Azərbaycanca AzərbaycancaБеларускі БеларускіDansk DanskDeutsch DeutschEspañola EspañolaFrançais FrançaisIndonesia IndonesiaItaliana Italiana日本語 日本語Қазақ ҚазақLietuvos LietuvosNederlands NederlandsPortuguês PortuguêsРусский Русскийසිංහල සිංහලแบบไทย แบบไทยTürkçe TürkçeУкраїнська Українська中國人 中國人United State United StateAfrikaans Afrikaans
Підтримка
www.wikidata.uk-ua.nina.az

портрет рід діяльності вчене звання науковий ступінь Симон Мін ЗіНародився21 березня 1936 Тайвань КитайПомер7 листопада

Симон Зі

Симон Зі

Симон Мін Зі
Народився21 березня 1936
Тайвань, Китай
Помер7 листопада 2023 ( 87 роки )
Місце проживанняСША, Тайвань
Країнаimage США
Діяльністьінженер
Alma materНаціональний університет Тайваню[2]
Стенфордський університет[2]
Вашингтонський університет[2]
ЗакладТайванський національний університет
Стенфордський університет
Науковий ступіньдокторський ступінь[3]
Членствоd
Відомий завдяки:
Нагороди

d (1991)

Доктор Симон Мін Зі (англ. Simon Min Sze; кит. 施敏; нар. 1936) — представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав ступінь магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стендфордському університеті в 1963. Він працював у Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з транзистора з плавним затвором, сьогодні широко використовуваний у комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій у галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the в 1991 за свій вклад у напівпровідникове приладобудування

Примітки

  1. Simon Sze Obituary (1936 - 2023) - Walnut Creek, CA - San Francisco Chronicle. Legacy.com. Процитовано 8 листопада 2023.
  2. http://www.computerhistory.org/collections/catalog/102746858
  3. Deutsche Nationalbibliothek Record #133681998 // Gemeinsame Normdatei — 2012—2016.
    d:Track:Q27302d:Track:Q36578
  4. D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288—1295.
  5. «за фундаментальний та піонерський вклад в широко використовувані науково- технічні тексти та книги в галузі електронного приладобудування». Electron Devices Society J.J. Ebers Award [ 28 лютого 2007 у Wayback Machine.], web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.

Література

  • Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ; 2nd ed., 1981, ; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, .
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. М.:Мир, 1984.
  • Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, .
  • VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ; 2nd ed., 1988, .

Посилання


    image Це незавершена стаття про науковця.
    Ви можете проєкту, виправивши або дописавши її.

    Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри, мобільний, телефон, android, ios, apple, мобільний телефон, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Інтернет

    portret rid diyalnosti vchene zvannya naukovij stupin Simon Min ZiNarodivsya21 bereznya 1936 Tajvan KitajPomer7 listopada 2023 87 roki Misce prozhivannyaSShA TajvanKrayina SShADiyalnistinzhenerAlma materNacionalnij universitet Tajvanyu 2 Stenfordskij universitet 2 Vashingtonskij universitet 2 ZakladTajvanskij nacionalnij universitet Stenfordskij universitetNaukovij stupindoktorskij stupin 3 ChlenstvodVidomij zavdyaki Nagorodid 1991 Doktor Simon Min Zi angl Simon Min Sze kit 施敏 nar 1936 predstavnik inzhenernoyi radiotehnichnoyi nauki SShA Pislya zakinchennya Tajvanskogo nacionalnogo universitetu v 1957 vin otrimav stupin magistra v Vashingtonskomu universiteti v 1960 a potim doktaranturu v Stendfordskomu universiteti v 1963 Vin pracyuvav u Bell Labs do 1990 pislya chogo vin povernuvsya do Tajvanyu i priyednavsya do fakultetu NCTU Vin vidomij svoyimi robotami v fizici napivprovidnikiv ta v prikladnih tehnologiyah vklyuchayuchi vinahid razom z tranzistora z plavnim zatvorom sogodni shiroko vikoristovuvanij u komirkah pam yati Vin napisav i vidav bagato knig vklyuchayuchi Physics of Semiconductor Devices odna iz najbilsh citovanih monografij u galuzi napivprovidnikovih priladiv Zi otrimav nagorodu the v 1991 za svij vklad u napivprovidnikove priladobuduvannyaPrimitkiSimon Sze Obituary 1936 2023 Walnut Creek CA San Francisco Chronicle Legacy com Procitovano 8 listopada 2023 http www computerhistory org collections catalog 102746858 Deutsche Nationalbibliothek Record 133681998 Gemeinsame Normdatei 2012 2016 d Track Q27302d Track Q36578 D Kahng and S M Sze A floating gate and its application to memory devices The Bell System Technical Journal 46 4 1967 pp 1288 1295 za fundamentalnij ta pionerskij vklad v shiroko vikoristovuvani naukovo tehnichni teksti ta knigi v galuzi elektronnogo priladobuduvannya Electron Devices Society J J Ebers Award 28 lyutogo 2007 u Wayback Machine web page at the IEEE accessed 11 I 2007 LiteraturaPhysics of Semiconductor Devices S M Sze New York Wiley 1969 ISBN 0 471 84290 7 2nd ed 1981 ISBN 0 471 05661 8 3rd ed with Kwok K Ng 2006 ISBN 0 471 14323 5 Zi S Fizika poluprovodnikovyh priborov V 2 h knigah M Mir 1984 Semiconductor Devices Physics and Technology S M Sze New York Wiley 1985 2nd ed 2001 ISBN 0 471 33372 7 VLSI Technology ed S M Sze New York McGraw Hill 1983 ISBN 0 07 062686 3 2nd ed 1988 ISBN 0 07 062735 5 PosilannyaCe nezavershena stattya pro naukovcya Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi

    Дата публікації:
    Топ