай 8" або 12" у порівнянні з 4" або 6" для GaAs) та витрати на пластині нижче.
Див. також
Джерела
- Practical MMIC Design published by Artech House
Author S. P. Marsh
- RFIC and MMIC Design and Technology published by the IEE (London)
Editors I. D. Robertson and S. Lucyszyn
Це незавершена стаття про електроніку. Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її. |
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Napivprovidniko va IS NVCh diapazo nu angl Monolithic microwave integrated circuit MMIC tip integralnoyi shemi yakij pracyuye v diapazoni nadvisokih chastot vid 300 MGc do 300 GGc Ci pristroyi yak pravilo vikonuyut taki funkciyi yak NVCh zmishuvannya posilennya potuzhnosti posilennya z nizkim rivnem shumu i VCh peremikannya Vhodi i vihodi na pristroyah MMIC chasto uzgodzheni z hvilovim oporom 50 Om Ce robit yih prostishimi u vikoristanni bo kaskaduvannya MMIC vzhe ne vimagaye zovnishnih uzgodzhuvalnih shem Krim togo mikrohvilove viprobuvalne obladnannya v bilshosti vipadkiv priznachene dlya roboti z hvilovim oporom 50 Om Priklad MMIC MMIC dozvolilo poshiriti vikoristannya visokochastotnih pristroyiv v takih masovih virobah yak mobilni telefoni MMIC buli spochatku vigotovleni z vikoristannyam arsenidu galiyu GaAs Prote shvidkist tehnologij na osnovi kremniyu postupovo zbilshuvalasya i MMIC teper takozh mozhut buti vigotovleni v tehnologiyi Si Osnovna perevaga tehnologiyi Si ye jogo nizka vartist vigotovlennya v porivnyanni z GaAs Diametri kremniyevoyi plastini bilshe zazvichaj 8 abo 12 u porivnyanni z 4 abo 6 dlya GaAs ta vitrati na plastini nizhche Div takozhDzherelaPractical MMIC Design published by Artech House ISBN 1 59693 036 5 Author S P Marsh RFIC and MMIC Design and Technology published by the IEE London ISBN 0 85296 786 1 Editors I D Robertson and S Lucyszyn Ce nezavershena stattya pro elektroniku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi