Роберт Деннард англ Robert H Dennard 5 вересня 1932 23 квітня 2024 американський інженер електрик та винахідник Роберт Д

Роберт Деннард (англ. Robert H. Dennard; 5 вересня 1932 — 23 квітня 2024) — американський інженер-електрик та винахідник.

Роберт Деннард
англ. Robert H. Dennard

Народився	5 вересня 1932(1932-09-05) Террелл, Кофман, Техас, США
Помер	23 квітня 2024(2024-04-23) (91 рік) Кротон-он-Гадсон, Вестчестер, Нью-Йорк, США
Країна	США
Діяльність	винахідник, інформатик, інженер-електрик, інженер
Alma mater	Південний методистський університет, Технологічний інститут Карнегі
Галузь	електротехніка, мікроелектроніка
Заклад	IBM
Науковий ступінь	Ph.D.
Членство	Національна інженерна академія США
Відомий завдяки:	винахідник DRAM та автор теорії масштабування
Нагороди	^d (1982) ^d Національна медаль технологій та інновацій США (1988) медаль Едісона (2001) Медаль Бенджаміна Франкліна (2007) премія Гарві (1990) Медаль пошани IEEE (2009) Національна зала слави винахідників США (1997) премія Чарльза Старка Дрейпера (2009) ^d (2013) Премія Лемельсона (2005) ^d (1990) ^d (2017)

Біографічні дані

Деннард народився у місті Террелл в окрузі Кофман (штат Техас США). Він здобув ступінь бакалавра та магістра електротехніки в (англ. Southern Methodist University) Далласа у 1954 та 1956 роках відповідно. Здобув ступінь доктора в Технологічному інституті Карнегі у Пітсбурзі штат Пенсільванія у 1958 році. Свою професійну діяльність розпочав на посаді наукового співробітника в корпорації International Business Machines.

Найвідоміший його винахід було зроблено у 1968 році — це винайдення динамічної пам'яті з довільним доступом. Деннард також був серед перших, хто оцінив величезний потенціал МДН-структур.

У 1974 році Робертом Деннардом та його колегами по IBM була розроблена теорія масштабування (англ. Dennard’s Scaling Theory), що давала пояснення закону Мура. Працюючи над польовими транзисторами MOSFET (англ. Metal — Oxide — Semiconductor Field Effect Transistor) та структурами MOS (англ. Metal — Oxide — Semiconductor), Деннард вивів умову, що є необхідною для виконання закону Мура. Суть відкриття полягає у тому, що коли витримувати сталим значення напруженості електричного поля при зменшенні розмірів транзистора, то параметри продуктивності зростають.

Теорію масштабування вперше було викладено у статті «Проектування МДН-структур з іонною імплантацією та дуже малими фізичними розмірностями», яку було опубліковано у 1974 році. Стаття заслужила власне ім'я — її називають «Scaling Paper» (стаття про масштабування), а її появі передувало десятиліття активних досліджень, в результаті яких біполярні точкові транзистори зі структурами зворотньої (n-p-n) та прямої (p-n-p) провідності, винайдені у 1947 році, поступились місцем польовим транзисторам з p-n переходом та ізольованим затвором (MOSFET).

На основі проведених досліджень Деннарду вдалось показати, що МДН-структури мають величезний потенціал для мініатюризації. Стаття про масштабування не лише пояснювала закон Мура, але і розширила його дію — в самому законі йде мова про підвищення щільності, а не про продуктивність. Заслуга Роберта Деннарда полягає у тому, що він зіставив масштабування з продуктивністю, і якщо Гордон Мур задав вектор для розвитку напівпровідникової індустрії, то Деннард пояснив, яким саме способом слід рухатись у напрямі цього вектора. З того часу ширина провідника з тенденцією до зменшення як технологічний фактор стала головним показником прогресу.

Нагороди

Національна медаль технологій та інновацій (1988)
Премія Гарві (1990)
Медаль Едісона (2001)
Премія Лемельсона (2005)
(2006)
Медаль Бенджаміна Франкліна (2007)
Медаль пошани IEEE (2009)
Премія Чарлза Старка Дрейпера (2009)
Премія Кіото (2013)

Примітки

R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, V. L. Rideout, E. Bassous, A. LeBlanc Design of Ion-Implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions // IEEE Journal of Solid-State Circuits (Impact Factor: 3.01). 11/1974; 9(5):256 — 268. DOI: 10.1109/JSSC.1974.1050511

Джерела

Черняк Л. Закон масштабирования Деннарда // Открытые системы, № 02, 2012 (рос.)
Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT
Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE

Посилання

Список праць Роберта Деннарда на сайті «ResearchGate» (англ.)
Robert H Dennard, Legacies (Bio), Engineering and Technology History Wiki (ETHW) (англ.)

[1] R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, V. L. Rideout, E. Bassous, A. LeBlanc Design of Ion-Implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions // IEEE Journal of Solid-State Circuits (Impact Factor: 3.01). 11/1974; 9(5):256 — 268. DOI: 10.1109/JSSC.1974.1050511