Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
| Ця стаття не містить . (березень 2020) |
EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — постійний запам'ятовувач, що програмується та очищується за допомогою електрики, один з видів енергонезалежної пам'яті. Пам'ять такого типу може очищуватися та заповнюватися інформацією декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотільних накопичувачах. Одним з різновидів EEPROM є флеш-пам'ять (англ. Flash Memory).
Принцип дії
Принцип роботи EEPROM оснований на зміні та реєстрації електричного сигналу в ізольованій області (кишені) напівпровідникової структури.
Зміна заряду («запис» та «стирання») виконується поданням між затвором і витоком великого потенціалу, щоб напруженість електричного поля в тонкому діелектрику між каналом транзистора і кишенею виявилася достатньою для виникнення тунельного ефекту. Для посилення ефекту тунелювання електронів у кишеню при записі застосовується невелике прискорення електронів шляхом пропускання струму через канал польового транзистора. Читання виконується польовим транзистором, для якого кишеня виконує роль затвора. Потенціал плавного затвору змінює порогові характеристики транзистора, що і реєструється ланцюгами читання.
Основна особливість класичного осередку EEPROM — наявність другого транзистора, який допомагає керувати режимами запису і стирання. Деякі реалізації виконувалися у вигляді одного тризатворного польового транзистора (один затвор плавний і два звичайних). Ця конструкція забезпечується елементами, які дозволяють їй працювати у великому масиві таких же осередків. З'єднання виконується у вигляді двовимірної матриці, в якій на перетині стовпців і рядків розташовується одна клітинка. Оскільки осередок EEPROM має третій затвор, то крім підкладки до кожної клітинки підходять 3 провідники (один провідник стовпців і 2 провідники рядків).
Список виробників EEPROM
Джерела
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет
Cya stattya ne mistit posilan na dzherela Vi mozhete dopomogti polipshiti cyu stattyu dodavshi posilannya na nadijni avtoritetni dzherela Material bez dzherel mozhe buti piddano sumnivu ta vilucheno berezen 2020 EEPROM angl Electrically Erasable Programmable Read Only Memory postijnij zapam yatovuvach sho programuyetsya ta ochishuyetsya za dopomogoyu elektriki odin z vidiv energonezalezhnoyi pam yati Pam yat takogo tipu mozhe ochishuvatisya ta zapovnyuvatisya informaciyeyu dekilka desyatkiv tisyach raziv Vikoristovuyetsya v tverdotilnih nakopichuvachah Odnim z riznovidiv EEPROM ye flesh pam yat angl Flash Memory Princip diyiPrincip roboti EEPROM osnovanij na zmini ta reyestraciyi elektrichnogo signalu v izolovanij oblasti kisheni napivprovidnikovoyi strukturi Zmina zaryadu zapis ta stirannya vikonuyetsya podannyam mizh zatvorom i vitokom velikogo potencialu shob napruzhenist elektrichnogo polya v tonkomu dielektriku mizh kanalom tranzistora i kisheneyu viyavilasya dostatnoyu dlya viniknennya tunelnogo efektu Dlya posilennya efektu tunelyuvannya elektroniv u kishenyu pri zapisi zastosovuyetsya nevelike priskorennya elektroniv shlyahom propuskannya strumu cherez kanal polovogo tranzistora Chitannya vikonuyetsya polovim tranzistorom dlya yakogo kishenya vikonuye rol zatvora Potencial plavnogo zatvoru zminyuye porogovi harakteristiki tranzistora sho i reyestruyetsya lancyugami chitannya Osnovna osoblivist klasichnogo oseredku EEPROM nayavnist drugogo tranzistora yakij dopomagaye keruvati rezhimami zapisu i stirannya Deyaki realizaciyi vikonuvalisya u viglyadi odnogo trizatvornogo polovogo tranzistora odin zatvor plavnij i dva zvichajnih Cya konstrukciya zabezpechuyetsya elementami yaki dozvolyayut yij pracyuvati u velikomu masivi takih zhe oseredkiv Z yednannya vikonuyetsya u viglyadi dvovimirnoyi matrici v yakij na peretini stovpciv i ryadkiv roztashovuyetsya odna klitinka Oskilki oseredok EEPROM maye tretij zatvor to krim pidkladki do kozhnoyi klitinki pidhodyat 3 providniki odin providnik stovpciv i 2 providniki ryadkiv Spisok virobnikiv EEPROMMitsubishi Atmel Hitachi Infineon Microchip Technology NXP Semiconductors Samsung Electronics STMicroelectronicsDzherela