Нітрид галію GaN прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3 4 еВ що знайшов широке використання в бл

Нітрид галію (GaN) — прямозонний A^IIIB^V напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.

Нітрид галію


Назва за IUPAC	Нітрид галію
Ідентифікатори
Номер CAS	25617-97-4
PubChem	117559
Номер EINECS	247-129-0
RTECS	LW9640000
SMILES	[Ga]#N
InChI	1/Ga.N/rGaN/c1-2
Властивості
Молекулярна формула	GaN
Молярна маса	83,73 г/моль
Зовнішній вигляд	жовтий порошок
Густина	6,15 г/см³
Т_пл	>2500 °C
Розчинність (вода)	реагує
Показник заломлення (n_D)	2.429
Структура
Кристалічна структура	вюртцит
Просторова група	C_6v⁴-P6₃mc
Період кристалічної ґратки
Координаційна геометрія	тетраедрична
Небезпеки
Індекс ЄС	не числиться
Температура спалаху	не займається
Пов'язані речовини
Інші аніони	фосфід галію арсенід галію ^[en]
Інші катіони	нітрид бору ^[en] ^[en]
Пов'язані речовини	^[en] ^[en] ^[en] ^[en] ^[en]
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)

Примітки картки

Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або киснем, для провідності p-типу — магнієм.

Примітки

Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics. 36 (Part 1, No. 9A): 5393—5408. doi:10.1143/JJAP.36.5393. ISSN 0021-4922.

Це незавершена стаття про неорганічну сполуку.
Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

[melting-1] Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.

[2] Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30

[AkasakiAmano1997-3] Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics. 36 (Part 1, No. 9A): 5393—5408. doi:10.1143/JJAP.36.5393. ISSN 0021-4922.